一种量子点显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种量子点显示面板及其制作方法，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上残留的像素bank层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。本发明专利技术通过以像素bank制作时残留在像素电极上的bank薄膜为电子阻挡层制作倒置结构的QLED，由于bank薄膜的绝缘特性，其会降低像素电极到QLED器件中的电荷注入，从而平衡QLED中的电子、空穴注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留bank薄膜的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题，降低制作成本，提高良率。

Quantum dot display panel and manufacturing method thereof

The invention discloses a quantum dot display panel and manufacturing method thereof, wherein the quantum dot display panel from top to bottom successively comprises a substrate, a pixel electrode substrate in a pattern area pixel electrode, a pixel electrode region surrounding the pixel layer, the pixel electrode bank on the residual bank pixel layer, electron transport layer, a light-emitting layer, quantum dots a hole transport layer, a hole injection layer and an anode layer. The present invention by making the residual bank thin film bank pixels on the pixel electrode as electron blocking layer to create inverted structure of the QLED, due to the insulating properties of bank films, which will reduce the charge of the pixel electrode to the device of QLED injection, so as to balance the electron and hole injection in QLED balance, improving the performance of the device, but also avoid the removal of residual bank thin film and the easy process resulted in the problem of the color mixing, reduce production cost, improve the yield rate.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器
，尤其涉及一种量子点显示面板及其制作方法。
技术介绍
半导体量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良特性。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管（QLED）在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。近年来，通过量子点材料合成工艺的改善以及器件结构的优化，QLED的性能有了大幅提升，但由于量子点材料的能级较深，使得其空穴注入困难电子注入容易，导致载流子注入不平衡，影响器件性能，因此需要提高空穴注入或抑制电子注入。量子点应用于量子点显示面板，只能通过湿法制备，因此需要制作像素bank，在像素bank制作完成后，像素电极表面会残留一层很薄的bank薄膜，无法被显影掉，如图1所示，图1中1为基板，2为像素电极，3为像素电极周边区域的像素bank层，4为像素电极上残留的像素bank层，由于bank材料为绝缘材料，因此在后期沉积薄膜之前需要进行UV和plasma（等离子体）处理，去除这层薄膜防止对后期器件性能的影响。但UV和plasma处理会导致bank表面亲液性增强，后期沉积墨水时容易发生墨水溢出，造成混色。此外，增加一道UV或plasma处理工艺也会增加制作成本。量子点显示面板因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点显示面板及其制作方法，旨在解决现有方法去除残留像素bank层会影响后期器件性能，且去除残留像素bank层的工艺会增加制作成本及易于混色的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点显示面板，其中，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上残留的像素bank层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。所述的量子点显示面板，其中，所述基板为玻璃基板或柔性基板。所述的量子点显示面板，其中，所述像素电极为导电膜层，所述导电膜层为透明导电膜层或反光导电膜层。所述的量子点显示面板，其中，所述像素电极周边区域的像素bank层的厚度为0.8-1.5μm。所述的量子点显示面板，其中，所述像素电极上残留的像素bank层的厚度为1-5nm。所述的量子点显示面板，其中，所述电子传输层的材料为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。所述的量子点显示面板，其中，所述量子点发光层的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及其核壳结构或Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构。