半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置及其制造方法。本发明专利技术提供一种电子装置及一种制造电子装置的方法。作为非限制性实例，本发明专利技术的各种态样提供制造电子装置的各种方法及通过所述方法而制造的电子装置，所述方法包含利用黏接层以将上部电子封装体附接至下部晶粒及/或利用金属柱以用于将所述上部电子封装体电连接至下部基板，其中所述金属柱在所述下部基板上方相较于所述下部晶粒具有较小高度。具有较小高度。具有较小高度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术关于半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前的半导体封装体及用于形成半导体封装体的方法是不适当的，举例而言，引起成本过多、可靠度减低，或封装体尺寸过大。经由比较习知及传统方法与如本申请案的剩余部分中参考图式所阐述的本专利技术，此等习知及传统方法的另外限制及缺点对于熟习此项技术者而言将变得显而易见。

技术实现思路

[0003]本专利技术的各种态样提供一种电子装置及一种制造电子装置的方法。作为非限制性实例，本专利技术的各种态样提供制造电子装置的各种方法及通过所述方法而制造的电子装置，所述方法包含利用黏接层以将上部电子封装体附接至下部晶粒及/或利用金属柱以用于将所述上部电子封装体电连接至下部基板，其中所述金属柱在所述下部基板上方相较于所述下部晶粒具有较小高度。
附图说明
[0004]图1展示根据本专利技术的各种态样的制造电子装置的实例方法的流程图。
[0005]图2A至图2E展示根据本专利技术的各种态样的说明实例电子装置及制造电子装置的实例方法的横截面图。
[0006]图3展示根据本专利技术的各种态样的实例电子装置及制造电子装置的实例方法的横截面图。
具体实施方式
[0007]以下论述通过提供本专利技术的实例来呈现本专利技术的各种态样。此等实例为非限制性的，且因此，本专利技术的各种态样的范围应未必受到所提供实例的任何特定特性限制。在以下论述中，词组「举例而言」、「例如」及「例示性」为非限制性的，且与「作为实例而非限制」、「举例而言而非限制」及其类似者大体上同义。
[0008]如本文中所利用，「及/或」意谓由「及/或」联合之列表中的项目中之任何一或多者。作为实例，「x及/或y」意谓三元素集合{(x),(y),(x,y)}中之任何元素。换言之，「x及/或y」意谓「x及y中之一或两者」。作为另一实例，「x、y及/或z」意谓七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中之任何元素。换言之，「x、y及/或z」意谓「x、y及z中之一或多者」。
[0009]本文中所使用的术语仅用于描述特定实例的目的，且并不意欲限制本专利技术。如本文中所使用，除非上下文另有清楚指示，否则单数形式亦意欲包括复数形式。将进一步理解，术语「包含」、「包括」、「具有」及其类似者在本说明书中使用时指定所陈述特征、整数、步
骤、操作、组件及/或组件之存在，但并不排除一或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、组件及/或其群组的存在或添加。
[0010]将理解，虽然术语第一、第二等等可在本文中用以描述各种组件，但此等组件不应受到此等术语限制。此等术语仅用以区分一个组件与另一组件。因此，举例而言，下文所论述的第一组件、第一组件或第一区段可被称为第二组件、第二组件或第二区段而不脱离本专利技术的教示。相似地，诸如「上部」、「下部」、「侧」及其类似者的各种空间术语可用来以相对方式区分一个组件与另一组件。然而，应理解，组件可以不同方式而定向，举例而言，半导体装置可侧向地转动使得其「顶部」表面水平地对向且其「侧」表面垂直地对向而不脱离本专利技术的教示。
