【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种SOI器件及其制备方法。
技术介绍
SOI(silicon-on-insulator)指的是绝缘层上的硅，它是由“硅薄膜/绝缘层/硅衬底”三层构成。最上面的硅薄膜(简称硅膜)用来做CMOS等半导体器件，中间绝缘埋层(通常为二氧化硅，简称埋氧层、BOX层)用来隔离器件和硅衬底。SOI器件比体硅器件具有寄生电容小、漏电低以及软错误发生几率低等特点，因此在半导体领域的应用越来越广泛，但是由于SOI器件中的埋氧层较厚，因此很难应用体区偏置效应进行器件性能的调节。因此，如何折中器件的体区偏置效应和耐软错误性成为本领域技术人员致力研究的方向。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开一种SOI器件及其制备方法，以克服现有技术中由于SOI器件中的埋氧层较厚，因此很难应用体区偏置效应进行器件性能的调节的问题。为了实现上述目的，本申请记载了一种SOI器件，其中，包括：SOI衬底；埋氧层，嵌入设置于所述SOI衬底中；源极区和漏极区，设置在位于所述埋氧层上方的所述SOI衬底中；沟道区，设置在所述源极区与所述漏极区之间的衬底中；其中，位于所述沟道区下方的所述埋氧层的厚度小于位于所述源极区和/或漏极区下方的所述埋氧层的厚度。上述的SOI器件，其中，所述SOI器件还包括：栅堆叠结构，覆盖位于所述沟道区的SOI衬底...
【技术保护点】
一种SOI器件，其特征在于，包括：SOI衬底；埋氧层，嵌入设置于所述SOI衬底中；源极区和漏极区，设置在位于所述埋氧层上方的所述SOI衬底中；沟道区，设置在所述源极区与所述漏极区之间的衬底中；其中，位于所述沟道区下方的所述埋氧层的厚度小于位于所述源极区和/或漏极区下方的所述埋氧层的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种SOI器件，其特征在于，包括：
SOI衬底；
埋氧层，嵌入设置于所述SOI衬底中；
源极区和漏极区，设置在位于所述埋氧层上方的所述SOI衬底
中；
沟道区，设置在所述源极区与所述漏极区之间的衬底中；
其中，位于所述沟道区下方的所述埋氧层的厚度小于位于所述源
极区和/或漏极区下方的所述埋氧层的厚度。
2.如权利要求书1所述的SOI器件，其特征在于，所述SOI
器件还包括：
栅堆叠结构，覆盖位于所述沟道区的SOI衬底的上表面。
3.如权利要求书2所述的SOI器件，其特征在于，所述栅堆叠
结构包括：
栅极结构，覆盖位于所述沟道区的SOI衬底的上表面；
侧墙，覆盖所述栅极结构的侧壁。
4.如权利要求书3所述的SOI器件，其特征在于，所述栅极结
构包括：
栅氧化层，覆盖位于所述沟道区的SOI衬底的上表面；
栅极，覆盖所述栅氧化层的上表面；
其中，所述侧墙覆盖所述栅极的侧壁和所述栅氧化层的侧壁。
5.一种SOI器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一包括第一硅层、第一氧化物层和第二硅层的半导体结构，
\t且所述第一氧化物层上开设有一通孔，所述第一氧化物层设置于所述
第一硅层之上，并通过所述通孔将所述第一硅层的部分表面予以暴
露；所述第二硅层充满所述通孔并将所述第一氧化物层的上表面予以
覆盖，且位于所述通孔上方的第二硅层中还设置有一凹槽；
对所述半导体结构进行热氧化工艺，以于所述凹槽底部及其侧壁
上形成第二氧化物层；
去除位于所述凹槽侧壁上的第二氧化物层，保留位于所述凹槽底
部的第二氧化物层，以连接位于所述通孔两侧的第一氧化物层形成埋
氧层；
于所述凹槽中充满第三硅层，以连接位于所述凹槽两侧的第二硅
层形成SOI衬底；
继续在位于所述通孔正上方的所述SOI衬底上制备栅堆叠结构，
并于所述SOI衬底中形成所述栅堆叠结构的源极区、漏极区及位于
所述源极区与所述漏极区之间的沟道区；
其中，位于所述凹槽底部保留的第二氧化物层的厚度小于所述第
一氧化物层的厚度。
6.如权利要求5所述的SOI器件的制备方法，其特征在于，形
成所述半导体结构的步骤包括：
按照从下至上的顺序于所述第一硅层的表面依次形成第一氧化
物材料层和第一氮化物材料层，并回刻所述第一氮化物材料层至所述
第一硅层的上表面形成开口，所述开口为中间细两边粗的工字形结
构，且剩余的第一氧化物材料层形成开设有所述通孔的第一氧化物
\t层；
进行硅外延生长工艺于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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