本发明专利技术提供一种像素界定层的制备方法及通过像素界定层制备OLED基板、显示装置，属于有机电致发光二极管显示技术领域，其可解决现有的具有亲疏两性的像素界定层制备步骤繁琐的问题。本发明专利技术的像素界定层的制备方法，包括：步骤1、将混合溶液形成在基底上，形成混合液薄膜；所述混合溶液包括亲性材料、疏性材料以及溶剂；步骤2、对上述混合溶液薄膜进行热处理工艺，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层；步骤3、通过构图工艺在像素界定材料层上形成包括像素界定层的图形。本发明专利技术步骤简单，容易实现。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机电致发光二极管显示
，具体涉及一种像素界定层的制备方法及像素界定层、OLED基板、显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此，利用有机电致发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。现有技术中，针对有机薄膜电致发光器件，其有机电致发光层形成方法有:一、真空蒸镀方法，适用于有机小分子，其特点是有机电致发光层的形成不需要溶剂，薄膜厚度均一，但是设备投资大、材料利用率低、不适用于大尺寸产品的生产；二、采用有机电致发光材料的溶液制成有机电致发光层，包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等，适用于聚合物材料和可溶性小分子，其特点是设备成本低，在大规模、大尺寸生产上优势突出。特别是喷墨打印技术，能将溶液精准的喷墨到像素区中，形成有机电致发光层。但是其最大的难点是有机电致发光材料的溶液在像素区内难以形成厚度均一的有机电致发光层。在日本专利JP2008243406中公开了一种有机薄膜电致发光器件制备方法，其中，像素界定层(PDL)由两层组成，第一层(下层)由无机亲性材料(亲性材料对有机电致发光材料的溶液有吸引性)组成，第二层(上层)由有机疏性材料(疏性材料对有机电致发光材料的溶液有排斥性)组成，采用两层浸润性不同的材料组成的像素界定层，能够使有机电致发光材料的溶液精准地喷墨打印和形成厚度均一的有机电致发光材料薄膜；在制备像素界定层时需要先做无机亲性材料层，在无机亲性液材料层上制备有机疏性材料层，再将两层材料通过构图工艺制成像素界定层。同样，在欧洲专利EP0989778A1公开了在基底上形成两层结构的像素界定层的方法，通过使用等离子体共同处理，使之第一层(下层)具有高表面能(亲性材料)，第二层(上层)具有低表面能(疏性材料)，也能满足精确地喷墨打印和薄膜均一性的需求。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:两层结构的像素界定层制备要通过两步完成制备，步骤繁琐，需要投入不同的设备，尤其是涉及到亲性材料，特别是无机亲性材料时要用到等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，设备昂贵。此外，由于有机无机材料之间存在界面问题，易发生分层。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的像素界定层的制备步骤繁琐的问题，提供一种步骤简单，容易实现的像素界定层的制备方法及像素界定层、OLED基板、显示装置。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种像素界定层的制备方法，包括如下步骤:步骤1、将混合溶液形成在基底上，形成混合溶液薄膜；所述混合溶液包括溶剂以及溶解在溶剂中的亲性材料、疏性材料；步骤2、对上述混合溶液薄膜进行热处理工艺，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层；步骤3、通过构图工艺形成包括像素界定层的图形。本专利技术将亲性材料与疏性材料及其溶剂制成混合溶液，故其可以一步形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层，步骤简单，适用性更广。优选的是，所述溶剂包括亲性材料溶解剂以及疏性材料溶解剂，所述亲性材料溶解剂的沸点高于疏性材料溶解剂的沸点；所述步骤2具体包括:对混合溶液薄膜先在第一温度加热，后于第二温度加热，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层，其中，第一温度高于疏性材料溶解剂的沸点且低于亲性材料溶解剂的沸点，第二温度高于亲性材料溶解剂的沸点。优选的是，所述疏性材料溶解剂体积比占溶剂总体积的30% 60%。进一步优选的是，所述亲性材料溶解剂为N，N- 二甲基甲酰胺、N，N- 二甲基乙酰胺或二甲基亚砜中任意一种；所述疏性材料溶解剂为四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷或丙酮中任意一种。进一步优选的是，所述第一温度为10 30°C ;所述第二温度为150 500°C。 优选的是，所述步骤2具体包括:蒸干混合溶液薄膜中的溶剂，之后将其加热到疏性材料的玻璃化转变温度以上，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层，其中疏性材料的玻璃化转变温度低于亲性材料的玻璃化转变温度。