一种二极管的封装方法及二极管技术

本发明专利技术实施例公开了一种二极管的封装方法及二极管，用于解决现有二极管的占用空间大，封装效率低的问题。本发明专利技术实施例方法包括：提供载体，并在载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板；采用复合材料对所述二极管模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出二极管。

Diode encapsulation method and diode

The embodiment of the invention discloses a diode encapsulation method and a diode, which is used for solving the problem that the existing diode has large occupied space and low encapsulation efficiency. The embodiment of the invention includes providing a carrier, and cover the surface of the metal layer on at least one carrier; on the surface of the metal layer circuit pattern coverage resist film; non plating line pattern area on the surface of the metal layer, forming at least two pads; at least one welding pad the diode chip is formed by composite template; plastic processing on the diode template; blind hole drilling in vertical direction of the at least two pads, and will deal with the blind blind hole metallization, which, if the chip pad welding, metal hole corresponding to the bottom of the welding chip, if no welding pads on the chip, metal hole corresponding to the bottom of the welding pad; the metallized through holes formed closed loop line graphics, diode package.

【技术实现步骤摘要】
一种二极管的封装方法及二极管
本专利技术涉及二极管领域，具体涉及一种二极管的封装方法及二极管。
技术介绍
随着电子产品向小型化、集成化、普及化发展，对于电子产品内部所使用到的二极管也随之小型化。目前二极管采用传统封装方式，例如：通过打钱(英文全称：Wirebond，缩写：WB)方式将芯片(英文全称：Chip)封装成具有一定功能的二极管。但是，对于某些二极管所集成的小型化的电子产品，采用传统的打线方式封装出的二极管，占用空间大，封装效率低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种二极管的封装方法及二极管，用于解决现有二极管的占用空间大，封装效率低的问题。本专利技术第一方面提供一种二极管的封装方法，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板；采用复合材料对所述二极管模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出二极管。在一些可能的实现方式中，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。在一些可能的实现方式中，所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板之前，所述封装方法还包括：去除所述线路图形区域的抗蚀膜。在一些可能的实现方式中，所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板包括：在所述至少一个焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个焊盘上，形成所述二极管模板。在一些可能的实现方式中，所述在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔包括：采用激光盲孔的方式在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔。所述将所述盲孔处理成金属化盲孔包括：采用化学沉铜，电镀铜、溅射铜、导电铜胶中的至少一种方式将所述盲孔处理成所述金属化盲孔。在一些可能的实现方式中，所述对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路之后，所述封装方法还包括：将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。在一些可能的实现方式中，所述封装方法还包括：在至少一个焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。本专利技术第二方面提供一种二极管的封装方法，包括：提供载体，在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；在所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个焊盘；将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成二极管模板，其中，所述芯片与所述焊盘焊接；采用复合材料对所述二极管模板进行塑封处理，封装出二极管。在一些可能的实现方式中，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。在一些可能的实现方式中，所述将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成二极管模板之前，所述封装方法还包括：去除所述线路图形区域的抗蚀膜。在一些可能的实现方式中，所述将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成二极管模板包括：在所述芯片的表面涂覆金属保护层，并将所述芯片与形成焊盘的所述载体进行层压，其中，所述金属保护层用于保护所述芯片在层压时不受损。在一些可能的实现方式中，所述将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成二极管模板之后，所述封装方法还包括：去除所述金属保护层。在一些可能的实现方式中，所述封装方法还包括：在至少一个焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。本专利技术第三方面提供一种二极管的封装方法，包括：提供载体，在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；在所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个第一焊盘；在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片形成二极管模板；采用复合材料对所述二极管模板进行塑封处理；在所述芯片上进行电镀，形成至少一个第二焊盘，封装出二极管。在一些可能的实现方式中，所述封装方法还包括：在所述至少一个第一焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。在一些可能的实现方式中，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。在一些可能的实现方式中，在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片形成二极管模板之前，所述封装方法还包括：去除所述线路图形区域的抗蚀膜。在一些可能的实现方式中，所述在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片形成二极管模板包括：在所述至少一个第一焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个第一焊盘上，形成所述二极管模板。在一些可能的实现方式中，采用复合材料对所述二极管模板进行塑封处理之后，所述封装方法还包括：将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。本专利技术第四方面提供一种二极管，其特征在于，所述二极管为利用上述第一方面或者第一方面中的任意一种封装方法或者第二方面或者第二方面中的任意一种封装方法或者第三方面或者第三方面中的任意一种封装方法所封装出的二极管。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：与现有技术不同的是，取代传统打线的方式来封装二极管，利用盲孔连接或者焊接的方式将芯片与焊盘焊接，并将芯片封装成具有一定功能的二极管，封装出的二极管占用空间小，整个工艺流程简单，有效提高二极管的封装效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中二极管的封装方法的一个实施例示意图；图2a为本专利技术实施例中在载体上覆盖表面金属层的一个结构示意图；图2b为本专利技术实施例中在表面金属层上覆盖抗蚀膜的一个结构示意图；图2c为本专利技术实施例中在焊盘上焊接芯片的一个结构示意图；图2d为本专利技术实施例中对二极管模板进行塑封处理的一个结构示意图；图2e为本专利技术实施例中形成金属化盲孔的一个结构示意图；图3为本专利技术实施例中二极管的封装方法的另一个实施例示意图；图4为本专利技术实施例中二极管的封装方法的另一个实施例示意图；图5为本专利技术实施例中二极管的一个结构示意图；图6为本专利技术实施例中二极管的另一个结构示意图；图7为本专利技术实施例中二极管的另一个结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种二极管的封装方法及二极管，用于解决现有二极管的占用空间大，封装效率低的问题。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管的封装方法，其特征在于，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板；采用复合材料对所述二极管模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出二极管。

【技术特征摘要】
1.一种二极管的封装方法，其特征在于，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板；采用复合材料对所述二极管模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出二极管。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板之前，所述封装方法还包括：去除所述线路图形区域的抗蚀膜。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成二极管模板包括：在所述至少一个焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个焊盘上，形成所述二极管模板。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔包括：采用激光盲孔的方式在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔。所述将所述盲孔处理成金属化盲孔包括：采用化学沉铜，电镀铜、溅射铜、导电铜胶中的至少一种方式将所述盲孔处理成所述金属化盲孔。6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路之后，所述封装方法还包括：将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。7.根据权利要求1所述的封装方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冕，
申请(专利权)人：深圳中科四合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44