本实用新型专利技术公开了一种D型微细光纤光栅的电光调制器，属于光纤通信，光网络，电光器件领域。这种电光调制器用LiNbO3晶片(3)作基底并在其上表面镀有类平面电极(4)，D型微细光纤光栅(1)在电极(4)两极之间。在电极(4)上外加电信号(6)可实现调制。本实用新型专利技术是一种全光纤型的LiNbO3电光调制器，其调制特性与一般LiNbO3电光调制器相似，可适合各种电光调制器应用领域。本实用新型专利技术还具有制作工艺相对简单、灵活，能够很好与传输系统光纤匹配，体积相对较小、质量轻、结构简洁等优点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种D型微细光纤光栅的电光调制器，属于光纤通信，光网络，电光器件领域。
技术介绍
在对调制速率和调制带宽的高要求下，各种类型调制器的研究日益增多，其中最常见的是电光强度调制器。电光强度调制器的基本原理是用载有需传输的数据编码或模拟电信号控制光波的通断或其强弱，从而将本地数据信息加载到光波上并输出到传输系统中。现已商业化的电光强度调制器基本都为铌酸锂(LiNbO3)电光调制器，其结构多为MZ型平面波导结构，它可应用于相干光通信、高速相控阵雷达、CATV及电流测量等广泛领域。在LiNbO3电光调制器的研制中，还出现了全光纤LiNbO3型电光调制器，其中光纤部分由LiNbO^as体制成，横截面为矩形，这使其器件仍需考虑器件本身和传输系统光纤的连接，它不是一个真正意义上的全光纤器件。本技术涉及一种D型微细光纤光栅的LiNbO3电光调制器，其光纤波导结构部分为由普通光纤加工制作而成的D型微细光纤光栅，同传输系统光纤有天然的匹配，器件同传输系统光纤的连接等问题基本可忽略；另外采用D型结构，相比于普通微细光纤光栅可增加与调制用LiNbO3晶片之间的接触面积，使消逝场可更多的进入LiNbO3基底中而得到更高灵敏度、更好调制效果的电光调制器。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对目前LiNbO3电光调制器主要是MZ型平面波导结构，并未实现全光纤电光调制这一问题而提出的。本技术解决技术问题所采用的技术方案如下:宽度为I到4厘米，长度为5厘米的LiNbO3晶片3是基底和调制材料。在LiNbO 3晶片3上表面有一对称的类共面电极4,两端有一定长度普通光纤2的D型微细光纤光栅I直线面5被紧贴在该类共面电极4的两电极之间、拉直并固定两端，其中D型微细光纤光栅I是按要求制作的，其半径为50nm，D型部分长度为I到4厘米。在电极4上外加电信号6实现调制。其中，LiNbO3晶片的切向可以是Z切向也可以是X切向山型微细光纤光栅中的光纤光栅可以是长周期光纤光栅或是布拉格光纤光栅。本技术的有益效果如下:本技术使用D型微细光纤光栅结合LiNbO^aH体基底来制作电光调制器，实现了全光纤LiNbO3电光调制。本技术其制作工艺相对简单，灵活，能够很好的与传输系统光纤匹配，连接损耗小；体积相对较小、质量轻、结构简洁，有利于器件集成的进一步发展。本技术具有通常电光调制器的调制特性，可应用到一般所需电光调制器的各个领域中。【附图说明】图1为D型微细光纤光栅电光调制器俯视图。图2为图1的A-A剖面图。【具体实施方式】下面结合附图对此技术进一步说明。实施例一，对于D型微细光纤光栅的电光调制器,其米用的技术方案如下:一种D型微细光纤光栅LiNb03i光调制器包括宽度为I厘米，长度为5厘米的LiNbO3晶片3用作基底和调制材料，其LiNbO3晶片切向选择X切向。在LiNbO3晶片3上表面有一对称的类共面电极4,两端有一定长度普通光纤2的D型微细光纤光栅I的直线面5被紧贴在该类共面电极4的两极之间、拉直并固定两端，其中D型微细光纤光栅I是按要求制作的，其半径为50nm，D型部分长度为I厘米，光纤光栅类型为光纤布拉格光栅，其光栅周期为534.5nm。