等离子体装置用部件及其制造方法制造方法及图纸

一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的最表面的氮化铝覆膜构成的、且具有通过冲击烧结法而形成的包含粒径为1μm以下的微小粒子的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件，上述基材由金属或陶瓷构成，上述等离子体装置用部件的特征在于，上述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，膜密度为90％以上，氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。根据上述构成，能够提供具有对等离子体攻击及自由基攻击具有强耐受性的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体装置用部件及其制造方法
本专利技术涉及对卤素系腐蚀性气体或等离子体的耐腐蚀性优异、可以适宜用于在半导体、液晶制造用等中被使用的等离子体处理装置的被氮化铝膜覆盖的等离子体装置用部件及其制造方法。
技术介绍
半导体制造装置中的等离子体工艺为主体的蚀刻工序、CVD成膜工序、除去抗蚀剂的灰化工序中的装置用部件被暴露于反应性高的氟、氯等卤素系腐蚀性气体。因此，对于在上述那样的工序中被暴露于卤素等离子体的部件来说，使用氧化铝、氮化铝、氧化钇、YAG等陶瓷作为构成材料。特别是陶瓷中，若考虑性能与成本的平衡，热导率高、耐腐蚀性也优异的氮化铝是优选的。作为这样的以往的陶瓷制的等离子体装置用部件，例如有专利文献1中公开的静电卡盘，在氮化铝的内部埋设有金属电极，通过使设置于晶片与内部电极之间的介电层的体积固有电阻率为108～1012Ω·cm，从而在低温度下产生提高了晶片的吸附力的所谓约翰逊-拉别克(Johnson-Rahbeck)力而使晶片吸附。然而，由于氮化铝为难烧结性材料，所以在氮化铝原料粉末中添加烧结助剂来实施烧结。烧结的机理是：通过添加烧结助剂，在晶界中产生低熔点的反应产物而发生液相化，介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的最表面的氮化铝覆膜构成的等离子体装置用部件，所述基材由金属或陶瓷构成，所述等离子体装置用部件的特征在于，所述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，膜密度为90％以上，氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.29 JP 2013-2482361.一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的表面的氮化铝覆膜构成的等离子体装置用部件，所述基材由金属或陶瓷构成，所述等离子体装置用部件的特征在于，所述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，膜密度为90％以上，氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％，当对所述氮化铝覆膜进行XRD分析时，AlN的最强峰Im相对于Al2O3的最强峰Ic之比Im/Ic为8以上。2.根据权利要求1所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述基材由将金属电极埋设在内部的陶瓷构成，在该基材上的表面具有所述氮化铝覆膜。3.根据权利要求1至2中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述氮化铝覆膜为通过冲击烧结法而形成的氮化铝覆膜。4.根据权利要求1或2所述的等离子体装置用部件，其特征在于，形成所述氮化铝覆膜的粒子整体的平均粒径为5μm以下。5.根据权利要求1或2所述的等离子体装置用部件，其特征在于，形成所述氮化铝覆膜的粒子包含粒径为1μm以下的微粒。6.根据权利要求1或2所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述氮化铝覆膜的膜厚为10～200μm并且膜密度为99％以上且100％以下。7.根据权利要求1或2所述的等离子体装置用部件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤道雄，日野高志，中谷仁，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP