本发明专利技术公开了一种量子点发光二极管显示器件及显示装置，在各像素单元的亚像素单元设置电致发光结构，在各像素单元的至少一个颜色的亚像素单元且位于电致发光结构的出光侧设置单色量子点层，单色量子点层在受到电致发光结构发出的光激发后发射对应亚像素单元颜色的单色光。采用量子点代替现有的无机掺杂体系作为光色转换材料，量子点在被电致发光结构发出的光激发后能发出单色光，由于量子点发射光谱窄并且发光效率高，能够提高组成像素单元的各亚像素单元的色纯度，从而提高显示器件的显示品质。并且，由于量子点可以散射电致发光结构发出的光，相对于无机掺杂体系材料可以提高光色转换的透光率，从而提高显示器件的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及平板显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管显示器件及显示>J-U ρ α装直。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示器由于具备轻薄、宽视角、响应速度快、高对比度等优点，近年来越来越多的应用于平板显示中。采用发蓝光的OLED结合光色转换(ColorConversion)材料是实现OLED全彩化的技术之一，目前使用的光色转换材料主要为能被蓝光激发的无机掺杂体系材料:①掺Ce钇铝石榴石；②掺Eu碱土金属硅酸盐；③稀土离子掺杂的硅基氮化物或氮氧化物。然而，这些光色转换材料通常存在色纯度及效率偏低的问题。量子点(Quantum Dots, QDs),又可以称纳米晶，是一种由II — VI族或III — V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于I 20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。以CdTe量子点为例，当它的粒径从2.5nm生长到4.0nm时，它们的发射波长可以从510nm红移到660nm。量子点的荧光强度和稳定性都很好，目前，利用量子点的发光特性，可以将量子点作为分子探针应用于荧光标记，也可以应用于显示器件中，作为液晶显示屏的背光模组的发光源，在受到蓝光LED灯激发后发出的光与蓝光混色形成白光，其具有较大的色域，能提高画面品质。而现有技术中还没有将量子点应用于发光二极管显示器件中的设计。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管显示器件及显示装置，用以提高显示器件的色纯度以及发光效率。本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管显示器件，所述显示器件内设置有多个像素单元，每个所述像素单元均具有多个显示不同颜色的亚像素单元，所述显示器件包括:衬底基板；设置于所述衬底基板上、且位于各像素单元的亚像素单元的电致发光结构；设置于各像素单元的至少一个颜色的亚像素单元、且位于所述电致发光结构的出光侧的单色量子点层，所述单色量子点层在受到所述电致发光结构发出的光激发后发射对应所述亚像素单元颜色的单色光。本专利技术实施例提供的一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的量子点发光二极管显示器件。本专利技术实施例的有益效果包括: 本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管显示器件及显示装置，在各像素单元的亚像素单元设置电致发光结构，在各像素单元的至少一个颜色的亚像素单元且位于电致发光结构的出光侧设置单色量子点层，单色量子点层在受到电致发光结构发出的光激发后发射对应亚像素单元颜色的单色光。本专利技术实施例采用量子点代替现有的无机掺杂体系作为光色转换材料，量子点在被电致发光结构发出的光激发后能发出单色光，由于量子点发射光谱窄并且发光效率高，能够提高组成像素单元的各亚像素单元的色纯度，从而提高显示器件的显示品质。并且，由于单色量子点层中的各粒子可以散射电致发光结构发出的光，相对于无机掺杂体系材料可以提高光色转换的透光率，从而提高显示器件的发光效率。附图说明图1a-图1c分别为本专利技术实施例提供的量子点发光二极管显示器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的显示器件中的驱动电路的结构示意图；图3a为光线在现有显示器件中的折射示意图；图3b为光线在本专利技术实施例提供的显示器件中的折射示意图；图4为本专利技术实施例提供的具有彩色滤光层的量子点发光二极管显示器件的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图，对本专利技术实施例提供的量子点发光二极管显示器件及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。其中，附图中各层薄膜厚度和区域形状不反映的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管显示器件，如图1a和图1b所示，在显示器件内设置有多个像素单元，每个像素单元均具有多个显示不同颜色的亚像素单元(图中虚线框所示)，该显示器件包括:衬底基板01;设置于衬底基板01上、且位于各像素单元的亚像素单元的电致发光结构02 ；设置于各像素单元的至少一个颜色的亚像素单元、且位于电致发光结构02的出光侧的单色量子点层03，单色量子点层03在受到电致发光结构02发出的光激发后发射对应亚像素单元颜色的单色光。