The invention discloses a preparation method of a photoelectric detector, which comprises the following steps: reconstruction of photosensitive surface graphics in the photodetecting structure on the surface of lithography, remove the surface of the photosensitive surface damage layer, in the reconstruction of structure formation in wide-angle photosensitive surface. The invention has the advantages that: provides a method for preparing a wide-angle, photoelectric detector is efficient and reliable, through the reconstruction on the photodetector surface, breaking the Fresnel reflection coefficient of incident angle, reduce the sensitivity to the incident wavelength, without adding additional system, with only a single photoelectric detector to achieve wide angle detection.
【技术实现步骤摘要】
光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器
本专利技术涉及一种光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器,属于半导体光电子
技术介绍
光电探测器在生物医学、数据存储媒介、火焰监测、紫外线剂量测量、高能射线探测、医疗、安检、工业探伤等领域得到广泛应用。当入射光能量大于光电探测器材料禁带宽度时,就会使得电子从价带跃迁至导带,产生电子空穴对,产生的电子空穴对被电极收集,就形成了光电流输出。量子效率是衡量光电探测器的一个最重要的性能指标之一,主要由光子入射效率、内量子效率和载流子收集效率决定。由于半导体和空气的折射率差大,相当的光被界面反射,无法进入到器件中被收集,导致器件效率降低。通常根据入射光和反射光的干涉相消原理,设计并制备增透膜,使得单一波长的垂直入射光入射效率达到95%以上。然而这种设计带来的一个问题是,当入射波长偏移设计波长,或者入射角偏离垂直方向,探测效率急剧下降。根据电磁场理论,以对于电场垂直于入射面的TE波为例,根据界面处的连续性可以推导出TE波的菲涅尔反射系数为:其中,θ0为入射角,θ1为出射角,θ0与θ1满足:其中n0为入射介质的折射率,n1为出射介质的折射率。以650nm的入射光(TE波)从空气入射至硅材料表面为例,如图1所示,可以得出TE波反射率随入射角的增加而增加,说明光子入射效率与角度有关,垂直正入射方向的光子入射效率最高。通常人们采用的增透膜,根据增透膜厚度为λ/4时对波长为λ的光透射率最高,在硅材料表面生长一层100nm的二氧化硅用于增透600nm的入射光,将100nm的二氧化硅和硅材料等效成一个界面,其导纳为Y,定义其特征 ...
【技术保护点】
一种光电探测器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤,光刻步骤,在光电探测结构(103)的上表面光刻出再构光敏面(102)的图形,去除表面损伤层步骤,将所述光电探测结构(103)置于60‑100℃,20wt%的KOH溶液中,去除位于再构光敏面(102)内的大约10μm的表面损伤层;再构步骤,将所述光电探测结构(103)置于60‑100℃,3wt%的KOH及8vol%的异丙醇混合溶液中,在再构光敏面(102)内形成广角结构,所述广角结构为所述再构光敏面(102)的规则连续截面,用以使斜入射光接触所述再构光敏面(102)后产生的反射光再次作为斜入射光进入至所述光电探测结构(103)内。
【技术特征摘要】
1.一种光电探测器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤,光刻步骤,在光电探测结构(103)的上表面光刻出再构光敏面(102)的图形,去除表面损伤层步骤,将所述光电探测结构(103)置于60-100℃,20wt%的KOH溶液中,去除位于再构光敏面(102)内的大约10μm的表面损伤层;再构步骤,将所述光电探测结构(103)置于60-100℃,3wt%的KOH及8vol%的异丙醇混合溶液中,在再构光敏面(102)内形成广角结构,所述广角结构为所述再构光敏面(102)的规则连续截面,用以使斜入射光接触所述再构光敏面(102)后产生的反射光再次作为斜入射光进入至所述光电探测结构(103)内。2.根据权利要求1所述的光电探测器的制备方法,其特征在于:所述光刻步骤中还包括使用光刻胶(104)保护再构光敏面(102)外的区域的步骤;所述再构步骤之后还包括去除保护用的光刻胶(104)的步骤。3.根据权利要求2所述的光电探测器的制备方法,其特征在于:所述去除光刻胶步骤之后还包括如下步骤,在800-1200℃的湿氧环境下正面生长50nm的SiO2,光刻并腐蚀掉再构光敏面(102)外的区域,形成钝化层(101)。4.根据权利要求1-3任一所述的光...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭霞,周弘毅,郭春威,李冲,
申请(专利权)人:苏州北鹏光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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