制作层的方法和器件技术

本申请涉及制作层的方法和器件。提供一种制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成至少一个电子组件；形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘；其中形成所述接触焊盘包括：在所述衬底之上形成第一层；将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二层，其中所述第二层具有比所述第一层更低的孔隙度。

【技术实现步骤摘要】
制作层的方法和器件
多个实施例一般地涉及处理衬底的方法和器件。
技术介绍
一般来说，半导体材料可以在半导体技术中被处理在衬底(也被称作晶片或载体)上或衬底中，例如用来制造集成电路(也称作芯片)。在半导体材料的处理期间，可以应用特定工艺，例如在衬底之上形成一个或更多个层、将所述一个或更多个层结构化或接触芯片。一般来说，多孔铜层例如在厚电源金属化领域中提供有益的机械特性。与致密层(体铜)相比，多孔铜层可以施加较少的机械和/或热应力给硅，且因此提供在晶片和芯片上制备厚铜层的可能性，而不引起晶片或芯片的弯曲、造成晶片或芯片的分层和/或引起晶片或芯片中的裂缝。传统上而言，通过改变制备参数例如源材料(颗粒尺寸或添加剂)或者处理参数(沉积参数、炉参数、退火参数)来调节多孔铜层的特性。这种调节强烈地受限于制备参数的范围，且因此很窄。此外，这种调节在密封孔时失效，要求额外的工作且对使用的包含浆体的铜颗粒高度敏感，这减小了将这种调节适用于其他浆体成分的范围。备选地，可以通过在彼此之上印刷不同的包含浆体的铜颗粒或者金属前体浆体，来形成两层。这个工艺可以仅能够调节多孔铜层的空间孔隙度、在密封孔时失效、要求额外的工作且对使用的包含浆体的铜颗粒的组合高度敏感。备选地，多孔硅层可以通过金属的电化学沉积或者无电化学来涂覆。这可以导致包括了使用的电解质、增加了杂质和污染的风险或其它后果，如降低的可靠性或对器件的损坏。
技术实现思路
一种制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成至少一个电子组件；形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘。形成所述接触焊盘包括：在所述衬底之上形成第一层；将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二层。所述第二层具有比所述第一层低的孔隙度。附图说明在附图中，相同的附图标记贯彻不同的视图通常表示相同的部件。附图不必按比率绘制，而是通常重点在于说明本专利技术的原理。在以下描述中，参考附图来描述本专利技术的多个实施例，在附图中：图1A至1D分别通过示意性横截面视图或侧视图示出了在根据各种实施例的方法中、根据各种实施例的器件；图2A至2C分别通过示意性横截面视图或侧视图示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；图3A至3D分别通过示意性横截面视图或侧视图示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；图4A和4B分别通过示意性横截面视图或侧视图示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；图5A和5B分别示出了根据各种实施例的示意图；图6A和6B分别示出了根据各种实施例的示意图；图7A至7C通过示意性横截面视图或侧视图分别示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；图8A至8C通过示意性横截面视图或侧视图分别示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；图9通过示意性流程图示出了根据各种实施例的方法；图10A和10B通过示意性流程图分别示出了根据各种实施例的方法；图11A和11B通过示意性横截面视图或侧视图分别示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；图12A和12B通过示意性横截面视图或侧视图分别示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；图13A和13B通过示意性横截面视图或侧视图分别示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件；以及图14A和14B通过示意性横截面视图或侧视图分别示出了在根据各种实施例的方法的处理阶段中、根据各种实施例的器件。具体实施方式以下的详细描述参考附图，附图通过示例示出了实施本专利技术的具体细节和实施例。用语“示例”在本文中用来表示“用作例子、实例或示例”。本文作为“示例”描述的任何实施例或设计不是必需比其他实施例或设计优选或有利。参考形成在侧面或表面“之上”的沉积材料而描述的用语“之上”在本文用来表示沉积材料可以“直接”形成在所指侧面或表面上，例如直接接触。参考形成在侧面或表面“之上”的沉积材料而描述的用语“之上”在本文也用来表示沉积材料可以“间接”形成在所指侧面或表面上，其中在所指侧面或表面与沉积材料之间布置有一个或更多个附加层。参考结构的(或衬底、晶片或载体的)“横向”延伸或“横向”而使用的用语“横向”在本文可以用来表示沿着衬底、晶片或载体表面的延伸或位置关系。这表示衬底的表面(例如载体的表面或晶片的表面)可以用作参考，统称为衬底的主处理表面(或晶片或载体的主处理表面)。此外，参考结构(或结构元件)的“宽度”而使用的用语“宽度”可以用来表示结构的横向延伸。此外，参考结构(或结构元件)的高度而使用的用语“高度”可以用来表示结构沿着与衬底的表面垂直(例如与衬底的主处理表面垂直)的方向的延伸。参考层的“厚度”而使用的用语“厚度”在本文可以用来表示层垂直于其上沉积层的支撑件(材料)表面的空间延伸。如果支撑件表面与衬底表面(例如主处理表面)平行，则在支撑件上沉积的层的“厚度”可以与层的高度相同。此外，“竖直”结构可以指在与横向方向垂直(例如与衬底的主处理表面垂直)的方向上延伸的结构，且“竖直”延伸可以指沿着与横向方向垂直的方向的延伸(例如与衬底的主处理表面垂直的延伸)。根据各种实施例，衬底(也称作载体或晶片)可以包括多种类型的半导体材料或者可以由多种类型的半导体材料形成，包括IV族半导体(例如硅或锗)、化合物半导体例如III-V族化合物半导体(例如砷化镓)或者其他类型的半导体材料例如包括III族半导体、V族半导体或聚合物。在一个实施例中，衬底由(掺杂或未掺杂的)硅制成；在一个可替选实施例中，衬底是绝缘体上硅(SOI)晶片。作为替选，任意其它合适半导体材料可以用作衬底，例如，半导体化合物材料诸如磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)；还有任意合适的三元半导体化合物材料或者四元半导体化合物材料，诸如铟镓砷(InGaAs)。可以处理衬底以将一个或更多个半导体芯片形成在以下的至少一项：在衬底之上，和在衬底中。半导体芯片可以包括有源芯片区域。有源芯片区域可以布置在衬底的一部分中，并且可以包括一个或更多个半导体电路元件(也被称作电子组件)，如晶体管、电阻器、电容器、二极管等。一个或更多个半导体电路元件可以被配置成执行计算或存储操作。备选地或附加地，一个或更多个半导体电路元件可以被配置成例如在功率电子器件中执行开关或整流操作。通过从衬底的切口区域去除材料(也被称作切割或切开半导体区域)，可以从衬底将半导体芯片单片化。例如，从衬底的切口区域去除材料可以通过划片和裂片、分裂、刀片切割或机械锯切(例如使用切割锯)来处理。在将半导体芯片单片化之后，其可以被电接触和例如通过模制材料被密封到适用于在电子器件中使用的芯片载体(也被称作芯片壳体)中。例如，半导体芯片可以通过导线接合到芯片载体，且芯片载体可以被焊接到印刷电路板上。根据各种实施例，金属可以包括通过以下元素组中的一个元素或者通过以下元素组中的一个元素形成(换句话说，金属可以包括以下中的至少一个或者通过以下中的至少一个形成)：铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、镁(Mg)、铬(Cr)、铁(Fe)、锌(Zn)、锡(Sn)、金(Au)、银(Ag)、铱(Ir)、铂(Pt)、钛(T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成至少一个电子组件；形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘；其中形成所述接触焊盘包括：在所述衬底之上形成第一层；将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二层，其中所述第二层具有比所述第一层更低的孔隙度。