本专利技术实施例提供的量子点发光二极管显示器件中，采用量子点代替现有的无机掺杂体系作为光色转换材料，量子点在被电致发光结构发出的光激发后能发出对应亚像素单元颜色的单色光，由于量子点发射光谱窄并且发光效率高，能够提高组成像素单元的亚像素单元的色纯度，从而提高显示器件的显示品质。并且，由于单色量子点层中的各粒子可以散射电致发光结构发出的光，相对于无机掺杂体系材料可以提高光色转换的透光率，从而提高显示器件的发光效率。进一步地，本专利技术实施例提供的量子点发光二极管显示器件为全固态显示器件，相对于液晶显示器件可以抗冲击且抗低温。 需要说明的是，本专利技术实施例所述的单色量子点层为位于同层，对应不同亚像素单元的不同量子点，所述不同量子点可以是量子点材料不同或者量子点尺寸不同，只要保证在对应的亚像素单元的区域量子点受激发产生单色光，其颜色与亚像素单元所要显示的颜色相同即可，即所述量子点层为在同种颜色的亚像素单元区域的量子点相同，在不同颜色的亚像素单元的区域量子点不同，但各个区域的量子点受激发都是仅能发出单色光，因此，将由量子点形成的该层称为单色量子点层。具体地，本专利技术实施例提供的上述量子点发光二极管显示器件中的电致发光结构，可以是有源驱动，即位于每个亚像素单元的电致发光结构都由单独的电子元件控制实现独立驱动，如由TFT (thin film transistor,薄膜晶体管)作为开关器件,也可以是无源驱动，在此不做限定。并且，在有源驱动的驱动电路中的各TFT器件，在具体实施时，可以是a-Si TFT、oxide TFT, LTPS-TFT (低温多晶硅)或 HTPS-TFT (高温多晶硅)。在本专利技术实施例提供的下述量子点发光二极管显示器件中都是以有源驱动为例进行说明。具体地，本专利技术实施例提供的上述量子点发光二极管显示器件中的电致发光结构02，如图1a和图1b所示，具体可以包括:依次设置在衬底基板01上的第一电极021，发光层022以及第二电极023。在具体实施时，与各第一电极021连接的驱动电路04—般设置在第一电极021与衬底基板01之间，驱动电路04如图2所示，具体可以包括以下膜层:先通过沉积、溅射等工艺成膜再采用曝光、显影、刻蚀等工艺依次在衬底基板上形成的栅极011、栅极绝缘层012、有源层013、欧姆接触层014、源漏极015以及绝缘层016。当然，驱动电路04的具体结构也可以包括其他膜层或者不包括欧姆接触层等，对于这些结构的变形，在此不做限定。在具体实施时，电致发光结构02，至少包括:依次设置在衬底基板01上的第一电极021，发光层022以及第二电极023。其中第一电极021—般为阳极，可以为ITO薄膜(Indium Tin Oxides,氧化铟锡),一般为透明电极,第二电极一般为阴极,可以为金属层,根据电致发光结构02出光方向的不同，金属层可以为半透明或者不透明，当然，在其他一些结构的变形中，第一电极可以为阴极，第二电极可以为阳极，即阴极位于衬底基板上驱本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种量子点发光二极管显示器件，所述显示器件内设置有多个像素单元，每个所述像素单元均具有多个显示不同颜色的亚像素单元，其特征在于，所述显示器件包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上、且位于各像素单元的亚像素单元的电致发光结构；设置于各像素单元的至少一个颜色的亚像素单元、且位于所述电致发光结构的出光侧的单色量子点层，所述单色量子点层在受到所述电致发光结构发出的光激发后发射对应所述亚像素单元颜色的单色光。
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管显示器件，所述显示器件内设置有多个像素单元，每个所述像素单元均具有多个显示不同颜色的亚像素单元，其特征在于，所述显示器件包括: 衬底基板； 设置于所述衬底基板上、且位于各像素单元的亚像素单元的电致发光结构； 设置于各像素单元的至少一个颜色的亚像素单元、且位于所述电致发光结构的出光侧的单色量子点层，所述单色量子点层在受到所述电致发光结构发出的光激发后发射对应所述亚像素单元颜色的单色光。2.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电致发光结构包括:依次设置在所述衬底基板上的第一电极，发光层以及第二电极。3.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第二电极所在的一侧为所述电致发光结构的出光侧，所述单色量子点层位于所述第二电极之上。4.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第一电极所在的一侧为所述电致发光结构的出光侧，所述单色量子点层位于所述第一电极与所述衬底基板之间。5.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨明，陈希，蔡佩芝，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。