一种顶发射有机发光二极管OLED器件及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种顶发射有机发光二极管OLED器件及制备方法，包括：顶发射OLED器件，包括：基板、阳极层、有机功能层、复合阴极层和光输出耦合层，所述复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第三阴极层，所述第一阴极层和所述第三阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一数值的金属材料；所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于设定第二数值的金属材料。通过改变现有顶发射OLED器件中阴极层的结构，分别采用金属银、高折射率的金属锗复合形成本发明专利技术实施例中记载的复合阴极层，第一阴极层满足导电和形成微腔的作用，第二阴极层和第三阴极层能够提高顶发射OLED的光取出效率，有效改善顶发射OLED的光学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及有机发光二极管领域，尤其设及一种顶发射有机发光二极管OLm)器件 及制备方法。
技术介绍
有机发光二极管（0巧anic Li曲t血itting Diode,简称化邸)器件是在电场作用 下使有机材料发光的器件，具有视角宽、响应时间短、对比度高、可实现超薄可柔等特点。 OL抓按照光源射出位置的不同，可W分为底发射(Bottom血itting，简称邸)0LED 和顶发射(Top Emitting,简称TE)0LED。其中，顶发射OL邸的工作原理是光源从顶发射OLED 顶部的半透明或全透明的阴极层射出。 然而，由于顶发射化邸的有机功能层位于全反射阳极层与半透明或全透明阴极层 之间，运种结构将产生微腔效应。在实际应用中，运种微腔效应对光源具有窄化和加强等作 用。但是经研究发现，微腔效应主要可W提高顶发射OL邸的出光性能，但是在不同视角下的 光谱和光强分布变化较大，直接导致视角性能变差。 综上所述，亟需一种顶发射化抓器件，用于解决现有技术中顶发射化抓器件存在 的光学性能较差的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种顶发射有机发光二极管化抓器件及制备方 法，用W解决现有技术中顶发射OL邸器件存在的光学性能较差的问题。 -种顶发射OLm)器件，包括:基板、阳极层、有机功能层、复合阴极层和光输出禪合 层，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述 复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第=阴极层，其中：[000引所述第一阴极层和所述第=阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一数值的 金属材料;所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于设定第二数值的金属材料。 可选地，所述第一阴极层和所述第=阴极层所使用的材料为折射率小于1的金属 银。 可选地，所述第一阴极层的厚度为IOnm~20nm。[00川可选地，所述第立阴极层的厚度化醒~10醒。可选地，所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于3的金属错。可选地，所述第二阴极层的厚度化nm~lOnm。 一种顶发射OL邸器件的制备方法，包括：[001引利用物理气相沉积PVD的方法，在基板上依次锻膜得到阳极层、有机功能层，其中， 所述有机功能层包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；利用真空蒸锻的方法，在所述有机功能层的电子注入层上形成复合阴极层，其中， 所述复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第=阴极层，所述第一阴极层和所述第= 阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一数值的金属材料，所述第二阴极层所使用的材 料为折射率不小于设定第二数值的金属材料； 利用真空蒸锻的方法，在所述复合阴极层的第=阴极层上形成光输出禪合层，得 到顶发射OL邸器件。 可选地，所述第一阴极层和所述第=阴极层所使用的材料为折射率小于1的金属 银。 可选地，所述第一阴极层的厚度为IOnm~20nm。 可选地，所述第S阴极层的厚度为Inm~lOnm。 可选地，所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于3的材料。可选的该材料是 金属错。 可选地，所述第二阴极层的厚度为Inm~lOnm。 有益效果： 本专利技术实施例提供的顶发射有机发光二极管化抓器件，包括:基板、阳极层、有机 功能层、复合阴极层和光输出禪合层，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层，所述复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第=阴极 层，所述第一阴极层和所述第=阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一数值的金属材 料;所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于设定第二数值的金属材料。通过改变现 有顶发射化抓器件中阴极层的结构，分别采用金属银、高折射率的金属错复合形成本专利技术 实施例中记载的复合阴极层，第一阴极层满足导电和形成微腔的作用，第二阴极层和第= 阴极层能够提高顶发射OLED的光取出效率，有效改善顶发射OLED的光学性能。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本 领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可W根据运些附图获得其 他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种顶发射OL邸器件的结构示意图； 图2为本专利技术实施例提供的一种顶发射OL邸器件的结构示意图； 图3为本专利技术实施例提供的一种顶发射OL邸器件的色偏的示意图； 图4为本专利技术实施例提供的一种顶发射OL邸器件的色偏的对比的示意图； 图5为本专利技术实施例提供的一种顶发射OL邸器件的制备方法的流程示意图。【具体实施方式】 为了实现本专利技术的目的，本专利技术实施例提供了一种顶发射有机发光二极管化邸器 件及制备方法，顶发射有机发光二极管OLm)器件，包括:基板、阳极层、有机功能层、复合阴 极层和光输出禪合层，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层 和电子注入层，所述复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第=阴极层，所述第一阴极 层和所述第=阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一数值的金属材料;所述第二阴极 层所使用的材料为折射率不小于设定第二数值的金属材料。通过改变现有顶发射化邸器件 中阴极层的结构，分别采用金属银、高折射率的金属错复合形成本专利技术实施例中记载的复 合阴极层，第一阴极层满足导电和形成微腔的作用，第二阴极层和第=阴极层能够提高顶 发射OLED的光取出效率，有效改善顶发射OLED的光学性能。 下面结合说明书附图对本专利技术各个实施例作进一步地详细描述。显然，所描述的 实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普 通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的 范围。 图1为本专利技术实施例提供的一种顶发射化抓器件的结构示意图。所述顶发射化抓 器件包括:基板11、阳极层12、有机功能层13、复合阴极层14和光输出禪合层15。 所述复合阴极层14包括第一阴极层141、第二阴极层142和第=阴极层143,其中： 所述第一阴极层141和所述第=阴极层143所使用的材料为折射率小于设定第一 数值的金属材料;所述第二阴极层142所使用的材料为折射率不小于设定第二数值的金属 材料。 需要说明的是，运里的设定第一数值一般小于设定第二数值，至于数值的大小可 W根据器件需要设置，运里不做具体限定。 可选地，所述第一阴极层141和所述第=阴极层143所使用的材料为折射率小于1 的金属银。 可选地，所述第一阴极层141的厚度为10皿~20皿。优选，所述第一阴极层141的厚 度为1化m。 可选地，所述第S阴极层143的厚度为Inm~lOnm。优选，所述第S阴极层143的厚 度为5nm。 第一阴极层141位于有机功能层13的上方，光源从有机功能层入射至第一阴极层。 为了保证光的透过率适中同时还要使第一阴极层形成微腔效应，那么需要合理设置第一阴 极层的厚度。若第一阴极层的厚度过薄，那么光的透过率将过高，难W形成微腔;若第一阴 极层的厚度过厚，那么光的透过率将过低，影响整个器件的光取出率。因此，在本专利技术实施 例中所述第一阴极层141的厚度为IOnm~20nm。优选，所述第一阴极层141的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶发射OLED器件，包括：基板、阳极层、有机功能层、复合阴极层和光输出耦合层，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，其特征在于，所述复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第三阴极层，其中：所述第一阴极层和所述第三阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一数值的金属材料；所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于设定第二数值的金属材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王志祥，党鹏乐，何麟，胡思明，朱晖，袁晓冬，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32