一种异质结型光电探测器及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种钐掺杂氮化镓纳米线与N型石墨烯的异质结型光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。根据器件结构可以分为光电导型和结型(异质结)光电探测器。光电导性是由于光子在半导体中被吸收时，产生可移动的载流子所造成的。目前纳米半导体光电探测器大多都是基于光电导型结构，由于电极间的载流子传输时间的限制，其速度、响应时间等性能都较差。光电探测器的响应速度决定了其跟随光学信号快速转换的能力，在光波通讯及光通讯中有着极其重要的作用。较慢的响应速度将严重限制了光电探测器在光电器件集成电路中的应用。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种异质结型光电探测器及其制备方法，所要解决的技术问题是提高光电探测器的响...
【技术保护点】
一种基于钐掺杂氮化镓纳米线的异质结型光电探测器，其特征是具有如下结构：在硅基底(1)的表面覆有二氧化硅层(2)，在二氧化硅层(2)的表面分散有平铺的钐掺杂氮化镓纳米线(4)，在所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)的两端分别设置有欧姆电极(3)作为输出一极，所述欧姆电极(3)与所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)呈欧姆接触；在所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)上交叠覆有石墨烯(5)，所述石墨烯(5)位于两个欧姆电极(3)之间且与欧姆电极(3)隔离；在所述石墨烯(5)上设置有欧姆电极(6)作为另一输出极，所述欧姆电极(6)与所述石墨烯(5)呈欧姆接触且与钐掺杂氮化镓纳米线(4)和欧姆电极(3)隔离；...
【技术特征摘要】
1.一种基于钐掺杂氮化镓纳米线的异质结型光电探测器，其特征是具有如下结构：在硅基底(1)的表面覆有二氧化硅层(2)，在二氧化硅层(2)的表面分散有平铺的钐掺杂氮化镓纳米线(4)，在所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)的两端分别设置有欧姆电极(3)作为输出一极，所述欧姆电极(3)与所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)呈欧姆接触；在所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)上交叠覆有石墨烯(5)，所述石墨烯(5)位于两个欧姆电极(3)之间且与欧姆电极(3)隔离；在所述石墨烯(5)上设置有欧姆电极(6)作为另一输出极，所述欧姆电极(6)与所述石墨烯(5)呈欧姆接触且与钐掺杂氮化镓纳米线(4)和欧姆电极(3)隔离；所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)为P型钐掺杂氮化镓纳米线；所述石墨烯(5)为N型石墨烯；所述欧姆电极(3)和欧姆电极(6)为金电极。2.一种权利要求1所述的基于钐掺杂氮化镓纳米线的异质结型光电探测器的制备方法，其特征在于按如下步骤制备：将钐掺杂氮化镓纳米线(4)分散到硅基底(1)表面的二氧化硅层(2)上，随后采用紫外光刻技术在二氧化硅层(2)上光刻出一对电极图案，然后利用电子束镀膜技术蒸镀得到一对欧姆电极(3)，所述欧姆电极(3)与所述钐掺杂氮化镓纳米线(4)呈欧姆接触；将石墨烯(5)覆于二氧化硅层(2)的表面，利用紫外光刻技术在二氧化硅层(2)上光刻出与钐掺杂氮化镓纳米线(4)交叠且位于两个欧姆电极(3)之间并与欧姆电极(3)隔离的电极图案，然后利用氧等离子轰击除去电极图案以外的石墨烯得到石墨烯(5)，再利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术制备得到欧姆电极(6)，所述欧姆电极(6)与石墨烯(5)形成欧姆接触且与钐掺杂氮化镓纳米线(4)和欧姆电极(3)隔离。3.一种基于钐...
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