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本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在２００ｎｍ以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如ＳｉＯ↓［２］膜的孔的条痕。使Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］气体、Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］气体和Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气...
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