在电极4上外加电信号6实现调制。实施例二，对于D型微细光纤光栅的电光调制器,其米用的技术方案如下:一种D型微细光纤光栅LiNb03i光调制器包括宽度为1.5厘米，长度为5厘米的LiNbO3晶片3作基底和调制材料，其LiNbO 3晶片切向选择X切向。在LiNbO 3晶片3上表面有一对称的类共面电极4,两端有一定长度普通光纤2的D型微细光纤光栅I的直线面5被紧贴在该类共面电极4的两极之间、拉直并固定两端，其中D型微细光纤光栅I是按要求制作的，其半径为50nm,D型部分长度为1.5厘米,光纤光栅类型为光纤布拉格光栅,其光栅周期为534.5nm。在电极4上外加电信号6实现调制。实施例三与实施例一和实施例二的区别如下:做基底和调制材料的LiNbO3晶片3宽度为4厘米，长度为5厘米，切向选Z切向。在对称类共面电极4两极之间的D型微细光纤光栅I的D型部分长度为4厘米，并选择光纤长周期光纤光栅，其光栅周期为450um。【主权项】1.一种D型微细光纤光栅的电光调制器,其特征在于: 宽度为I到4厘米，长度为5厘米的LiNbO3晶片⑶是基底和调制材料；在LiNbO 3晶片(3)上表面有一对称的类共面电极(4),两端有一定长度普通光纤(2)的D型微细光纤光栅(I)直线面(5)被紧贴在该类共面电极(4)的两极之间、拉直并固定两端，其中D型微细光纤光栅(I)是按要求制作的，其半径为50nm，D型部分长度为I到4厘米；电极(4)上外加电信号(6)实现调制。2.根据权利要求1所述的一种D型微细光纤光栅的电光调制器,其特征在于，LiNbO3晶片可任取为X切向或是为Z切向。3.根据权利要求1所述的一种D型微细光纤光栅的电光调制器,其特征在于,D型微细光纤光栅中的光纤光栅可以是长周期光纤光栅或是布拉格光纤光栅。【专利摘要】本技术公开了一种D型微细光纤光栅的电光调制器，属于光纤通信，光网络，电光器件领域。这种电光调制器用LiNbO3晶片(3)作基底并在其上表面镀有类平面电极(4)，D型微细光纤光栅(1)在电极(4)两极之间。在电极(4)上外加电信号(6)可实现调制。本技术是一种全光纤型的LiNbO3电光调制器，其调制特性与一般LiNbO3电光调制器相似，可适合各种电光调制器应用领域。本技术还具有制作工艺相对简单、灵活，能够很好与传输系统光纤匹配，体积相对较小、质量轻、结构简洁等优点。【IPC分类】G02F1-035【公开号】CN204269974【申请号】CN201420835868【专利技术人】翁思俊, 裴丽, 王建帅, 王一群, 刘超 【申请人】北京交通大学【公开日】2015年4月15日【申请日】2014年12月25日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种D型微细光纤光栅的电光调制器，其特征在于：宽度为1到4厘米，长度为5厘米的LiNbO3晶片(3)是基底和调制材料；在LiNbO3晶片(3)上表面有一对称的类共面电极(4)，两端有一定长度普通光纤(2)的D型微细光纤光栅(1)直线面(5)被紧贴在该类共面电极(4)的两极之间、拉直并固定两端，其中D型微细光纤光栅(1)是按要求制作的，其半径为50nm，D型部分长度为1到4厘米；电极(4)上外加电信号(6)实现调制。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：翁思俊，裴丽，王建帅，王一群，刘超，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：新型
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。