制造封装的半导体装置的方法、形成封装的半导体装置的方法和封装的半导体装置制造方法及图纸

制造封装的半导体装置的方法、形成封装的半导体装置的方法和封装的半导体装置。一种形成一封装的半导体装置的方法包含提供一种导电的框结构。所述导电的框结构包含一具有引线指状部的第一框，所述引线指状部是被配置以用于直接附接至一半导体装置，例如是一包含功率装置及逻辑类型装置的整合的功率半导体装置。所述引线指状部进一步被配置以提供用于所述半导体装置的功率装置部分的高电流容量以及一高的散热容量。在一实施例中，所述导电的框结构进一步包含一连结至所述第一框的第二框。所述第二框是包含复数个引线，其是被配置以电连接至所述半导体装置的低功率装置部分。一封装主体是被形成以囊封所述半导体装置以及所述引线指状部及引线的至少部分。述引线指状部及引线的至少部分。述引线指状部及引线的至少部分。

【技术实现步骤摘要】
制造封装的半导体装置的方法、形成封装的半导体装置的方法和封装的半导体装置


[0001]本专利技术是大致有关于电子装置，并且更具体而言是有关于半导体封装、其结构以及形成半导体封装的方法。

技术介绍

[0002]在过去，封装的功率半导体装置是利用各种导电的互连技术来将一功率半导体晶粒电连接至一封装的装置的导电的引线。在例如是离散的绝缘栅极场效晶体管(IGFET)的半导体装置的离散的功率半导体装置中，制造商已经利用导电带(ribbon)以及接合的导线或是导线接合(wirebond)的互连(每一电极包含多个导线接合)，以用于将在功率半导体装置上的载有电流的电极连接至封装的导电的引线。然而，这些类型的互连尚未能够提供在某些较高功率的装置中所需的充足的载有电流的功能。作为一替代的互连结构，制造商已经利用较大尺寸的导电的夹以作为导电带及导线接合的一种替代，以将在功率半导体装置上的载有电流的电极连接至封装的导电的引线。
[0003]在另一方面，在其中例如是IGFET装置的功率半导体装置是与互补金属氧化物半导体("CMOS")逻辑电路整合在单一芯片上的高度整合的功率半导体设计中，这些设计的接合垫的引线间距以及接合垫开口的尺寸并不与导电的夹相容。例如，整合的功率半导体设计是每一个IGFET都需要多个互连，其使用较紧密的接合垫间距("BPP")以及较紧密的接合垫开口("BPO")，此已经超出过去的夹设计以及夹设置的设备的能力。此外，导电带以及导线接合(包含较大直径的线)因为降低的载有电流的能力以及较高的电阻，而尚未提供用于满足高度整合的功率半导体设计所需要的替代的互连解决方案。
[0004]于是，所期望的是具有一种解决先前所指出的问题以及其它问题的结构以及形成一封装的半导体装置的方法。所述结构及方法能够在相同的封装的装置中容纳不同类型的导电的互连、轻易地被纳入到制造流程、而且符合成本效益也是所期望的。

