The present invention provides a transparent inverted OLED device and its preparation method, the OLED device includes a transparent substrate, a transparent cathode arranged in sequence, the electron transport layer, a light-emitting layer, a hole transport layer and the transparent anode, the hole transport layer material for active crystalline materials, thickness of 10 100 nm. The transparent anode material for metal oxide, metal doped metal oxides, metal film and metal oxide film are alternately stacked in a. The invention utilizes the hole transport layer active crystal transparent metal anode induced crystallization, solve the problem of poor conductivity of the anode, can significantly improve the photoelectric properties of transparent OLED devices and the preparation process is simple and can save the transparent anode heat treatment crystallization steps, thereby reducing the heat treatment effect on OLED organic light emitting layer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种透明倒置OLED器件及其制备方法。
技术介绍
目前对透明倒置OLED器件来说,一般采用的透明电极分为两类,一类是薄层金属或者合金,例如Ag,Mg:Ag,Al,Al:Ag,Ga:Ag等,金属电极的制备工艺相对简单,但是金属的透过率较差,半透过率的金属厚度不超过20nm,这样的厚度对于电极的导电率来说是很差的,容易被击穿,并且易发生微腔效应,这样对器件的厚度和光学设计要求是极高的,增加了器件的制备难度。另一类是采用金属氧化物或者金属氧化物和金属掺杂制成,例如ITO、ZnO、FTO、AZO(ZnO:Al:ZnO)等,这类金属的透过率较高,但是这种透明电极若要获得较低的方阻,一般需要在溅射之后进行高温退火的工艺或者高温进行溅射,无论是高温溅射或者高温退火都会严重破坏有机膜层,严重影响有机电致发光器件的光电性能。针对这一情况,近几年也有诸多的工艺手法,例如采用特殊的溅射蒸镀手段,例如直流溅射,但至今并未有实质性的进展;还有提高有机层和金属界面的耐热性,即添加一层具有抗高温的高聚物,但该层的加入会影响电子的注入,也是以牺牲器件的部分性能为代价的。由此可见,在现有的透明型有机电致发光器件中,电极的制备有两类,一类是采用金属电极,透过率差且器件设计难度大;一类是采用透明的金属氧化物,溅射过程及后续退火工艺破坏有机薄膜。
技术实现思路
本专利技术提供一种透明倒置OLED器件及其制备方法,用以解决在不破坏有机膜层的前提下制备高导电性能的透明电极。本专利技术提供一种透明倒置OLED器件,包括顺次设置的透明基板、透明阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和透明阳极, ...
【技术保护点】
一种透明倒置OLED器件,其特征在于,包括顺次设置的透明基板(1)、透明阴极(2)、电子传输层(3)、发光层(5)、空穴传输层(6)和透明阳极(7),所述空穴传输层(6)的材料为主动结晶类材料。
【技术特征摘要】
1.一种透明倒置OLED器件,其特征在于,包括顺次设置的透明基板(1)、透明阴极(2)、电子传输层(3)、发光层(5)、空穴传输层(6)和透明阳极(7),所述空穴传输层(6)的材料为主动结晶类材料。2.根据权利要求1所述的透明倒置OLED器件,其特征在于,所述主动结晶类材料为并五苯或并五苯的衍生物,且所述空穴传输层(6)的厚度为10-100nm,优选30nm。3.根据权利要求1所述的透明倒置OLED器件,其特征在于,所述透明阳极(7)的材料为金属氧化物、金属掺杂的金属氧化物、金属膜与金属氧化物膜交替堆叠中的一种。4.根据权利要求3所述的透明倒置OLED器件的方法,其特征在于,所述透明阳极(7)的材料为氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、铝掺氧化锌、铝银掺氧化锌、铟锡锌氧化物、铝膜与氧化铟锡膜交叠堆叠中的一种。5.一种透明倒置OLED器件的制备方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:于倩倩,谢静,朱映光,
申请(专利权)人:固安翌光科技有限公司,
类型:发明
国别省市:河北;13
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