【技术实现步骤摘要】
本专利技术的某些实施例关于具有电磁干扰(emi)屏蔽的半导体封装及其制造方法。
技术介绍
1、半导体封装可发射电磁干扰，其可能干扰其他半导体封装的操作。因此，各种半导体封装可包含电磁干扰屏蔽以助于减少电磁干扰被发射并且阻隔来自其他来源的电磁干扰。
2、通过将熟知和传统方法的系统与本文其余参考附图所阐述的本专利技术揭露内容的一些态样进行比较，熟知和传统方法的进一步限制和缺点将对所属
中具有通常知识者而言变得显而易见。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种具有电磁干扰屏蔽的半导体封装及其制造方法。
2、本专利技术的一态样是一种半导体封装，其包含：一个或多个半导体装置；电磁干扰屏蔽，在所述半导体封装的所有外表面上；以及开口，在所述开口中放置有电性互连以形成与衬垫的电性接触。
3、所述半导体封装可包含内部电磁干扰屏蔽，其在所述一个或多个半导体晶粒中的两个半导体晶粒之间。
4、在所述半导体封装中，所述电性互连是电性地连接至所述电磁干扰屏蔽。
5、在所述半导体封装中，所述电性互连是电性地连接至所述半导体封装的接地迹线。
6、在所述半导体封装中，所述电性互连是焊球。
7、在所述半导体封装中，所述开口是形成在所述电磁干扰屏蔽的一部分之中并且在所述半导体封装的底部上的囊封物之中。
8、在所述半导体封装中，所述开口包含没有被所述电性互连所占据的空间的体积，并且所述空间的体积是实质上被回填以形成与所述囊
9、本专利技术的另一态样是一种用于屏蔽半导体装置的方法，所述方法包含：对于包含顶部囊封物和底部囊封物的所述半导体装置，附接第一载体到所述底部囊封物的底部表面；在没有被所述第一载体覆盖的所述半导体装置的所有外表面上形成外部电磁干扰屏蔽；附接第二载体到所述顶部囊封物的顶部表面；从所述半导体装置的所述底部囊封物移除所述第一载体；以及形成外部底部电磁干扰屏蔽于所述底部囊封物的底部表面上。
10、所述方法包含附接电性互连至所述半导体装置。
11、在所述方法中，所述电性互连被电性地连接至所述外部电磁干扰屏蔽以及所述外部底部电磁干扰屏蔽。
12、所述方法包含形成开口，所述开口穿透所述外部底部电磁干扰屏蔽并且穿透所述底部囊封物以暴露衬垫，并且其中前述附接所述电性互连包含经由所述开口而附接所述电性互连至所述衬垫。
13、在所述方法中，前述形成所述开口包含使用镭射以形成所述开口。
14、在所述方法中，前述形成所述开口包含：形成第一凹陷；以及形成第二凹陷，其中所述第二凹陷是窄于所述第一凹陷并且暴露所述衬垫。
15、所述方法包含在前述附接所述电性互连至所述衬垫之后回填所述开口。
16、在所述方法中，前述形成所述外部电磁干扰屏蔽包含使用溅镀以形成所述外部电磁干扰屏蔽的至少一部分；并且前述形成所述外部底部电磁干扰屏蔽包含使用溅镀以形成所述外部底部电磁干扰屏蔽的至少一部分。
17、所述方法包含移除所述顶部囊封物的一部分以形成在两个半导体晶粒之间的空间。
18、所述方法包含形成内部电磁干扰屏蔽在两个半导体晶粒之间的所述空间中。
19、在所述方法中，前述形成所述内部电磁干扰屏蔽包含使用溅镀以形成所述内部电磁干扰屏蔽。
20、在所述方法中，所述内部电磁干扰屏蔽被电性地连接至所述外部电磁干扰屏蔽和所述外部底部电磁干扰屏蔽。
21、本专利技术的又一态样是一种半导体封装，其包括：半导体装置；顶部囊封物和底部囊封物，其中所述顶部囊封物囊封至少两个所述半导体装置；电磁干扰屏蔽，在所述半导体封装的所有外表面上；内部电磁干扰屏蔽，在所述至少两个所述半导体装置之间；以及电性互连，通过衬垫而电性地连接至所述半导体装置中的至少一者，其中所述衬垫是位在所述底部囊封物中。
22、根据下文对较佳实施例的描述，本揭示的上述和其他目的将被描述或变得显而易见。
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1.一种设备，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述电磁干扰屏蔽覆盖所述底部囊封物的侧壁。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述电磁干扰屏蔽符合所述顶部囊封物、所述基板和所述底部囊封物的外表面。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述导电屏蔽部件延伸穿过所述顶部囊封物中的垂直孔。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于：
6.如权利要求5所述的设备，其特征在于：
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括：
