【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及以EL(电致发光)显示器件为代表的、通过在衬底表面上制备半导体元件(是利用半导体薄膜制备的元件,通常是薄膜晶体管)而制作的电光器件,和包括作为显示器的电光器件的电子器件(电子设备)。特别地,本专利技术涉及制备上述器件的方法。
技术介绍
近年来,在衬底上制作薄膜晶体管(此后称为“TFT”)的技术已取得长足的进步, 其应用和开发已转向有源矩阵型显示器件。因为利用多晶硅薄膜的TFT比利用非晶硅薄膜的传统TFT具有更高的场效应迁移率。因此,可以通过与像素制作在同一衬底上的驱动电路控制各像素,以前这些像素是由衬底外的驱动电路控制的。这种有源矩阵型显示器件受到关注的原因是通过在同一衬底上制作各种电路和单元可以获得各种优点,例如降低生产成本、缩小显示器件的尺寸、提高产量、降低生产量。在有源矩阵型显示器件中,每个像素都具有由TFT制作的开关单元,控制电流的驱动电压由开关单元控制,这样EL层(光发射层)发射光线。例如,美国专利5,684,365 (见已公开的日本专利申请Hei 8-234683)、或已公开的日本专利申请Hei 10-189252公开了一种EL显不器件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,水上真由美,小沼利光,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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