[0011]在图式中，可出于清楚起见而夸示层、区及/或组件之厚度或尺寸。因此，本专利技术的范围不应受到此厚度或尺寸限制。另外，在图式中，类似参考数字贯穿论述可指类似组件。
[0012]亦将理解，当组件A被称作「连接至」或「耦合至」组件B时，组件A可直接地连接至组件B或间接地连接至组件B(例如，介入组件C(及/或其他组件)可存在于组件A与组件B之间))。
[0013]本专利技术的各种态样提供一种具有经缩减的厚度的电子装置(例如，半导体装置)及其制造方法，所述制造方法的特征为经缩减的处理时间及经缩减的处理成本。
[0014]本专利技术的各种态样提供一种半导体装置，其包括：半导体晶粒，其在基板上；互连结构，其电连接基板与半导体晶粒；黏接层(或黏接构件)，其在半导体晶粒上(或黏接至半导体晶粒)；上部半导体封装体，其黏接至黏接层；及囊封物，其在基板上且囊封上部半导体封装体。
[0015]半导体装置可进一步包括柱，其在基板上且自基板突起，其中柱电连接至上部半导体封装体。相对于基板的顶部侧(或表面)，柱相较于半导体晶粒可具有较小高度。半导体装置可进一步包括导电凸块，其在柱与上部半导体封装体之间。上部半导体封装体可包括封装体基板、封装式半导体晶粒及封装体囊封物。封装体囊封物可囊封上部半导体封装体的半导体晶粒。囊封物可囊封上部半导体封装体的侧部分及底部部分。黏接层可在半导体晶粒的整个顶部部分上。上部半导体封装体相较于半导体晶粒可具有较大区域。半导体装置可进一步包括底胶，其在基板与半导体晶粒之间。
[0016]本专利技术的各种态样提供一种半导体装置，其包括：基板；半导体晶粒，其在基板上；互连结构(或导电连接构件)，其电连接基板与半导体晶粒；柱，其在基板上且自基板突起，且相较于半导体晶粒具有较小高度；上部半导体封装体，其安装于半导体晶粒上且电连接至柱；及囊封物，其在基板上且囊封上部半导体封装体。
[0017]半导体装置可进一步包括黏接层(或黏接构件)，其在半导体晶粒与上部半导体封装体之间。半导体装置可进一步包括导电凸块，其在柱与上部半导体封装体之间。囊封物可囊封上部半导体封装体的侧部分及底部部分。
[0018]本专利技术的各种态样提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：将半导体晶粒耦合至基板的顶部侧(或部分)；将黏接层(或黏接构件)形成于半导体晶粒上；将上部半导体封装体耦合于黏接层的顶部侧(或部分)上；及将囊封物形成于基板上以囊封上部半导体封装体。
[0019]囊封物可经形成以囊封上部半导体封装体的侧部分及底部部分。黏接层(或黏接
构件)可形成于半导体晶粒的整个顶部侧(或部分)上。基板可具有形成于其上的柱，且上部半导体封装体可电连接至柱。柱可经形成以在基板上方相较于半导体晶粒具有较小高度。制造方法可进一步包括将导电凸块形成于柱与上部半导体封装体之间。
[0020]本专利技术的各种态样提供一种电子装置，其包括：基板，其包括顶部基板侧、底部基板侧，及在顶部基板侧与底部基板侧之间的横向基板侧；半导体晶粒，其包括顶部晶粒侧、底部晶粒侧，及在顶部晶粒侧与底部晶粒侧之间的横向晶粒侧，其中底部晶粒侧耦合至顶部基板侧；第一导电互连结构，其在半导体晶粒与基板之间且将半导体晶粒电连接至基板；黏接层，其包括顶部黏接层侧、底部黏接层侧，及在顶部黏接层侧与底部黏接层侧之间的横向黏接层侧，其中底部黏接层侧黏接至顶部晶粒侧；上部半导体封装体，其包括顶部上部封装体侧、底部上部封装体侧，及在顶部上部封装体侧与底部上部封装体侧之间的横向上部封装体侧，其中底部上部封装体侧黏接至顶部黏接层侧；及第一囊封材料，其至少覆盖顶部基板侧及横向上部封装体侧。
