The invention discloses a composite quantum dot light emitting diode device and a preparation method thereof. The device comprises an anode substrate, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and a cathode layer, wherein, the light emitting layer is composed of quantum dot light emitting material and organic inorganic quantum dots of Perovskite Composite materials light emitting layer. The invention of quantum dot light-emitting materials can produce synergistic effect with organic inorganic hybrid perovskite materials based on the generated excited state complex electroluminescence, QLED not only enhances the luminescence efficiency of the device, reducing the turn-on voltage of the device, and by changing the voltage, can make QLED devices show different colors of light, and the quantum dots have the different structures of the composite light emitting layer, and light color bias on the QLED devices with different regulation effect; in addition, the introduction of organic inorganic hybrid perovskite layer, the QLED device can improve the interface properties, uniformity and stability of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法
本专利技术涉及量子点
,尤其涉及一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法。
技术介绍
半导体量子点(Quantumdot,QDs)具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED),具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点,有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。在传统的QLED器件结构中,除了量子点发光层外,还需要引入两个电极和在电极与量子点之间添加各种功能层,这些功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。QLED器件在外加偏压作用下,载流子(电子和空穴)进入发光层,然后以辐射跃迁的方式复合发光。目前,QLED器件中,量子点的成膜质量极大程度地影响器件的发光均匀性。此外,基于量子点的量子尺寸效应,为了得到发出不同波长光的QLED器件,一般需要使用具有不同尺寸的量子点材料制备成多个器件,大大地增加了器件组装及量子点合成的工作量。有机-无机杂化钙钛矿材料(Organic-inorganichybridperovskite,PS)一般具有CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH32+(n≥2)的通式,该材料于1994年首次被日本科学家发现,随后在2009年起受到研究人员的广泛关注,其材料性能的研究以及光电、电光等器件的研究得到了飞速的发展。近年来,基于有机-无机杂化钙钛矿材料的太阳电池的效率从2009年的3.81%发展到目前22 ...
【技术保护点】
一种复合量子点发光二极管器件,从下至上依次包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层,其特征在于,所述发光层为量子点复合发光层,所述量子点复合发光层由量子点发光材料和有机‑无机杂化钙钛矿材料组成。
【技术特征摘要】
1.一种复合量子点发光二极管器件,从下至上依次包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层,其特征在于,所述发光层为量子点复合发光层,所述量子点复合发光层由量子点发光材料和有机-无机杂化钙钛矿材料组成。2.根据权利要求1所述的复合量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点复合发光层的结构从下至上依次包括:量子点发光层和有机-无机杂化钙钛矿层。3.根据权利要求1所述的复合量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点复合发光层的结构从下至上依次包括:有机-无机杂化钙钛层和量子点发光层。4.根据权利要求1所述的复合量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点复合发光层为量子点发光材料与有机-无机杂化钙钛矿材料组成的混合层。5.根据权利要求4所述的复合量子点发光二极管器件,其特征在于,所述混合层由量子点发光材料与有机-无机杂化钙钛矿材料按重量比为0.001~90:1的比例制备而成。6.根据权利要求1所述的复合量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁柱荣,曹蔚然,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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