电光器件堆叠体制造技术

本发明专利技术提供了制造电光器件堆叠体(10)的方法，该方法包括：设置包括接触电荷注入层(12)的电光层(13)的多层结构，电荷注入层(12)包含酸性化合物(12m)；在电光层(13)上沉积抗蚀剂层(14)，抗蚀剂层(14)包含可阳离子交联的抗蚀剂材料(14m)；通过由来自电荷注入层(12)的质子(12p)而引发的交联反应来使抗蚀剂材料(14m)在与电光层(13)中的缺口(12’、13’)相邻处进行反应，由此用包含交联的抗蚀剂材料(14c)的补片(14p)来覆盖所述缺口(12’、13’)；以及去除抗蚀剂材料(14m)的没有交联的部分，其中补片(14p)被保留为布置成用于在电荷注入层(12)与后续沉积在电光层(13)和补片(14p)上的层之间提供电绝缘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及电光器件堆叠体W及用于制造电光器件堆叠体的方法和系统。
技术介绍
电光器件堆叠体是包括能够将电能转换成光（光子）能和/或将光（光子）能转 换成电能的电光层的层叠结构。典型的应用包括发光器件（LED)和光伏器件（PVD)。在电 光器件堆叠体的领域中，尤其关注有机层的使用。有机层可W提供如下优点；例如提供适用 于卷对卷巧2R)过程的柔性器件堆叠体。 在一个实施例中，有机发光二极管（OLED)包括有源层，该有源层包括夹在阳极层 与阴极层之间的发光有机分子。在对有源层施加电压时，该电压可W引起电子和空穴在有 源层中结合（复合），导致光子发射。为了制造高效器件，器件堆叠体可W包括附加层，例如 有利于空穴和/或电子注入至发射层中的电荷注入层。电荷注入层可W例如由功函数在电 极的功函数与电光层的功函数之间的材料形成。典型的电荷（空穴）注入层可W包括酸性 化合物，例如阳DOT:PSS。 专利技术人发现，电光器件的效率和/或寿命可能由于穿过电光层的漏电流而劣化。 鉴于漏电流没有引起光子发射，可W将其认为是无用电流。漏电流的一个起因可能是电荷 注入层与阴极层之间的接近和/或接触。该可能发生在电荷注入层与阴极层之间的有源层 中的缺口处，在缺口中不存在有源层和/或在缺口中有源层包括齿状物（dentures)或较薄 区域。缺口可W例如由于在电荷注入层上有源层未充分浸润（覆盖）和/或者由于在电荷 注入层中形成可W部分或完全刺穿有源层到达阴极层中的聚集体（凸起）而引起。 部分补救办法可W是增加有源层的厚度。然而，该可能导致器件的工作电压增加 和/或功率效率降低。 因此，对具有更高性能的电光器件堆叠体存在需求。具体地，对能够方便地制造该 样的器件堆叠体的方法和系统存在需求。
技术实现思路
在第一方面，提供了一种制造电光器件堆叠体的方法，该方法包括；设置接触电光 层的电荷注入层，电荷注入层包含引发剂化合物；在电光层上沉积抗蚀剂层，抗蚀剂层包含 与所述引发剂化合物反应的抗蚀剂材料；通过由来自电荷注入层的引发剂化合物而引发和 /或催化的反应来使抗蚀剂材料在与电光层中的缺口相邻处进行反应，由此形成覆盖所述 缺口的经反应的抗蚀剂材料的补片；W及去除抗蚀剂材料的没有反应的部分，其中，补片被 保留为布置成用于在电荷注入层与后续沉积在电光层和补片上的层之间提供电绝缘。[000引在第一实施方案中，提供了一种制造电光器件堆叠体的方法，该方法包括；设置包 括接触电荷注入层的电光层的多层结构，该电荷注入层包含酸性化合物；在电光层上沉积 抗蚀剂层，该抗蚀剂层包含可阳离子交联的抗蚀剂材料；通过由来自电荷注入层的质子而 引发的交联反应来在与电光层中的缺口相邻处对抗蚀剂材料进行显影，由此用包含交联的 抗蚀剂材料的补片来覆盖所述缺口；w及去除抗蚀剂材料的没有交联的部分，其中，补片被 保留为布置成用于在电荷注入层与后续沉积在电光层和补片上的层之间提供电绝缘。 本公开的方法利用了如下现象：来自电荷注入层的过剩质子可W在合适的抗蚀剂 (优选可阳离子交联的液态制剂或原材料）中引发关联。在电荷注入层的没有被电光层 覆盖或者没有充分地被电光层覆盖的区域（缺口）中，可W通过可能源自电荷注入层的质 子来使沉积在电光层上的抗蚀剂局部交联。显影之后，抗蚀剂可W在电荷注入层的先前露 出的部分上保留，并且该局部交联的抗蚀剂可W使电荷注入层与后续沉积的层（例如阴极 层）电绝缘。 许多合适的抗蚀剂可W是已知的，例如来自常规光刻工艺中使用的抗蚀剂。在光 刻过程中，负型抗蚀剂通常包括附加的光敏酸分子W在暴露于光的影响下提供用于交联反 应的质子。在本公开的过程中，由于质子可W经由在电光层中的缺口区域从电荷注入层进 入抗蚀剂层，所W附加的光敏酸分子不是必要的。