【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器
本专利技术涉及一种光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器，属于半导体光电子
。
技术介绍
光电探测器在生物医学、数据存储媒介、火焰监测、紫外线剂量测量、高能射线探测、医疗、安检、工业探伤等领域得到广泛应用。当入射光能量大于光电探测器材料禁带宽度时，就会使得电子从价带跃迁至导带，产生电子空穴对，产生的电子空穴对被电极收集，就形成了光电流输出。量子效率是衡量光电探测器的一个最重要的性能指标之一，主要由光子入射效率、内量子效率和载流子收集效率决定。由于半导体和空气的折射率差大，相当的光被界面反射，无法进入到器件中被收集，导致器件效率降低。通常根据入射光和反射光的干涉相消原理，设计并制备增透膜，使得单一波长的垂直入射光入射效率达到95%以上。然而这种设计带来的一个问题是，当入射波长偏移设计波长，或者入射角偏离垂直方向，探测效率急剧下降。根据电磁场理论，以对于电场垂直于入射面的TE波为例，根据界面处的连续性可以推导出TE波的菲涅尔反射系数为:
【技术保护点】
一种光电探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，过渡层制备步骤，在光电探测器结构（203）的光敏面（202）内以800‑1200℃生长一层200nm的p‑GaN，作为过渡层（204）；晶籽层制备步骤，在所述过渡层（204）上以600‑900℃生长一层50nm的p‑GaN，作为再构结构的晶籽层（205）；再构步骤，在生长完晶籽层（205）后快速升温，以950‑1200℃生长一层150nm的p‑GaN，形成再构光敏面（202）。
【技术特征摘要】
1.一种光电探测器的制备方法，其特征在于:包括如下步骤， 过渡层制备步骤，在光电探测器结构(203)的光敏面(202)内以800-1200°C生长一层200nm的ρ-GaN，作为过渡层(204)； 晶籽层制备步骤，在所述过渡层(204)上以600-900°C生长一层50nm的p_GaN，作为再构结构的晶籽层(205)； 再构步骤，在生长完晶籽层(205)后快速升温，以950-1200°C生长一层150nm的p_GaN，形成再构光敏面(202)。2.根据权利要求1所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于:所述再构步骤之后还包括钝化层制备步骤，在再构光敏面(202)上通过电子束蒸镀/溅射形成IOOnm的ITO形成钝化层(201)，所述钝化层(201)完全包覆住所述再构光敏面(202 )。3.根据权利要求1或2所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于:所述再构光敏面(102,202)的上表面为不平整表面，用以使斜入射光接触所述再构光敏面(102,202)后产生的反射光的部分再次作为斜入射光进入至所述光电探测结构(103、203)内。4.根据权利要求3所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于:所述再构光敏面(102.202)的不平整表面为规则的连续截面。5.根据权利要求4所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于:所述再构光敏面...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭霞，周弘毅，郭春威，李冲，
申请(专利权)人：苏州北鹏光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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