8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括互连，其中每个互连包括经由所述基板底侧耦合到所述基板导电迹线的上端，并且其中每个互连包括暴露在所述底部囊封物的底侧处的下端。
9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括：
10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，所述电子装置包括无源装置。
12.一种设备，其特征在于，包含：
13.如权利要求12
14.如权利要求12所述的设备，其特征在于：
15.如权利要求12所述的设备，其特征在于，包括互连，其中：
16.如权利要求12所述的设备，其特征在于，包括：
17.如权利要求12所述的设备，其特征在于，包括：
18.如权利要求17所述的设备，其特征在于，所述电子装置包括无源装置。
19.一种方法，其特征在于，包括：
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，其中提供所述电磁干扰屏蔽包括使所述电磁干扰屏蔽符合所述第一囊封物、所述基板和所述第二囊封物的暴露表面。
21.一种设备，其特征在于，包含：
22.如权利要求21所述的设备，其特征在于，包括：
23.如权利要求22所述的设备，其特征在于，沿着所述基板底侧的所述电磁干扰屏蔽的底部部分完全覆盖所述电子装置在所述电磁干扰屏蔽的所述底部部分上的正交投影。
24.如权利要求23所述的设备，其特征在于：
25.如权利要求23所述的设备，其特征在于：
26.如权利要求21所述的设备，其特征在于，包括：
27.如权利要求21所述的设备，其特征在于，所述第一半导体装置包括半导体晶粒。
28.如权利要求21所述的设备，其特征在于，所述电磁干扰屏蔽完全覆盖所述第一囊封物顶侧、所述第一囊封物侧壁和所述基板侧壁。
29.如权利要求21所述的设备，其特征在于，包括：
30.如权利要求29所述的设备，其特征在于，所述电磁干扰屏蔽内部将所述电磁干扰屏蔽耦合到所述基板的接地部分。
31.如权利要求21所述的设备，其特征在于：
32.如权利要求21所述的设备，其中：
33.一种方法，其特征在于，包括：
34.如权利要求33所述的方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种设备，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述电磁干扰屏蔽覆盖所述底部囊封物的侧壁。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述电磁干扰屏蔽符合所述顶部囊封物、所述基板和所述底部囊封物的外表面。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述导电屏蔽部件延伸穿过所述顶部囊封物中的垂直孔。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于：
6.如权利要求5所述的设备，其特征在于：
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括：
8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括互连，其中每个互连包括经由所述基板底侧耦合到所述基板导电迹线的上端，并且其中每个互连包括暴露在所述底部囊封物的底侧处的下端。
9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括：
10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，所述电子装置包括无源装置。
12.一种设备，其特征在于，包含：
13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述导电屏蔽部件延伸穿过所述第一囊封物的第一侧与所述第一囊封物的第二侧之间的垂直孔。
14.如权利要求12所述的设备，其特征在于：
15.如权利要求12所述的设备，其特征在于，包括互连，其中：
16.如权利要求12所述的设备，其特征在于，包括：
17.如权利要求12所述的设备，其特征在于，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：新督尚，李泰勇，李琼延，金宋珠，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：
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