【技术特征摘要】
2015.11.30 US 14/953,4561.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成至少一个电子组件；形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘；其中形成所述接触焊盘包括：在所述衬底之上形成第一层；将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二层，其中所述第二层具有比所述第一层更低的孔隙度。2.根据权利要求1的方法，其中，通过物理气相沉积、印刷沉积和化学气相沉积中的至少一种来形成所述第二层。3.根据权利要求1的方法，其中所述第一层和所述第二层包括相同的材料。4.根据权利要求1的方法，其中所述衬底或所述第二层中的至少一个的以下孔特性中的至少一个基本为零：孔密度；孔尺寸；以及孔隙度。5.根据权利要求1的方法，其中通过在所述衬底之上沉积固体颗粒而形成所述第一层。6.根据权利要求5的方法，其中形成所述第一层包括烧结所述固体颗粒。7.根据权利要求6的方法，其中所述第一层在被烧结后被平坦化。8.根据权利要求6的方法，其中在烧结期间和在烧结之前中的至少一个，将所述第一层平坦化。9.根据权利要求1的方法，其中所述第一层的应力温度梯度小于所述第二层和所述衬底中的至少一个的应力温度梯度。10.根据权利要求1的方法，其中所述第一层的密度小于所述第二层和所述衬底中的至少一个的密度。11.根据权利要求1的方法，其中所述第二层的厚度是以下中的至少一个：大于所述第一层的空间孔尺寸的一半，和小于所述第一层的所述空间孔尺寸的两倍。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·米希兹，M·海恩里希，B·艾兴格，M·施内甘斯，S·克里维克，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE