OLED基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED基板及其制作方法。本发明专利技术的OLED基板的制作方法，通过在像素定义层的顶表面上设置硅膜，使得像素定义层的顶表面具有优异的疏水特性，从而在衬底基板的像素区域内喷墨打印OLED材料时，误喷到像素定义层的顶表面的硅膜上的OLED材料不会在硅膜上停留，而是迅速滑落至衬底基板的像素区域内，从而有效避免OLED材料在像素定义层的顶表面上停留甚至滑入相邻的像素区域中造成混色的问题。本发明专利技术的OLED基板，OLED发光层的色纯度高，不会出现混色的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED基板及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。基于打印技术的OLED面板技术成为目前比较先进且新颖的技术，该技术采用喷墨打印工艺来制备OLED器件的有机功能层(包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层)，可以大大提高OLED材料的使用效率，降低OLED面板的生产成本，同时具有制备柔性OLED面板的技术潜力，所以对此技术的大规模研究成为OLED显示器的发展方向。在打印OLED材料的过程中，有一道疏水像素定义层(bank)的制作工艺对后续OLED材料的成功打印起到决定性的作用，此疏水像素定义层的作用是进行像素定义，形成红(R)、绿(G)、蓝(B)像素区域，之后OLED材料会打印到这些像素区域中，为了使OLED材料能够100％进入像素区域中，此像素定义层需要表面绝对疏水，这样OLED材料打印时才不会停留在像素定义层的顶部甚至流入相邻的像素区域中造成混色。为实现像素定义层的表面绝对疏水效果，目前常用的技术手段是在普通有机光阻材料中添加疏水性物质，得到疏水性有机光阻材料，之后采用该疏水性有机光阻材料来制作像素定义层，最后制得的像素定义层的表面具有疏水特性，然而该方法工艺复杂，且制得的像素定义层的表面疏水性往往不够理想，不能有效解决OLED材料打印时在像素定义层的顶部停留或者造成混色的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED基板的制作方法，能够避免喷墨打印过程中OLED材料在像素定义层的顶表面上停留甚至滑入相邻的像素区域中造成混色的问题。本专利技术的目的还在于提供一种OLED基板，OLED发光层的色纯度高，不会出现混色的问题。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种OLED基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成像素定义层，所述像素定义层上设有数个通孔，所述数个通孔在所述衬底基板上分别限定出数个像素区域；步骤2、在所述像素定义层与衬底基板上沉积硅膜，所述硅膜包括覆盖所述像素定义层的顶表面的部分以及包覆所述像素定义层上的数个通孔的部分；步骤3、对所述硅膜进行图形化处理，去除所述硅膜上包覆所述像素定义层上的数个通孔的部分，保留所述硅膜上覆盖所述像素定义层的顶表面的部分；步骤4、在所述衬底基板的数个像素区域内分别喷墨打印OLED材料，形成数个OLED发光层。所述步骤2中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积硅膜。所述像素定义层的材料为有机光阻，所述像素定义层的厚度为1μm-3μm。所述硅膜的材料为非晶硅，所述硅膜的厚度为所述衬底基板的数个像素区域的表面具有亲水性，所述OLED材料为亲水性材料。本专利技术还提供一种OLED基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的像素定义层、设于所述像素定义层上的数个通孔、设于所述像素定义层上且覆盖所述像素定义层的顶表面的硅膜、以及设于所述衬底基板上分别对应数个通孔的数个像素区域中的数个OLED发光层。所述衬底基板为TFT基板。所述像素定义层的材料为有机光阻，所述像素定义层的厚度为1μm-3μm。所述硅膜的材料为非晶硅，所述硅膜的厚度为所述衬底基板的数个像素区域的表面具有亲水性，所述OLED发光层采用具有亲水性的OLED材料喷墨打印而成。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种OLED基板的制作方法，通过在像素定义层的顶表面上设置硅膜，使得像素定义层的顶表面具有优异的疏水特性，从而在衬底基板的像素区域内喷墨打印OLED材料时，误喷到像素定义层的顶表面的硅膜上的OLED材料不会在硅膜上停留，而是迅速滑落至衬底基板的像素区域内，从而有效避免OLED材料在像素定义层的顶表面上停留甚至滑入相邻的像素区域中造成混色的问题。本专利技术提供的一种OLED基板，OLED发光层的色纯度高，不会出现混色的问题。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为本专利技术的OLED基板的制作方法的流程图；图2为本专利技术的OLED基板的制作方法的步骤1的示意图；图3为本专利技术的OLED基板的制作方法的步骤2的示意图；图4为本专利技术的OLED基板的制作方法的步骤3的示意图；图5与图6为本专利技术的OLED基板的制作方法的步骤4的示意图且图6为本专利技术的OLED基板的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术提供一种OLED基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、如图2所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成像素定义层20，所述像素定义层20上设有数个通孔21，所述数个通孔21在所述衬底基板10上分别限定出数个像素区域11。具体的，所述衬底基板10为TFT基板。具体的，所述像素定义层20的材料为普通有机光阻，所述普通有机光阻材料具有一定的疏水性，但是疏水性能较差，不足以满足喷墨打印的要求。具体的，所述像素定义层20的厚度为1μm-3μm。具体的，所述衬底基板10的数个像素区域11的表面具有亲水性。步骤2、如图3所示，在所述像素定义层20与衬底基板10上沉积硅膜30，所述硅膜30包括覆盖所述像素定义层20的顶表面的部分以及包覆所述像素定义层20上的数个通孔21的部分。具体的，所述步骤2中，采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)沉积硅膜30。具体的，所述硅膜30的材料为非晶硅。具体的，所述硅膜30的厚度为步骤3、如图4所示，对所述硅膜30进行图形化处理，去除所述硅膜30上包覆所述像素定义层20上的数个通孔21的部分，保留所述硅膜3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成像素定义层(20)，所述像素定义层(20)上设有数个通孔(21)，所述数个通孔(21)在所述衬底基板(10)上分别限定出数个像素区域(11)；步骤2、在所述像素定义层(20)与衬底基板(10)上沉积硅膜(30)，所述硅膜(30)包括覆盖所述像素定义层(20)的顶表面的部分以及包覆所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)的部分；步骤3、对所述硅膜(30)进行图形化处理，去除所述硅膜(30)上包覆所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)的部分，保留所述硅膜(30)上覆盖所述像素定义层(20)的顶表面的部分；步骤4、在所述衬底基板(10)的数个像素区域(11)内分别喷墨打印OLED材料，形成数个OLED发光层(40)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成像素定义层(20)，所述像素定义层(20)上设有数个通孔(21)，所述数个通孔(21)在所述衬底基板(10)上分别限定出数个像素区域(11)；步骤2、在所述像素定义层(20)与衬底基板(10)上沉积硅膜(30)，所述硅膜(30)包括覆盖所述像素定义层(20)的顶表面的部分以及包覆所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)的部分；步骤3、对所述硅膜(30)进行图形化处理，去除所述硅膜(30)上包覆所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)的部分，保留所述硅膜(30)上覆盖所述像素定义层(20)的顶表面的部分；步骤4、在所述衬底基板(10)的数个像素区域(11)内分别喷墨打印OLED材料，形成数个OLED发光层(40)。2.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积硅膜(30)。3.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述像素定义层(20)的材料为有机光阻，所述像素定义层(20)的厚度为1μm-3μm。4.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44