[0021]举例而言，黏接层可覆盖整个顶部晶粒侧。举例而言，第一囊封材料可覆盖横向黏接层侧。举例而言，第一囊封材料可包括与顶部黏接层侧共面的表面。举例而言，上部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包含：下部基板，其包括下部基板顶部侧、下部基板底部侧以及在所述下部基板顶部侧和所述下部基板底部侧之间的下部基板横向侧；半导体晶粒，其包含顶部晶粒侧、耦合至所述下部基板顶部侧的底部晶粒侧以及在所述顶部晶粒侧与所述底部晶粒侧之间的横向晶粒侧；第一导电互连结构，其在所述半导体晶粒和所述下部基板之间并且将所述半导体晶粒耦接到所述下部基板；黏接件，其包括黏接件顶部侧、黏接到所述顶部晶粒侧的黏接件底部侧以及在所述黏接件顶部侧和所述黏接件底部侧之间的黏接件横向侧；上部基板，其包括上部基板顶部侧、黏接到所述黏接件顶部侧的上部基板底部侧以及在所述上部基板顶部侧和所述上部基板底部侧之间的上部基板横向侧；基板对基板互连结构，其延伸在所述下部基板顶部侧以及所述上部基板底部侧之间；以及第一囊封剂，其是单一连续层且接触所述下部基板顶部侧以及所述黏接件的所述黏接件横向侧上，其中横向地邻近所述横向晶粒侧的所述第一囊封剂的一部分延伸于所述黏接件的一部分的下方，其中所述第一囊封剂包括第一顶表面，所述第一顶表面与所述黏接件顶部侧共面。2.根据权利要求1所述的电子装置，其包括第二囊封剂，所述第二囊封剂耦接到所述上部基板，其中大部分的所述第二囊封剂是在所述第一囊封剂的最上部表面的下方。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述基板对基板互连结构包括无焊料金属部分，并且其中所述无焊料金属部分的至少部分是位在所述半导体晶粒的侧向处。4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述基板对基板互连结构的所述无焊料金属部分包括铜柱。5.根据权利要求3所述的电子装置，其中在垂直横截面的方向上，所述基板对基板互连结构的所述无焊料金属部分是实心的而没有空隙。6.根据权利要求3所述的电子装置，其中:所述基板对基板互连结构包括焊料部分，且所述基板对基板互连结构的所述焊料部分是垂直位在所述上部基板底部侧以及所述基板对基板互连结构的所述无焊料金属部分的顶部部分之间。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一囊封剂包括第二顶表面，所述第二顶表面位在与所述第一顶表面不同的高度。8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一囊封剂的一部分是垂直高于所述上部基板底部侧的最底部表面。9.根据权利要求1所述的电子装置，其包括底胶材料，所述底胶材料接触所述下部基板顶部侧、所述底部晶粒侧以及所述横向晶粒侧，其中所述第一囊封剂接触所述底胶材料。10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一囊封剂接触所述底部晶粒侧和所述横向晶粒侧。11.一种制造电子装置的方法，所述方法包括:提供下部基板，所述下部基板包括下部基板顶部侧、下部基板底部侧以及在所述下部
基板顶部侧和所述下部基板底部侧之间的下部基板横向侧；提供半导体晶粒，所述半导体晶粒包括顶部晶粒侧、耦接到所述下部基板顶部侧的底部晶粒侧以及在所述顶部晶粒侧和所述底部晶粒侧之间的横向晶粒侧；提供第一导电互连结构于所述半导体晶粒和所述下部基板之间并且耦接所述半导体晶粒到所述下部基板；提供黏接件，所述黏接件包括黏接件顶部侧、黏接到所述顶部晶粒侧的黏接件底部侧以及在所述黏接件顶部侧和所述黏接件底部侧之间的黏接件横向侧；提供上部基板，所述上部基板耦接到所述黏接件，所述上部基板包括上部基板顶部侧、黏接到所述黏接件顶部侧的上部基板底部侧以及在所述上部基板顶部侧和所述上部基板底部侧之间的上部基板横...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴锦阳，朴俊书，颜吉和，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：