OLED器件的制作方法及OLED器件技术

本发明专利技术提供一种OLED器件的制作方法及OLED器件，该方法包括以下步骤：在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。本发明专利技术具有提高生产效率，提高产品良率的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，特别是涉及一种OLED器件的制作方法及OLED器件。
技术介绍
OLED显示器具有亮度高、响应快、能耗低、可弯曲等许多优点，被广泛认可为下一代显示技术的焦点。OLED与TFT-LCD相比，最大的优势就是可制备大尺寸、超薄、柔性和透明显示器件。制备透明OLED显示器需要解决透明电极的问题，透明电极材料既要求有较高的导电性，还要有较高的透过率。目前使用的透明电极材料主要是ITO，由于蒸镀的有机薄膜较薄，而ITO通常采用物理气相沉淀法溅射制备，溅射的功率过高会对有机发光层造成破坏，溅射的功率太低则成膜时间太长，降低了生产效率。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED器件的制作方法及OLED器件。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种OLED器件的制作方法，包括以下步骤：在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。在本专利技术实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接的步骤包括：在真空条件下将第一基板以及第二基板进行正对压合，从而使得第一电子胶层与第二电子胶层贴合并粘结。在本专利技术实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层的步骤包括：在第一基板上设置TFT阵列层；在TFT阵列层上设置阴极电极层；在阴极电极层上设置电子传输层；在电子传输层上设置发光层；在发光层上设置空穴传输层。在本专利技术实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层的步骤包括：在第二基板上设置阻挡层；在阻挡层上设置阳极电极层；在阳极电极层上设置空穴注入层。在本专利技术实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述第一电子胶层以及第二电子胶层均采用山梨醇。在本专利技术实施例所述的OLED器件的制作方法中，采用蒸镀或旋涂的工艺，在空穴传输层上形成第一电子胶层。在本专利技术实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述在空穴注入层上形成第二电子胶层的步骤包括：采用蒸镀或旋涂的工艺，在空穴注入层上形成第二电子胶层。本专利技术还提供了一种OLED器件，包括：第一基板以及依次设置于所述第一基板上的TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及第一电子胶层；第二基板以及依次设置于所述第二基板上的阻挡层、阳极电极层以及空穴注入层；所述第一电子胶层以及第二电子胶层贴合并粘结。在本专利技术实施例所述的OLED器件中，所述第一电子胶层以及第二电子胶层均采用山梨醇。在本专利技术实施例所述的OLED器件中，所述阳极电极层以及阴极电极层均采用氧化铟锡。由上可知，本专利技术实施例中采用在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接；从而实现该OLED器件的制成，由于在本实施例中，采用将该OLED器件分成两部分来分别制作，然后用电子胶层来粘结，具有加快生成效率的有益效果，并且，由于生产过程中，该阳极电极层与该发光层是分开制作的，可以避免物理气相沉淀形成该阳极电极层时溅射对该发光层的破坏，提高了产品良率。附图说明图1是本专利技术一优选实施例中的OLED器件的制作方法流程图。图2是本专利技术图1所示实施例中的OLED器件的局部结构示意图。图3是本专利技术图1所示实施例中的OLED器件的另一局部结构示意图。图4是本专利技术一优选实施例中的OLED器件的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的模块是以相同标号表示。请参照图1，该OLED器件的制作方法，包括以下步骤：S101、在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；S102、在空穴传输层上形成第一电子胶层；S103、在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；S104、在空穴注入层上形成第二电子胶层；S105、将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。下面对该OLED器件的制作方法的各个步骤进行详细说明。其中，该步骤S101执行完再执行步骤S102，该步骤S103执行完再执行步骤S104，而该步骤S101与步骤S103可以同步执行，也可以以任意先后顺序执行。参照图2，在该步骤S101中，其包括以下子步骤：S1011、在第一基板上设置TFT阵列层；在该步骤中，该第一基板11可以为柔性基板，TFT阵列层12包括多个薄膜晶体管。S1012、在TFT阵列层上设置阴极电极层；在该步骤中，采用物理气象沉淀法在该TFT阵列层12上沉淀形成阴极电极层13，其中该阴极电极层13采用透明材料，例如，采用N型氧化物半导体-氧化铟锡ITO。S1013、在阴极电极层13上设置电子传输层14；在该步骤中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该阴极电极层13上形成电子传输层14。S1014、在电子传输层上设置发光层；在该步骤中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该电子传输层14上形成发光层15。该发光层15为有机发光层。S1015、在发光层上设置空穴传输层。在该步骤中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该发光层15上形成空穴传输层16。在该步骤S102中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该空穴传输层16上形成第一电子胶层17。其中，该第一电子胶层17具有高透明和高载流子迁移率的性能，该第一电子胶层17可以采用山梨醇。参照图3，在该步骤S103中，其包括以下子步骤：S1031、在第二基板上设置阻挡层；在该步骤中，该第二基板22可以为柔性基板。该阻挡层21为水氧阻隔性能较好的无机材料沉积形成，例如可以为SiNx、SiO2等。S1032、在阻挡层上设置阳极电极层；在该步骤中，采用物理气象沉淀法在该阻挡层21上沉淀形成阳极电极层20，其中该阳极电极层20采用透明材料，例如，采用N型氧化物半导体-氧化铟锡ITO。S1033、在阳极电极层上设置空穴注入层。在该步骤中，可以通过通过蒸镀、旋涂等方式来形成空穴注入层19。在该步骤S104中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该空穴注入层上形成第二电子胶层。其中，该第二电子胶层18具有高透明和高载流子迁移率的性能，该第二电子胶层18可以采用山梨醇。在该步骤S105中，具体实施时，在真空条件下将第一基板11以及第二基板18进行正对压合，从而使得第一电子胶层17与第二电子胶层18贴合并粘结；然后使用高于第一电子胶层17以及第二电子胶层18熔点的温度进行烘烤1～5min，冷却后即可完成该OLED器件的制作。由上可知，本专利技术实施例中采用在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。2.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接的步骤包括：在真空条件下将第一基板以及第二基板进行正对压合，从而使得第一电子胶层与第二电子胶层贴合并粘结。3.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，所述在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层的步骤包括：在第一基板上设置TFT阵列层；在TFT阵列层上设置阴极电极层；在阴极电极层上设置电子传输层；在电子传输层上设置发光层；在发光层上设置空穴传输层。4.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层的步骤包括：在第二基板上设置阻挡层；在阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐超，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42