本公开涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。提供一种用于TFE的工艺配件。所述工艺配件是包括窗口、平行于窗口的掩模和框架的组件。所述工艺配件进一步包括用于使工艺气体流进所述窗口与所述掩模之间的容积的入口通道、用于将流出物气体泵送离开所述窗口与所述掩模之间的容积的出口通道，以及用于禁止工艺气体与流出物气体流动到不期望的位置的密封件。提供一种执行TFE的方法，所述方法包括将基板放置在上述工艺配件的掩模下方、使工艺气体流入所述工艺配件内，以及借助处理腔室内的能量源将工艺气体中的一些气体激活成反应物种。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景
本公开的实施例总体上涉及一种用于处理大面积基板的设备。更具体地，本公开的实施例涉及一种用于装置制造的原子层沉积(ALD)系统和用于所述系统的喷淋头(showerhead)的原位清洁方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)用于显示信息的电视屏幕、计算机监视器、移动电话、其他手持装置等的制造。典型的OLED可包括位于两个电极之间的有机材料层，以形成具有可被单独通电的像素的矩阵显示器面板的方式将这两个电极全部沉积在基板上。OLED通常被放置在两块玻璃面板之间，且玻璃面板的边缘被密封以在其中封装OLED。OLED产业以及利用基板处理技术的其他产业必须封装湿敏(moisture-sensitive)装置以保护它们免受环境湿气暴露。已提出一种薄的共形的材料层作为减少穿透封装层的水蒸气透过率(WVTR)的手段。近来，存在已在商业上完成的数个方式。使用ALD工艺来覆盖湿敏装置正被考虑以确定这些涂层的共形性质是否比其他涂层提供更有效的湿气阻挡层。ALD基于原子层外延(ALE)并采用化学吸附技术以在连续的循环中将前体分子输送在基板表面上。此循环使基板表面暴露于第一前体，并且然后暴露于第二前体。可选择地，可在这些前体的引入之间引入净化气体。第一前体与第二前体反应以形成一产物化合物，作为基板表面上的膜。重复此循环以形成层达期望的厚度。执行ALD的一种方法是通过前体气体的时间分离的(Time-Separated,TS)脉冲。此方法比其他方法具有若干优势，然而TS-ALD的一个缺点在于暴露于前体的每一个表面(例如腔室的内部)将被沉积物涂覆。如果未定期地移除这些沉积物，它们最终将趋向于剥落并脱落，从而导致留在基板上的颗粒并且因而导致所沉积的层的降低的湿气阻挡层性能。如果没有有效的方式来从腔室表面原位地清洁不期望的沉积物，则必须移除那些腔室表面以便“离线(off-line)”清洁。如果腔室必须被打开以完成移除并替换腔室表面以便清洁，则必须破坏腔室中的真空(例如使腔室处于大气压力)，而此真空的破坏将导致过多的腔室停机时间(down-time)。因此，对于以最小的停机时间来允许移除并清洁将积累外来沉积物的腔室的主要关键元件的处理腔室具有需求。
技术实现思路
提供一种在ALD腔室中使用的工艺配件。工艺配件总体上包括窗口、平行于所述窗口设置的掩模，以及与所述窗口和掩模连接的框架。框架有至少一个入口通道，所述至少一个入口通道将框架的第一外表面与框架的第一内表面连接，其中所述第一内表面在所述窗口与所述掩模之间。所述框架还具有至少一个出口通道，所述至少一个出口通道将所述框架的第二外表面与所述框架的第二内表面连接，其中所述框架的第二内表面在所述窗口与所述掩模之间。在另一个实施例中，提供一种用于执行ALD的处理系统。此处理系统总体上包括ALD处理腔室，其中将所述ALD处理腔室内的压力维持在1托(torr)或更小，且所述ALD处理腔室具有第一狭缝阀开口，所述第一狭缝阀开口配置成允许工艺配件通过此第一狭缝阀开口。此处理系统进一步包括第一狭缝阀、入口歧管、出口歧管以及一个或多个差动泵和净化组件，所述第一狭缝阀可操作来打开和关闭ALD处理腔室的第一狭缝阀开口，其中第一狭缝阀可操作来在被关闭时作出气密密封，所述入口歧管可操作来抵压工艺配件的密封件并且能够使气体流到工艺配件的入口通道，所述出口歧管可操作来抵压工艺配件的密封件并且能够使气体从工艺配件的出口通道流出，所述一个或多个差动泵和净化组件可操作来抵压工艺配件的密封件并且泵送气体离开工艺配件。在另一个实施例中，提供一种用于执行ALD的方法。此方法总体上包括以下步骤：将基板和工艺配件定位在ALD处理腔室内，其中所述工艺配件包括窗口、平行于所述窗口设置的掩模以及与所述窗口和所述掩模连接的框架。所述框架有至少一个入口通道，所述至少一个入口通道将所述框架的第一外表面与所述框架的第一内表面相连接，其中所述第一内表面在所述窗口与所述掩模之间。所述框架还具有至少一个出口通道，所述至少一个出口通道将所述框架的第二外表面与所述框架的第二内表面相连接，其中所述框架的第二内表面在所述窗口与所述掩模之间。将工艺配件定位在ALD处理腔室内的步骤总体上包括使工艺配件的入口通道的开口周围的密封件抵压ALD处理腔室的入口歧管、使工艺配件的出口通道的开口周围的密封件抵压ALD处理腔室的出口歧管，以及使工艺配件的其他密封件抵压ALD处理腔室的差动泵和净化组件。此方法进一步包括使工艺气体经由所述入口歧管流到工艺配件中并且流出物气体经由所述出口歧管泵送流出物气体离开工艺配件。