本实用新型揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖...

本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括如下步骤：在光电探测结构的上表面光刻出再构光敏面的图形，去除位于再构光敏面内的表面损伤层，在再构光敏面内形成广角结构。本发明的有益效果在于：提供了一种广角光电探测器的制备方法，高效可靠，通过在光...

本实用新型揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实...

一种光谱响应测试系统，包括暗盒，暗盒内具有基座，基座上设置有LED灯阵列和待测样品，待测样品位于LED灯阵列的光轴线上，其中，LED灯阵列连接有稳定电源，待测样品连接有计量器。本实用新型将传统的光谱响应测试的连续光波段改为测量单一波长的...

一种光谱响应测试系统，包括暗盒，暗盒内具有基座，基座上设置有LED灯阵列和待测样品，待测样品位于LED灯阵列的光轴线上，其中，LED灯阵列连接有稳定电源，待测样品连接有计量器。并相应的提出了基于该测试系统的测试方法，通过预热实现LED灯...

本发明揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖有增...

本发明揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实现器...

本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括如下步骤：在光电探测器结构的光敏面内生长一层p-GaN作为过渡层；在所述过渡层上生长一层p-GaN作为再构结构的晶籽层；在生长完晶籽层后快速升温生长一层p-GaN，形成再构光敏面。本发明的有益效...