【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括多个引线框架的半导体器件封装件及相关方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.
§
119(e)要求2020年12月11日提交的名称为“包括多个引线框架的半导体器件封装件及相关方法(Semiconductor Device Packages Including Multiple Lead Frames and Related Methods)”的美国临时专利申请序列号63/124,198的权益,该临时专利申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
[0003]本公开整体涉及包括引线框架的半导体器件封装件以及制造包括引线框架的半导体器件封装件的方法。更具体地,本专利技术所公开的实施方案涉及可利用多个引线框架的半导体器件封装件,这些引线框架具有插置在这些引线框架之间的一个或多个半导体器件。
技术介绍
[0004]引线框架是封装半导体器件以与更高级别的封装一起使用的一种常规方法。通常,引线框架包括其上可以支撑半导体管芯的管芯附接焊盘和从该管芯附接焊盘附近成一定角 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件封装件,包括:半导体管芯,所述半导体管芯包括附连并电连接到第一引线框架的第一主表面;第二引线框架,所述第二引线框架附连并电连接到所述半导体管芯的第二主表面,所述第二主表面位于所述半导体管芯的与所述第一主表面相对的一侧上;和模制材料,所述模制材料包封所述半导体管芯以及所述第一引线框架和所述第二引线框架的至少部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第一引线框架电连接到所述第二引线框架。3.根据权利要求2所述的半导体器件封装件,还包括焊料材料,所述焊料材料在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间延伸,从而将所述第一引线框架电连接到所述第二引线框架。4.根据权利要求2所述的半导体器件封装件,还包括至少一个离散的导电材料块或至少一个无源电子器件,其形成所述第一引线框架与所述第二引线框架之间的电连接的至少一部分,从而将所述第一引线框架电连接到所述第二引线框架。5.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第一主表面通过倒装芯片连接而电连接到所述第一引线框架。6.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第二主表面通过背面金属化工艺或表面安装而电连接到所述第二引线框架。7.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每个引线框架是至少基本上平面的。8.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每个引线框架被配置为用于方形扁平无引脚封装的框架。9.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第一引线框架的部分通过所述模制材料暴露以用于电连接到更高级别的封装。10.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第二引线框架的部分通过所述模制材料暴露以用于电连接到更高级别的封装或电连接到热管理结构。11.根据权利要求1所述的半导体器件封装件,其中所述第二引线框架被包封在所述模制材料内。12.一种半导体器件封装件,包括:第一半导体管芯,所述第一半导体管芯包括附连并电连接到第一引线框架的第一主表面;第二半导体管芯,所述第二半导体管芯包括附连并电连接到第二引线框架的第二主表面,所述第二半导体管芯包括附连到所述第一半导体管芯的第四主表面的第三主表面,使得所述第一引线框架位于所述第一半导体管芯的在所述第二半导体管芯远端的一侧上,并且所述第二引线框架位于所述第二半导体管芯的在所述第一半导体管芯远端的一侧上;和模制材料,所述模制材料包封所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:J,
申请(专利权)人:微芯片技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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