【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电光器件的活性材料和电光器件本申请要求2011年3月29日提交的美国临时申请第61/468,904号和2011年6月24日提交的美国临时申请第61/500,832号的优先权。这两篇申请的内容均通过引用全文并入本文。本专利技术是在美国国家科学基金会授予的批准号0822573 ;美国海军研究局授予的批准号N00014-04-1-0434 ;美国空军科学研究局授予的批准号FA9550-09-1-0610的政府支持下进行的。在本专利技术中,政府孚有一定权利。背景
本专利技术的实施方案涉及用于电光器件的活性材料及使用所述材料的电光器件;并且更具体地,涉及作为用于电光器件的活性层材料的共轭聚合物和具有共轭聚合物活性层的电光器件。
技术介绍
本文所引用的所有參考文件的内容,包括文章、公开的专利申请和专利,通过引用并入本文。有机光伏(OPV)器件对于低成本、易弯曲、轻重量、大面积的能量生成应用来说是非常有前景的。(Cheng等人,Chem.Rev.,第109卷,第5868页,2009;Coakley等人,Chem.Mater.,第 16 卷,第 4533 页,2004; Brabec 等人,Adv.Fund.Mater.,第 11 卷,第15页,2001)。关于设计新的材料(Boudreault等人,Chem.Mater.,第23卷,第456页,2011)、器件结构(Yu等人,Science,第270卷,第1789页,1995)和加工技术(Padinger等人,Adv.Fund.Mater.,第 13 卷,第 85 页,2003; Li 等人,Nat.Mate ...
【技术保护点】
一种反向串联聚合物光伏器件,其包括:空穴抽取电极;与所述空穴抽取电极间隔开的电子抽取电极;第一本体异质结聚合物半导体层;与所述第一本体异质结聚合物半导体层间隔开的第二本体异质结聚合物半导体层;和在所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层之间,与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的一个物理连接的p?型层和与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的另一个物理连接的n?型层;其中所述p?型层和所述n?型层中的至少一个以电荷隧穿所述p?型和/或n?型层的程度掺杂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.29 US 61/468,904;2011.06.24 US 61/500,8321.一种反向串联聚合物光伏器件,其包括: 空穴抽取电极; 与所述空穴抽取电极间隔开的电子抽取电极; 第一本体异质结聚合物半导体层; 与所述第一本体异质结聚合物半导体层间隔开的第二本体异质结聚合物半导体层;和 在所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层之间,与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的一个物理连接的P-型层和与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的另一个物理连接的n-型层; 其中所述P-型层和所述n-型层中的至少一个以电荷隧穿所述P-型和/或n-型层的程度掺杂。2.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述电子抽取电极是透明的。3.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型层比所述n-型层更接近所述电子抽取电极。4.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型层与所述n-型层物理接触。5.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型层以空穴隧穿所掺杂的P-型层的程度掺杂。6.如权利要求5所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型层用聚(苯乙烯磺酸)、FeCl3、I2*H202 掺杂。7.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述n-型层以电子隧穿所述n-型层的程度掺杂。8.如权利要求7所述的串联聚合物光伏器件,其中所述n-型层用低功函金属,Na、L1、Al,低功函氟化物,LiF, CsF,低功函盐或Cs2CO3掺杂9.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型层和所述n-型层都以载流子隧穿所掺杂的两个层的程度掺杂。10.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述n-型层包括n型金属氧化物。11.如权利要求8所述的串联聚合物光伏器件,其中所述n-型金属氧化物选自由ZnO、ZnOx、Ti02、TiOx及其组合组成的组。12.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型包括P-型金属氧化物。13.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述p型金属氧化物选自由Mo03、MoOx> V2O5> VOx> W03、WOx、NiO、NiOx、氧化石墨烯及其组合组成的组。14.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型层是p型聚合物层。15.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述P-型层是用聚(苯乙烯磺酸)掺杂的PEDOT。16.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述n-型层是Zn0.17.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其还包括在所述电子抽取电极和所述第一本体异质结聚合物半导体层或所述第二本体异质结聚合物半导体层之间的电子传输层18.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其还包括在所述空穴抽取电极和所述第一本体异质结聚合物半导体层或所述第二本体异质结聚合物半导体层之间的空穴传输层。19.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件,其中所述第一本体异质结聚合物半导体层比所述第二本体异质结聚合物半导体层更接近所述透明电极。20.如权利要求19所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨阳,窦乐天,尤京璧,
申请(专利权)人:加利福尼亚大学董事会,
类型:
国别省市:
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