一种MEMS器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有器件图案；步骤S2：提供顶部晶圆并将所述底部晶圆和所述顶部晶圆相接合；步骤S3：执行退火工艺，以调节所述顶部晶圆的应力；步骤S4：对所述顶部晶圆进行表面抛光工艺，以释放所述顶部晶圆中的应力。本发明专利技术的优点在于：1、改善Wafer应力，减少破片，回复正常生产。2、提高了产品的成品率，降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，在传感器(motionsensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。在MEMS领域中，有一部分产品需要将两片晶圆键合，然后针对上面一片顶部晶圆减薄再继续刻蚀出设计的图形，但是由于键合后晶圆的应力，晶圆在干法蚀刻(Dry-Etch)过程中由于释放应力导致晶圆破裂，产品无法正常生产，而导致晶圆在生产中发生破片。因此需要对目前MEMS器件的制备方法作进一步的改进，以便消除上述各种弊端。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有器件图案；步骤S2：提供顶部晶圆并将所述底部晶圆和所述顶部晶圆相接合；步骤S3：执行退火工艺，以调节所述顶部晶圆的应力；步骤S4：对所述顶部晶圆进行表面抛光工艺，以释放所述顶部晶圆中的应力。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有器件图案；步骤S2：提供顶部晶圆并将所述底部晶圆和所述顶部晶圆相接合；步骤S3：执行退火工艺，以调节所述顶部晶圆的应力；步骤S4：对所述顶部晶圆进行表面抛光工艺，以释放所述顶部晶圆中的应力。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述退火工艺的温度为200～450度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述退火工艺的时间为1～6小时。4.根据权利要求1所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑超，王伟，许继辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31