附图说明因此，为了能详细地理解本公开的上述特征的方式，可参考多个实施例得出以上简要概述的本专利技术的更具体的描述，并且在附图中示出实施例中的一些。然而应注意，所附附图仅示出本公开的典型实施例，并且因此不应视为本公开范围的限制，因为本公开可允许其他等效的实施例。图1描绘根据本公开的特定方面的示例性处理系统。图2描绘根据本公开的特定方面的用于ALD的示例性腔室的侧视图。图3描绘根据本公开的特定方面的用于ALD的示例性腔室的前视图。图4A和4B描绘根据本公开的各方面的处理腔室内的工艺配件。图5描绘根据本公开的各方面的工艺配件。图6A、6B和6C示出根据本公开的各方面的处理腔室中的工艺配件和基板的位置。图7描绘根据本公开的特定方面的用于ALD的示例性腔室的前视图。图8描绘根据本公开的各方面的工艺配件。为了便于理解，在可能的情况下已使用相同的参考标号来标出附图中共有的相同元件。构想到，在一个实施例中公开的元件可有益地用于其他实施例中而无需详述。具体实施方式本公开的实施例包括处理系统，所述处理系统可操作来在基板上沉积多个层，所述多个层能够充当形成在基板上的OLED上的封装层。此系统包括多个处理腔室，每一个处理腔室可操作来沉积所述多个层中的一层或多层。处理系统进一步包括至少一个传送腔室以及至少一个负载锁定(loadlock)腔室。此至少一个传送腔室能够在不破坏处理系统中的真空的情况下在多个处理腔室之间传送基板。此至少一个负载锁定腔室能够在不破坏处理系统中的真空的情况下装载基板以及从处理系统中移除基板。处理系统进一步包括掩模腔室，所述掩模腔室能够在不破坏处理系统中的真空的情况下装载和移除在处理腔室中使用的掩模。本公开的实施例包括化学气相沉积(CVD)处理腔室，所述化学气相沉积处理腔室可操作来相对于基板对准掩模，将掩模定位在基板上，并执行CVD以在形成在基板上的OLED上沉积封装层。在CVD处理腔室中执行的CVD工艺可以是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，但本文所描述的实施例可与其他类型的处理腔室一起使用并且不限于与PECVD处理腔室一起使用。由CVD处理腔室沉积的封装层可包括氮化硅SiN，但本文所描述的实施例可与其他类型的处理腔室一起使用并且不限于与SiNCVD处理腔室一起使用。本公开的实施例包括原子层沉积(ALD)处理腔室，所述原子层沉积处理腔室可操作来相对于基板对准掩模，将掩模定位在基板上，并执行ALD以在形成在基板上的OLED上沉积封装层。在ALD处理腔室中执行的ALD工艺可以是时间分离的ALD(TS-ALD)，但本文本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在原子层沉积(ALD)腔室中使用的工艺配件，所述工艺配件包括：窗口；掩模，平行于所述窗口设置；以及框架，与所述窗口和所述掩模连接，其中所述框架具有至少一个入口通道，所述至少一个入口通道将所述框架的第一外表面与所述框架的第一内表面相连接，所述第一内表面位于所述窗口与所述掩模之间，并且其中所述框具有至少一个出口通道，所述至少一个出口通道将所述框架的第二外表面与所述框架的第二内表面相连接，所述框架的所述第二内表面位于所述窗口与所述掩模之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.21 US 61/929,786;2014.11.05 US 62/075,794;1.一种在原子层沉积(ALD)腔室中使用的工艺配件，所述工艺配件包括：窗口；掩模，平行于所述窗口设置；以及框架，与所述窗口和所述掩模连接，其中所述框架具有至少一个入口通道，所述至少一个入口通道将所述框架的第一外表面与所述框架的第一内表面相连接，所述第一内表面位于所述窗口与所述掩模之间，并且其中所述框具有至少一个出口通道，所述至少一个出口通道将所述框架的第二外表面与所述框架的第二内表面相连接，所述框架的所述第二内表面位于所述窗口与所述掩模之间。2.如权利要求1所述的工艺配件，其中所述窗口包括石英。3.如权利要求1所述的工艺配件，其中所述掩模包括不变钢。4.如权利要求1所述的工艺配件，其中所述框架包括上构件、窗口夹紧构件、中间构件以及下构件，所述下构件与所述掩模连接，其中所述窗口被固持在所述窗口夹紧构件与所述上构件之间，所述上构件与所述中间构件连接，且所述中间构件与所述下构件连接。5.如权利要求4所述的工艺配件，其中所述上构件包括窗口密封件，且所述窗口被固持在所述窗口密封件与所述窗口夹紧构件之间。6.如权利要求1所述的工艺配件，其中进入所述至少一个入口通道的所述第一外表面上的开口是狭缝形的。7.如权利要求1所述的工艺配件，其中进入所述至少一个出口通道的所述第二外表面上的开口是狭缝形的。8.如权利要求1所述的工艺配件，进一步包括：所述框架的所述第一外表...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，J·库德拉，J·M·怀特，D·哈斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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