半导体装置制造方法及图纸

技术编号：7323053 阅读：141 留言：0更新日期：2012-05-09 20:09

本发明专利技术提供一种能够使反向耐压升高的半导体装置。包括：一导电型的半导体层(100)；绝缘体层(130)；设置在绝缘体层中的半导体层(210)；设置于半导体层(210)的有源元件(20)；设置于半导体层(100)的一主面(201)的另一导电型半导体区域(112)；另一导电型半导体区域(114)，设置在半导体区域(112)内，杂质浓度比半导体区域(112)高；导电体(154)，设置于在绝缘体层(130)中设置的通孔(144)内，与半导体区域(144)连接；导电体(214)，设置在绝缘体层(130)上或其中，且是设置在导电体(154)周围，外侧端部位于半导体区域(114)外侧；导电体(192)，设置成连接导电体(154)和导电体(214)；和导电体(152、120)，设置成与半导体层(100)连接。