实际上，在优选的实施方案中，抗蚀剂不 包含光敏酸分子，原因是光敏酸分子可能在非期望的区域中提供交联。对于可制造性，应理 解所述过程为自对准的并因此方便地实现，例如作为基于溶液的过程，其中抗蚀剂层在缺 口区域上面的部分自动成为交联工艺的目标。此外，不需要修饰电荷注入层或电光层，使得 本公开的工艺能够方便地结合到现有制造方案中。对于产品性能，可W使漏电流减小，该可 W导致提高的器件效率。另外，可W使有源层的厚度降低，其中本公开的工艺可W补救可能 的缺口和/或漏电流。因此，本公开的工艺能够方便地制造具有较高性能的电光器件堆叠 体。 应注意，US2009/0026448公开了一种在电荷注入层与有源层之间的缓冲层，该缓 冲层可通过用混合物涂覆电荷注入层得到，所述混合物包含经由通过电荷注入层引发的化 学反应而使其变得不可溶的材料。在所引用的文献中，认为可阳离子交联的层能够吸收扩 散的阳离子物质，具体为引发交联反应W形成不溶解的层的质子。缓冲层当作防止质子扩 散至有源层中的阻挡物。另一方面，在本公开的工艺中，可阳离子交联的抗蚀剂材料施加在 有源层的顶部上，而非在有源层与电荷注入层之间。此外，在本公开的工艺中，交联的抗蚀 剂形成电绝缘补片，而非电传导的中间层。 在第二实施方案中，提供了一种制造电光器件堆叠体的方法，该方法包括；设置具 有包含可自由基聚合的抗蚀剂材料的电极的基底，并且在基底和电极之上设置包括电光层 的多层结构；在电光层上沉积抗蚀剂层；通过由来自电极的氧化材料的自由基而引发的自 由基聚合反应来在与电光层中的缺口相邻处对抗蚀剂材料进行显影，由此用包含聚合的抗 蚀剂材料的补片来覆盖所述缺口；W及去除抗蚀剂材料的没有聚合的部分，其中，补片被保 留为布置成用于在电荷注入层与后续沉积在电光层和补片上的层之间提供电绝缘。 根据第二实施方案的方法可W具有与根据第一实施方案的方法类似的优点。根 据第二实施方案的方法利用了来自氧化电极的自由基可W在合适的抗蚀剂中引发交联的 现象。可W用抗蚀剂覆盖电光层。电极的没有或没有充分地被电光层覆盖的部分（缺口） 可W借助可W源自电极的自由基来在抗蚀剂中引发交联。显影之后，抗蚀剂可W在电极的 先前露出的部分上保留，并且该局部交联的抗蚀剂可W使电极电绝缘于后续沉积的层（例 如阴极层）。用于该工艺的合适的抗蚀剂可W包括例如可自由基聚合的分子。对于可制造 性，应理解所述工艺为自对准的并因此方便地实现，例如作为基于溶液的工艺，其中抗蚀剂 层的在缺口区域相邻的部分自动成为交联工艺的目标。此外，不需要修饰电极或电光层，使 得本公开的工艺方便地合并至现有制造方案中。对于产品性能，可W使漏电流减小，该可W 引起增加的器件效率和/或寿命。另外，可W使有源层的厚度降低，其中本公开的工艺可W 补救可能的缺口和/或漏电流。因此，本公开的工艺能够方便地制造具有较高性能和/或 寿命的电光器件堆叠体。 在第二方面，提供了一种用于制造电光器件堆叠体的系统，该系统包括；供应系 统；抗蚀剂层沉积装置；抗蚀剂层去除装置；W及控制器。该控制器被布置成用于控制供应 系统W设置包括接触电荷注入层的电光层的多层结构，电荷注入层包含酸性化合物；控制 器还被布置成用于控制抗蚀剂层沉积装置W用于在电光层上沉积抗蚀剂层，抗蚀剂层包含 可阳离子交联的抗蚀剂材料；控制器还被布置成用于控制器件堆叠体W用于通过由来自电 荷注入层（12)的质子（12p)而引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造电光器件堆叠体(10)的方法，所述方法包括：‑提供接触电光层(13)的电荷注入层(12)，所述电荷注入层(12)包含引发剂化合物(12p、16)；‑在所述电光层(13)上沉积抗蚀剂层(14)，所述抗蚀剂层(14)包含与所述引发剂化合物(12p、16)反应的抗蚀剂材料(14m)；‑通过由来自所述电荷注入层(12)的所述引发剂化合物(12p、16)而引发和/或催化的反应来使所述抗蚀剂材料(14m)在与所述电光层(13)中的缺口相邻处进行反应，由此形成覆盖所述缺口的经反应的抗蚀剂材料的补片(14p)；以及‑去除所述抗蚀剂材料的没有反应的部分，其中，所述补片(14p)被保留为布置成用于在所述电荷注入层(12)与后续沉积在所述电光层(13)和所述补片(14p)上的层(15)之间提供电绝缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾斯珀·约斯特·迈克尔，保卢斯·威廉默斯·玛丽亚·布洛姆，乔治·托马斯·雅各布·格茨，
申请(专利权)人：荷兰应用自然科学研究组织TNO，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL