【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及受到光、特别是紫外线而产生电流的光电二极管的制造 方法及使用其而形成的光电二极管。
技术介绍
当前，伴随着臭氧层的破坏引起紫外线的照射量增加，担心阳光中 包含的紫外线对人体或环境带来的影响。一般，紫外线是指波长400nm以下的紫外线区域的无法识别的光， 分为长波紫外线(UV-A波波长约320 400nm )、中波紫外线(UV-B 波波长约280 320nm)、短波紫外线(UV-C波波长约280nm以下)， 根据这些波长区域，对人体或环境带来的影响不同，UV-A波使皮肤变 黑，到达真皮，是导致皮肤老化的原因，UV-B波使皮肤发生炎症，有 可能诱发皮肤癌，UV-C波具有强的杀菌作用，但是在臭氧层被吸收。此外，在阳光中，除了紫外线，还包含可见光和红外线，所以要求 在检测紫外线的二极管中只分离检测紫外线。为了检测所述的紫外线的强度，以往的光电二极管在由硅构成的支 撑基板上隔着嵌入氧化膜形成150nm左右的厚度的硅半导体层的SOI (Silicon On Insulator )构造的半导体晶片的使N型杂质以低浓度扩散 的硅半导体层上，N型杂质以高浓度扩散并且...
【技术保护点】
一种光电二极管的制造方法，该光电二极管具有在绝缘层上的硅半导体层上形成的将Ｐ型和Ｎ型的任意一方类型的杂质以低浓度扩散的低浓度扩散层、将Ｐ型的杂质以高浓度扩散的Ｐ型高浓度扩散层、将Ｎ型的杂质以高浓度扩散的Ｎ型高浓度扩散层， 具备隔着所述 低浓度扩散层，把所述Ｐ型高浓度扩散层和所述Ｎ型高浓度扩散层相对配置的感光元件，该光电二极管的制造方法特征在于，包括： 在所述硅半导体层的所述各扩散层的形成区域，以预定的浓度注入预定的类型的杂质后， 在所述硅半导体层上形成由具有透 光性的绝缘材料构成的绝缘材料层的步骤； 通过有选择地除去所述绝缘材料的蚀刻，在所述...
【技术特征摘要】
JP 2007-11-30 2007-3110801. 一种光电二极管的制造方法，该光电二极管具有在绝缘层上的硅半导体层上形成的将P型和N型的任意一方类型的杂质以低浓度扩散的低浓度扩散层、将P型的杂质以高浓度扩散的P型高浓度扩散层、将N型的杂质以高浓度扩散的N型高浓度扩散层，具备隔着所述低浓度扩散层，把所述P型高浓度扩散层和所述N型高浓度扩散层相对配置的感光元件，该光电二极管的制造方法特征在于，包括在所述硅半导体层的所述各扩散层的形成区域，以预定的浓度注入预定的类型的杂质后，在所述硅半导体层上形成由具有透光性的绝缘材料构成的绝缘材料层的步骤；通过有选择地除去所述绝缘材料的蚀刻，在所述绝缘材料层的所述低浓度扩散层的形成区域形成开口部的步骤；把具有所述开口部的所述绝缘材料层作为掩模，通过有选择地除去硅的蚀刻，蚀刻所述低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层，把所述低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层薄膜化为预定厚度的步骤。2. 根据权利要求l所述的光电二极管的制造方法，其特征在于在所述硅半导体层上形成所述绝缘材料层的步骤之前，具有通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：三浦规之，
申请(专利权)人：OKI半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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