The invention provides a preparation method of intelligent power module, intelligent power module and power electronic equipment, which includes the preparation method of intelligent power module: the isolation groove is formed in the front side of the substrate, the substrate is divided into a first region and a second region isolation; the formation of high intelligent power module in the region on the high intelligent power module including MOSFET, IGBT and fast recovery diode; low intelligent power module in the second region, low intelligent power module including high speed integrated control circuit; bonding line is formed between the high and low intelligent power module intelligent power module. Through the technical scheme of the invention reduces the thermal interference of high intelligent power module of low intelligent power module, without an increase in production costs, further improve the reliability of intelligent power module and thermal stability.
【技术实现步骤摘要】
智能功率模块的制备方法、智能功率模块和电力电子设备
本专利技术涉及智能功率模块
,具体而言,涉及一种智能功率模块的制备方法、一种智能功率模块和一种电力电子设备。
技术介绍
智能功率模块,即IPM(IntelligentPowerModule),是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动器件(DeriverIntegratedCircuit,即DriverIC)。由于具有高集成度、高可靠性等优势,智能功率模块赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动和变频家电常用的电力电子器件。现行智能功率模块100的电路结构如图1所示:HVIC(Hyper-Velocityintegratedcircuit,高速集成控制电路)芯片101的VCC端作为所述智能功率模块100的低压区供电电源正端VDD,VDD一般为15V;所述HVIC芯片101的HIN1端作为所述智能功率模块100的U相上桥臂输入端UHIN;所述HVIC芯片101的HIN2端作为所述智能功率模块100的V相上桥臂输入端VHIN;所述HVIC芯片101的HIN3端作为所述智能功率模块100的W相上桥臂输入端WHIN;所述HVIC芯片101的LIN1端作为所述智能功率模块100的U相下桥臂输入端ULIN;所述HVIC芯片101的LIN2端作为所述智能功率模块100的V相下桥臂输入端VLIN;所述HVIC芯片101的LIN3端作为所述智能功率模块100的W相下桥臂输入端WLIN;在此,所述智能功率模块100的U、V、W三相的六路输入接收0~5V的输 ...
【技术保护点】
一种功率模块的制备方法,其特征在于,包括:在基板的正侧形成隔离槽,以将所述基板划分为隔离的第一区域和第二区域;在所述第一区域上形成高功率器件,所述高功率器件包括MOSFET、IGBT和快速恢复二极管;在所述第二区域上形成低功率器件,所述低功率器件包括高速集成控制电路;在所述高功率器件和所述低功率器件之间形成邦定线。
【技术特征摘要】
1.一种功率模块的制备方法,其特征在于,包括:在基板的正侧形成隔离槽,以将所述基板划分为隔离的第一区域和第二区域;在所述第一区域上形成高功率器件,所述高功率器件包括MOSFET、IGBT和快速恢复二极管;在所述第二区域上形成低功率器件,所述低功率器件包括高速集成控制电路;在所述高功率器件和所述低功率器件之间形成邦定线。2.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法,其特征在于,还包括:采用热硬性树脂材料对形成所述邦定线的基板进行半包封装或全包封装,以形成覆盖所述高功率器件、所述低功率器件和所述邦定线的封装外壳。3.根据权利要求2所述的功率模块的制备方法,其特征在于,还包括:在进行所述半包封装或所述全包封装前,形成伸出于所述封装外壳的所述高功率器件的引脚和所述低功率器件的引脚。4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率模块的制备方法,其特征在于,在基板上形成隔离槽前,还包括:将金属基材切割为指定尺寸的板材;在所述板材的正侧依次形成绝缘层和图形化的电路布线,其中,所述隔离槽与所述电路布线之间的最小距离为100微米。5.根据权利要求4所述的功率模块的制备方法,其特征在于,在所述板材的正侧依次形成绝缘层和图形化的电路布线,具体包括以下步骤:采用氧化工艺或淀积工艺在所述板材的正侧形成氧化层,作为所述绝缘层;在所述氧化层的指定区域形成覆铜层;对所述覆铜层进行图形化刻蚀,以形成所述电路布线,所述第一区域的电路布线的指定区域用于焊接高功率器件,所述第二区域的电路布线的指定区域用于焊接低功率器件。6.根据权利要求2或3所述的功率模块的制备方法,其特征在于,还包括:对形成所述封装外壳的基板进行绝缘耐压测试、静态功耗测试和延迟时间测试中的至少一种测试。7.一种功率模块,其特征在于,包...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄德星,冯宇翔,
申请(专利权)人:广东美的制冷设备有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。