技术实现思路

[0005]除了其它特点以外，本说明是包含一种利用一导电的框结构来制造一半导体装置封装的方法，所述导电的框结构是包含一被配置以直接附接至一半导体装置的导电的引线指状部(leadfinger)。所述引线指状部是被配置以在附接至一功率半导体装置或是功率装置部分时，增加载有电流的容量并且改善热效能，其可以与其它较低功率的半导体装置被整合在单一芯片上。在某些实施例中，所述导电的框结构是包含额外的引线，所述额外的引线可以利用例如是导电的导线结构来电耦接至其它较低功率的半导体装置。所述引线指状部是被成形以使得直接的附接至所述半导体装置变得容易。在某些实施例中，所述引线指状部是包括具有一或多个弯曲的一种弯曲的形状。在其它实施例中，所述引线指状部是包括凹陷部分，例如是半蚀刻的部分。
[0006]所述导电的框结构可包含一或多个具有支撑所述引线指状部以及引线的侧边区
段的框组件。所述侧边区段是在制造期间被移除，并且可以进一步包含应力释放的特点及/或对准特点，以强化所述半导体装置封装的可制造性。所述导电的框结构是支持具有较细间距的接合垫以及复杂的电源及逻辑布局配置的半导体装置的组件。本实施例是致能直接的引线指状部附接至一半导体晶粒，而同时提供用于其它类型的互连结构，例如是导线接合的互连。在一实施例中，相较于先前的结构被附接至一底部或第二框的引线，顶端或第一框是被使用于形成具有较厚且较宽的尺寸的特征的引线指状部的互连，其形成最终封装的装置引线的线或是外部的引线轮廓。
[0007]更具体而言，在一实施例中，一种制造一半导体装置之方法包括提供一导电的框结构。所述导电的框包括一第一框，其具有一第一侧边区段以及一从所述第一侧边区段向内延伸的引线指状部；以及一第二框，其具有一第二侧边区段以及一从所述第二侧边区段向内延伸的第一引线。所述方法包含提供一具有一主要的表面的半导体装置，所述主要的表面包含一第一导电的结构以及一第二导电的结构。所述方法包含将所述引线指状部以及所述第一导电的结构设置成接触以提供一电连接。所述方法包含将一导电的连接结构附接至所述第二导电的结构以及所述第一引线。所述方法包含形成一封装主体，其覆盖所述导电的连接结构、所述引线指状部的至少部分、所述第一引线的至少一部分以及所述半导体装置的至少一部分。所述方法包含移除所述第一侧边区段以及所述第二侧边区段。
[0008]前述方法进一步定义了提供所述导电的框结构是包括提供具有从所述第二区段向内延伸的一第二引线的所述第二框，其中所述第二引线是邻接所述引线指状部的至少一部分来加以设置。
[0009]前述方法进一步定义了提供所述导电的框结构包括提供包括一引线指状部顶表面的所述引线指状部，所述引线指状部顶表面具有一第一顶表面区段以及一第二顶表面区段，所述第一顶表面区段是位于一与所述第二顶表面区段不同的平面上。
[0010]前述方法进一步定义了提供所述导电的框结构包括提供具有一晶粒附接垫的所述第二框；以及提供所述半导体装置包括在将所述引线指状部以及所述第一导电的结构设置成接触之前，将所述半导体装置附接至所述晶粒附接垫。
[0011]前述方法进一步定义了提供所述导电的框结构是包括：提供具有一第一对准结构的所述第一框；以及提供具有一第二对准结构的所述第二框，所述第二对准结构至少是在将所述引线指状部以及所述第一导电的结构设置成接触的步骤期间和所述第一对准结构啮合；形成所述封装主体包括覆盖所述第一侧边区段以及覆盖所述第二侧边区段；以及移除包括透过所述封装主体的一部分的单粒化。
[0012]在另一实施例中，一种用于形成一封装的半导体装置的方法包括提供一导电的框结构，其包括一从所述第一侧边区段向内延伸的引线指状部以及一第一引线，其中所述引线指状部包括一引线指状部顶表面，其具有一第一顶表面区段以及一第二顶表面区段，所述第一顶表面区段是位于一与所述第二顶表面区段不同的平面上。所述方法包含提供一具有一主要的表面的半导体装置，所述主要的表面包含一第一导电的结构以及一第二导电的结构。所述方法包含将所述引线指状部附接至所述第一导电的结构。所述方法包含将一导电的连接结构附接至所述第二导电的结构以及所述第一引线。所述方法包含形成一封装主体，其囊封所述导电的连接结构、所述引线指状部的至少部分、所述第一引线的至少部分以及所述半导体装置的至少一部分。所述方法是包含移除所述第一侧边区段。
[0013]前述方法进一步定义了提供所述导电的框结构包括：提供一第一框，其具有所述第一侧边区段以及从所述第一侧边区段向内延伸的所述引线指状部；以及提供一第二框，其具有一第二侧边区段以及从所述第二侧边区段向内延伸的所述第一引线；以及移除包括移除所述第一侧边区段以及所述第二侧边区段，使得所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分被露出在所述封装的半导体装置的外部。
[0014]在另一实施例中，一种封装的半导体装置包括一晶粒附接垫以及一引线指状部，所述引线指状部具有一第一引线指状部端、一与所述第一引线指状部端相对的第二引线指状部端以及一引线指状部顶表面，所述引线指状部顶表面具有一位于一第一平面上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体构件，其特征在于，包括：第一引线指状部，其具有第一引线指状部第一端、与所述第一引线指状部第一端相对的第一引线指状部第二端、以及第一引线指状部顶表面，其中所述第一引线指状部顶表面具有靠近所述第一引线指状部第一端且位于第一平面上的第一顶表面区段、与所述第一顶表面区段相对的第一底表面区段、靠近所述第一引线指状部第二端且位于第二平面上的第二顶表面区段、以及与所述第二顶表面区段相对的第二底表面区段，其中所述第一平面不同于所述第二平面；第一引线，其电连接于所述第二底表面区段；第二引线；第一半导体装置部分，其具有第一导电的结构，其中所述第一引线指状部第一端附接到所述第一导电的结构；第二半导体装置部分，其具有第二导电的结构，其中所述第二引线与所述第二半导体装置部分横向地间隔开；导电的连接结构，其电连接所述第二引线与所述第二导电的结构；以及封装主体，其覆盖所述导电的连接结构、至少部分的所述第一引线指状部、至少部分的所述第一引线和至少部分的所述第二引线，其中所述第一引线和所述第二引线的其他部分暴露于所述封装主体。2.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于，进一步包括：晶粒附接垫，其中至少所述第一半导体装置部分附接到所述晶粒附接垫。3.如权利要求1所述的半导体构件，其中：所述第一半导体装置部分和所述第二半导体装置部分在单个半导体基板内。4.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述第一半导体装置部分包括功率装置部分。5.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述第二半导体装置部分包括低功率装置部分。6.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述封装主体包括侧表面；以及所述第一引线包括与所述侧表面共面的端表面。7.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述封装主体包括侧表面；以及所述第一引线指状部第一端包括与所述侧表面共面的端表面。8.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于，进一步包括：第三引线，其具有第三引线顶表面；以及第二引线指状部，其附接到所述第三引线顶表面和所述第一半导体装置部分。9.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述第一引线指状部顶表面的所述第一顶表面区段与所述第一半导体装置部分重叠并且平行于所述第一半导体装置部分的上表面。10.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述第一引线指状部不是夹。
11.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述第一导电的结构包括导电柱。12.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述第一引线指状部包括靠近所述第一引线指状部第一端的第一凹陷部分和靠近所述第一引线指状部第二端的第二凹陷部分；以及所述第二凹陷部分限定所述第二顶表面区段。13.如权利要求1所述的半导体构件，其特征在于：所述第一引线指状部包括共同的引线指状部，包括：第一引线指状部部分，其具有所述第一引线指状部第一端与所述第一引线指状部第二端，所述第一引线指状部部分是相邻于所述封装主体的第一侧表面；以及第二引线指状部部分，其从所述第一引线指状...

【专利技术属性】
技术研发人员：马可艾伦，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：