所述的量子点显示面板，其中，所述空穴传输层的材料为NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA、PFB中的一种或多种。所述的量子点显示面板，其中，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2中的一种或多种；所述阳极层为反射电极或透明电极，所述反射电极的材料为Al或Ag，所述透明电极的材料为ITO、IZO、石墨烯或导电聚合物。一种如上任一所述的量子点显示面板的制作方法，其中，包括：步骤A、在基板的像素电极图案区制作像素电极；步骤B、在像素电极周边区域制作像素bank层；步骤C、在像素电极残留的像素bank层上依次制作电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，完成量子点显示面板的制作。有益效果：本专利技术直接在像素电极残留的像素bank层上制作倒置结构的量子点发光器件，此层残留的像素bank层可以作为电子阻挡层，降低像素电极（阴极）到QLED器件中的电子注入，从而平衡QLED器件中的载流子注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留像素bank层的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题。附图说明图1为现有量子点显示面板的截面示意图。图2为本专利技术一种量子点显示面板较佳实施例的截面示意图。图3为本专利技术QLED器件较佳实施例的截面示意图。图4为本专利技术一种量子点显示面板的制作方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本专利技术提供一种量子点显示面板及其制作方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图2，图2为本专利技术的一种量子点显示面板较佳实施例的结构示意图，如图所示，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板5、位于基板像素电极图案区的像素电极6、像素电极周边区域的像素bank层7、像素电极6上残留的像素bank层8、电子传输层9、量子点发光层10、空穴传输层11、空穴注入层12及阳极层13。本专利技术在现有bank制作工艺基础上（像素电极表面残留一层很薄的像素bank层<5nm），直接在像素电极残留的像素bank层上制作倒置结构的量子点发光器件，由于像素电极上残留的像素bank层的绝缘特性，且厚度较薄，一般为单分子层，厚度为1-5nm，因此具有一定的电荷阻挡效应，因此在倒置结构的QLED器件中，此层残留的像素bank层可以作为电子阻挡层，降低像素电极（阴极）到QLED器件中的电子注入，从而平衡QLED器件中的载流子注入平衡，提高器件性能，同时还能避免去除残留像素bank层的工艺以及该工艺导致的易于混色的问题。具体地，本专利技术所述基板可以为玻璃基板或柔性基板，所述基板上具有像素电极图案，所述像素电极图案区用于制作像素电极，当量子点显示面板为PM面板（无源面板）时，其不具有驱动TFT阵列，当量子点显示面板为AM面板（有源面板）时，基板上具有驱动TFT阵列。具体地，本专利技术所述像素电极为高导电膜层，当量子点显示面板为底发射型面板时，该导电膜层为透明导电膜层，其可选用ITO、IZO等导电金属氧化物或石墨烯、导电聚合物等高导电有机导电材料；当量子点显示面板为顶发射型面板时，该导电膜层为反光导电膜层，其可选用Al或Ag等高导电金属薄膜。具体地，本专利技术所述像素电极周边区域的像素bank层为本领域常规像素bank结构，用于定义显示面板的像素发光区，具有小角度tape角（倾斜角），厚度为0.8-1.5μm。本专利技术量子点发光二极管（QLED）是以像素电极为阴极的倒置结构的量子点发光二极管，具体以像素电极上残留的像素bank层作为电子阻挡层，以平衡整个QLED器件的载流子注入平衡，QLED器件结构如图3所示，依次包括：像素电极（阴极）14、残留的像素bank层（电子阻挡层）15、电子传输层16、量子点发光层17、空穴传输层18、空穴注入层19和阳极层20。本专利技术所述残留的像素bank层（电子阻挡层）15为无法显影掉的附着在像素电极14上的bank材料单分子层，厚度为1-5nm，其能够减小像素电极（阴极）到电子传输层的电子注入，由于现有QLED器件中电子易于注入，空穴注入困难，因此减小电子的注入有利于载流子注入平衡，从而提高器件性能。具体地，本专利技术所述电子传输层的材料可以为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。优选地，所述电子传输层的材料为ZnO。具体地，本专利技术所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点显示面板，其特征在于，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上残留的像素bank层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。

【技术特征摘要】
1.一种量子点显示面板，其特征在于，所述量子点显示面板从下而上依次包括基板、位于基板像素电极图案区的像素电极、像素电极周边区域的像素bank层、像素电极上残留的像素bank层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。2.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述基板为玻璃基板或柔性基板。3.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述像素电极为导电膜层，所述导电膜层为透明导电膜层或反光导电膜层。4.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述像素电极周边区域的像素bank层的厚度为0.8-1.5μm。5.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述像素电极上残留的像素bank层的厚度为1-5nm。6.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述电子传输层的材料为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的量子点显示面板，其特征在于，所述量子点发光层的材料为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44