一种OLED基板的制备方法及OLED基板技术

本发明专利技术公开了一种OLED基板的制备方法及OLED基板。该制备方法中的金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以设计加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及OLED领域，尤其涉及一种OLED基板的制备方法及OLED基板。
技术介绍
典型的OLED像素结构如图1和2所示，PSPI隔离出ITO发光区域，因此，不发光区域的面积决定于横向及纵向的PSPI宽度。如图1所示，横向PSPI设计宽度a=c+2d，如图2所示，纵向PSPI设计宽度b=e+2f；实际生产中，其中c（RIB宽度）、e（ITO线间距）取决于制程能力，d、f取决于曝光时的对位精度。现有的OLED基板的制备方法中，一般在制备金属图案时即制作出全部对位标，ITO图案、PSPI图案和RIB图案制程再依次按各自的对位标制作图案，生产时极可能出现对位偏移的情况，即ITO和PSPI图案相对于金属图案产生偏移。假设对位精度为△x，则ITO相对于PSPI的理论最大偏离值为2△x，为保证PSPI与ITO搭接，f的设计值必须满足f＞2△x，同理，为保证RIB不超过PSPI，d的设计值必须满足d＞2△x，于是，OLED基板必须满足a＞c+4△x及b＞e+4△x的条件，按这样设计，不发光区域面积过大，OLED的显示效果较差。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供一种OLED基板的制备方法，该制备方法简单，可操作性强，能够有效减小PSPI的宽度，加大ITO发光区域的面积，达到更好的显示效果。本专利技术还提供了一种使用上述制备方法制得的OLED基板。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种OLED基板的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一ITO基板；S2：在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；S3：对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；S4：对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；S5：对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；S6：蒸镀有机功能层和金属阴极。进一步地，所述步骤S1包括：S1.1：提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2：在所述透明基板上溅镀一层ITO膜，形成ITO基板；S1.3：对所述ITO膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs＜1nm。进一步地，所述步骤S2包括：S2.1：在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶；S2.2：利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S2.3：通过刻蚀工艺，制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标；S2.4：剥离剩余的光刻胶。进一步地，所述步骤S3包括：S3.1：溅镀金属膜；S3.2：在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；S3.:3：利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S3.4：通过刻蚀工艺，制作出金属图案；S3.5：剥离剩余的光刻胶。进一步地，所述步骤S4包括：S4.1：涂覆一层PSPI；S4.2：利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成PSPI图案和RIB图案对位标。进一步地，所述步骤S5包括：S5.1：涂覆一层RIB；S5.2：利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成RIB图案。进一步地，所述步骤S2中，还制作有位于RIB图案对位标区域的ITO块。进一步地，所述步骤S3中，还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。进一步地，所述步骤S4和S5之间，还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆。一种OLED基板，由上述制备方法制得。本专利技术具有如下有益效果：（1）该制备方法简单，可操作性强，金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果；（2）所述RIB图案对位标区域上的ITO块，可以增强PSPI材质的RIB图案对位标的粘附力；（3）所述PSPI图案对位标区域上的金属块可以增强PSPI图案对位标的识别度；（4）在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆可以增强半透明PSPI材质的RIB图案对位标的识别度。附图说明图1为现有技术中OLED像素结构单元的示意图；图2为现有技术中OLED像素结构的ITO与PSPI搭接的示意图；图3为本专利技术提供的OLED基板的制备方法的流程框图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。实施例一如图3所示，一种OLED基板的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一ITO基板；其中，所述步骤S1包括：S1.1：提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2：在所述透明基板上溅镀一层ITO膜，形成ITO基板；S1.3：对所述ITO膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs＜1nm。S2：在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；其中，所述步骤S2包括：S2.1：在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶；S2.2：利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S2.3：通过刻蚀工艺，制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标；S2.4：剥离剩余的光刻胶。S3：对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；其中，所述步骤S3包括：S3.1：溅镀金属膜；S3.2：在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；S3.3：利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S3.4：通过刻蚀工艺，制作出金属图案；S3.5：剥离剩余的光刻胶。S4：对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；其中，所述步骤S4包括：S4.1：涂覆一层PSPI；S4.2：利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成PSPI图案和RIB图案对位标。S5：对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；其中，所述步骤S5包括：S5.1：涂覆一层RIB；S5.2：利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成RIB图案。S6：蒸镀有机功能层和金属阴极。本技术方案中的金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果。优选地，所述金属图案为MAM，即Mo/Al/Mo。特别说明，上述所有对位标均位于OLED基板的显示区域外。按照本技术方案的制备方法，PSPI图案以ITO图案为基准对位，对位精度为△x，此时为保证PSPI与ITO搭接，只须满足f＞△x；同理，RIB图案以PSPI图案为基准对位，只须满足d＞△x。因此，按本技术方案中的制备方法，只须满足a＞c+2△x及b＞e+2△x，即采用本技术方案，横向与纵向PSPI的宽度均可减小2△x。具体的：1.若取△x=3μm、L=50μm、c=10μm、e=10μm（L为发光区ITO的宽度），若采用本技术方案的制备方法，按极限情况a=c+2△x及b=e+2△x计算，像素面积增大22.56%。2.若取△x=本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一ITO基板；S2：在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；S3：对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；S4：对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；S5：对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；S6：蒸镀有机功能层和金属阴极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一ITO基板；S2：在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；S3：对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；S4：对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；S5：对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；S6：蒸镀有机功能层和金属阴极。2.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：S1.1：提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2：在所述透明基板上溅镀一层ITO膜，形成ITO基板；S1.3：对所述ITO膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs＜1nm。3.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：S2.1：在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶；S2.2：利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S2.3：通过刻蚀工艺，制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标；S2.4：剥离剩余的光刻胶。4.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：S3.1：溅镀金属膜；S3.2：在所述金属膜上...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志猛，赵阳峰，赵云，张为苍，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44