制作电光器件的方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个ＥＬ层；以及在所述ＥＬ层上形成一个阴极。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电光器件，典型地是一种通过在衬底上制作半导体元件(一种使用半导体薄膜的元件)而形成的电致发光(EL)显示器，并且涉及将此电光器件作为显示器(又称作显示部分)的电子设备(电子装置)。特别地，本专利技术涉及电光器件的制作方法。
技术介绍
近年来，在衬底上形成TFT的技术得到了广泛地发展，且有源矩阵型显示器应用的开发也正在取得进步。特别是利用多晶硅膜的TFT较之利用传统非晶硅膜的TFT具有较高的电场效应迁移率(也称作是迁移率)，因此可以高速运行。结果，可以由与象素形成于同一衬底上的驱动器电路来进行常规由衬底外部的驱动器电路进行的象素控制。此类有源矩阵显示器在同一衬底上包含有各种不同的电路和元件而具有许多优点如制作成本低、尺寸小、产量高及生产率高，所以此类有源矩阵显示器业已受到瞩目。在有源矩阵显示器中由TFT形成用于每一象素的开关元件，由利用此开关元件的驱动器设备来进行电流控制，并制成用来发光的EL层(电致发光层)。例如在US专利5,684,364(日本专利申请公开号8-234683)和日本专利申请公开号平10-189252中公开了目前典型的一种象素结构。在这些EL显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极 上形成一个ＥＬ层；以及在所述ＥＬ层上形成一个阴极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小山润，山本一宇，小沼利光，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]