等离子体蚀刻方法技术

本发明专利技术在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在２００ｎｍ以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如ＳｉＯ↓［２］膜的孔的条痕。使Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］气体、Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］气体和Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在０．１以上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用由含有碳和氟的化合物形成的气体，对基板表面 进行蚀刻的。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，有利用等离子体进行蚀刻的步骤。该 蚀刻步骤，根据应该蚀刻的膜和衬底膜的种类，设定处理气体等处理 条件。例如，为了蚀刻作为形成绝缘膜的含硅和氧的膜即SiOj莫(氧 化硅膜)和SiCOH膜(氢氧碳化硅膜)，将含有C (碳)和F (氟)的 气体等离子体化，利用CF系或CHF系的原子团，与Si02或SiCOH 反应而除去。举一个具体例子为了在作为绝缘膜的Si02膜(氧化硅 膜)上作出接触孔，利用CxFy气体(氟化碳气体)、CO气体(一氧化碳 气体)、02气(氧气)和不活泼性气体进行蚀刻(专利文献1)。作为 不活泼性气体，使用N2气作为稀释气体，但通过使用本身容易等离子 体化的Ar气，等离子体稳定，或者随着CF系气体的分离，CF系的活 性种增加，因此使用Ar气的情况也较多。然而，半导体装置日益趋向高集成化，产生各种问题。 一个问题 是，图形微细化，在作为蚀刻凹部的孔或槽中，相互邻近的器件之间 接近，而今后根据设计规则估计容量元件的埋入孔之间的间隔距离可 达200nm以下。然而，孔之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，其特征为，　使用形成有互相邻接的凹部间隔在２００ｎｍ以下的图形的抗蚀剂掩膜，并通过将包括含碳和氟的化合物形成的活性种生成用的气体，和含有氩气和氙气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，以在形成于所述抗蚀剂掩膜的凹部 的内周面不产生弯曲的方式对层叠在衬底膜上的含硅和氧的绝缘膜进行蚀刻。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-8 2003-315844;JP 2004-8-18 2004-2382501. 一种等离子体蚀刻方法，其特征为，使用形成有互相邻接的凹部间隔在200nm以下的图形的抗蚀剂掩膜，并通过将包括含碳和氟的化合物形成的活性种生成用的气体，和含有氩气和氙气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，以在形成于所述抗蚀剂掩膜的凹部的内周面不产生弯曲的方式对层叠在衬底膜上的含硅和氧的绝缘膜进行蚀刻。2. 如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征为，氙气的流 量相对于氙气和氩气的总流量的比率为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤和也，小野胜彦，水野秀树，小笠原正宏，北村彰规，小林典之，稻田靖，冈本晋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]