株式会社东芝专利技术

株式会社东芝共有15890项专利

  • 根据1个实施方式,提供一种非水电解质电池。该非水电解质电池具备正极、负极和非水电解质。正极含有锂钴复合氧化物。负极含有锂钛复合氧化物。正极及负极满足式(1):1.25≤p/n≤1.6。其中,p是正极容量,n是负极容量。非水电解质含有至少...
  • 实施方式的电力变换装置具备:控制装置(10),使用规定的计算式计算电力变换器(100)的零相电压,将该零相电压向各相的电压指令值叠加,从而进行抑制上述电力变换器(100)的中性点电位的变动的控制。在有通过上述零相电压的叠加而符号变化的电...
  • 本发明的实施方式涉及活性物质、活性物质复合材料、电极、二次电池、电池组和车辆。具体地,本发明提供可提高电极的密度和电子传导性的活性物质、以及含有该活性物质的活性物质复合材料、电极、二次电池、电池组、和车辆。根据实施方式,提供活性物质。活...
  • 本发明涉及电极、二次电池、电池组和车辆。具体地,本发明提供可实现输出性能和寿命性能均优异的二次电池的电极、具备该电极的二次电池、电池组和车辆。根据实施方式,提供电极。电极具备集电体和活性物质含有层。活性物质含有层设置在集电体的至少一面上...
  • 本发明涉及电极、二次电池、电池组及车辆。提供快速充电及循环性能优异的电极、包含该电极的二次电池、电池组及车辆。根据实施方式,提供一种电极。电极具备活性物质含有层。活性物质含有层含有活性物质复合材料。活性物质复合材料含有活性物质和碳粒子。...
  • 本发明提供一种蓄电单元,其具有:蓄电部,其在负极层或正极层中使用氧化钨,氧化钨以单斜晶、斜方晶及立方晶中的任1种晶体结构作为主体晶体;和控制电路,其在蓄电部的充放电中,将蓄电部的每1个电池的负极与正极之间的电位差控制在能以初期状态维持成...
  • 根据实施方式,纳米金属化合物粒子在将对平均粒径为50nm以下的金属化合物的粒子通过光谱椭圆偏振法分析而得到的结果拟合成洛伦兹模型时,振子的共振频率的峰ωt为2.8eV以下。另外,优选为0.5≤ωt(eV)≤2。另外,平均粒径优选为15n...
  • 实施方式得到在导体贯通壳体的部分具备不良更少的新的构成的电子设备。实施方式的电子设备具备例如壳体和电路基板。壳体具有开口。电路基板覆盖开口,具有:在至少一部分露出于壳体外的第一面,至少一部分露出于壳体外的第一导体;在至少一部分露出于壳体...
  • 本发明提供一种陶瓷金属电路基板,其特征在于,其是在陶瓷基板的至少一个面上接合有多个金属电路板的陶瓷金属电路基板,其中,面积为100mm
  • 提供一种伴随着立体相机的摄像系统的畸变等的图像变形的能够修正的图像处理装置、驾驶辅助系统及图像处理方法。根据本实施方式,对由相机摄像的第1图像及第2图像进行图像处理的图像处理装置具备基准线配置电路、参数取得电路及图像修正处理电路。基准线...
  • 本发明提供一种在进行高动态范围合成的情况下也进行能够实现更自然的颜色配色的白平衡处理的图像处理装置、驾驶辅助装置及图像处理方法。根据实施方式,图像处理装置具备检测部、白平衡处理部和图像合成部。检测部对曝光灵敏度不同的多个图像的每一个检测...
  • 实施方式提供能够抑制信号输出的不均匀性的固体摄像装置。实施方式的固体摄像装置具备:多个像素,分别具有光电转换部,沿着第1方向排列;多个电荷检测部,对上述光电转换部的信号电荷进行电压转换;信号线,与上述多个电荷检测部共通地连接;输出电路,...
  • 实施方式提供能够进行合成图像的亮度的调整、饱和像素数及黑像素数的至少一方的调整的拍摄控制装置、拍摄装置及拍摄控制方法。根据实施方式,拍摄控制装置具备合成部及曝光时间控制部。合成部基于以第1曝光时间拍摄到的第1图像和以比第1曝光时间长的第...
  • 提供能够防止密钥信息的泄露且不使用耗费成本的闪存地安全地管理多个密钥信息的信息处理装置以及方法。信息处理装置具备:安全信息管理部及第1控制部,进行如下控制:对安全信息管理部指示加密处理以及解密处理,并且对加密后的数据进行收发,安全信息管...
  • 本发明提供一种电池安全性评价装置、电池安全性评价方法、程序、控制电路及蓄电系统。本发明的实施方式涉及电池安全性评价装置、电池安全性评价方法、程序、控制电路及蓄电系统。本发明的一实施方式通过示出充电电池当前的安全性,能够按照当前的安全性来...
  • 本公开提供光检测效率高的光检测装置。光检测装置具备:设置于半导体基板的第1主表面上的第1导电型的硅层;第1半导体层,设置于所述硅层内,是第1导电型,杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高;第2半导体层,设置于所述第1半导体层上,是第2导电型,与...
  • 本发明涉及的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1、第5、第8半导体区域、第2半导体区域、第2导电型的第3、第4、第6、第7、第9半导体区域、栅极电极、及第2电极。第1至第4半导体区域设在第1电极之上。第3半导体区域设在第1半导体区域...
  • 本发明的实施方式提供具有散热性能良好的封装的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片、散热构件和密封树脂,上述散热构件被设置于上述第1半导体芯片的一个面上且与上述第1半导体芯片连接,所述密封树脂将...
  • 本发明提供一种能够抑制在气体断路器内的流路中流动的灭弧性气体的压力损失、并且能够提高对灭弧性气体的除热性能的气体断路器。实施方式的气体断路器具有设于灭弧性气体的流路的除热单元。除热单元具备多个板状的除热部件以及保持部。多个板状的除热部件...
  • 实施方式提供能够防止读取性能的下降的磁盘装置以及读取处理方法。实施方式所涉及的磁盘装置具备:盘,其具有登记有事先检测出的不能读取的先发不良扇区的第1列表和登记后发不良扇区的第2列表;头,其对所述盘写入数据,从所述盘读取数据;和控制器,其...
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