进一步优选的是，所述蒸干混合溶液薄膜中的溶剂的温度低于疏性材料的玻璃化转变温度。进一步优选的是，所述疏性材料的玻璃化转变温度为150 300°C ；优选的是，所述亲性材料为刚性聚合物，所述疏性材料为柔性聚合物。进一步优选的是，所述刚性聚合物为聚酰亚胺、双酚A聚碳酸酯、主链中含有烷基的聚合物以及主链中含有环状刚性结构的聚合物中的任意一种；所述柔性聚合物为聚硅氧烷、含氟的聚烯烃、含氟的聚环氧烷烃中的任意一种。更进一步优选的是，所述含氟的聚烯烃为氟化聚丙烯、氟化聚1-丁烯、氟化聚4-甲基-1-戊烯中的任意一种；所述含氟的聚环氧烷烃为氟化聚环氧乙烷或氟化聚环氧丙烷。进一步优选的是，混合溶液中还包括光刻胶。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种像素界定层，所述像素界定层由上述方法制备的。由于本专利技术的像素界定层是由上述制备方法制备的，故其步骤简单，使得工艺及其设备成本降低。优选的是，所述像素界定层为所述像素界定层为从上部到下部亲性材料含量逐渐增高，疏性材料含量逐渐降低的结构。优选的是，所述像素界定层包括上层为疏性材料层，下层为亲性材料层的两层结构。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板，所述OLED基板包括上述像素界定层。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，所述显示装置包括上述OLED基板。附图说明图1为本专利技术的实施例2、3的像素界定层制备方法在基底上形成像素界定材料层后的结构不意图；图2为本专利技术的实施例2、3、5的像素界定层制备方法所形成的像素界定层的结构示意图；图3为本专利技术的实施例2的像素界定层制备方法所形成的像素界定层中采用喷墨打印法形成有机薄膜的原理示意图；图4为本专利技术的实施例2的像素界定层制备方法所形成的像素界定层中采用喷墨打印法形成有机薄膜的结构示意图；图5为本专利技术的实施例6的OLED面板示意图；以及，图6为本专利技术的实施 例6的OLED面板另一种示意图。其中附图标记为:101、基底；102、第一电极；103、像素界定材料层；201、像素界定层；301、液体；401、有机薄膜；501、有机电致发光层；502、第二电极；5011、有机电致发光材料层；5012、空穴注入层；5013、空穴传输层；5014、电子传输层；5015、电子注入层。具体实施例方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:本实施例提供一种像素界定层的制备方法，包括如下步骤:步骤1、将混合溶液涂覆形成在基底上，形成混合溶液薄膜；所述混合溶液体系包括亲性材料、疏性材料以及溶剂；步骤2、对上述混合溶液薄膜进行热处理工艺，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层；步骤3、通过一次构图工艺在像素界定材料层上形成包括像素界定层的图形。本实施例将亲性材本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素界定层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、将混合溶液形成在基底上，形成混合溶液薄膜；所述混合溶液包括溶剂以及溶解在溶剂中的亲性材料、疏性材料；步骤2、对上述混合溶液薄膜进行热处理工艺，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层；步骤3、通过构图工艺形成包括像素界定层的图形。
【技术特征摘要】
1.一种像素界定层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、将混合溶液形成在基底上，形成混合溶液薄膜；所述混合溶液包括溶剂以及溶解在溶剂中的亲性材料、疏性材料； 步骤2、对上述混合溶液薄膜进行热处理工艺，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层； 步骤3、通过构图工艺形成包括像素界定层的图形。2.根据权利要求1所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括亲性材料溶解剂以及疏性材料溶解剂，所述亲性材料溶解剂的沸点高于疏性材料溶解剂的沸点；所述步骤2具体包括: 对混合溶液薄膜先在第一温度加热，后于第二温度加热，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含 量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料层，其中，第一温度高于疏性材料溶解剂的沸点且低于亲性材料溶解剂的沸点，第二温度高于亲性材料溶解剂的沸点。3.根据权利要求2所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述疏性材料溶解剂体积比占溶剂总体积的30% 60%。4.根据权利要求2所述的像素界定层的制备方法，其特征在于， 所述亲性材料溶解剂为N，N- 二甲基甲酰胺、N, N- 二甲基乙酰胺或二甲基亚砜中任意一种； 所述疏性材料溶解剂为四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷或丙酮中任意一种。5.根据权利要求2所述的像素界定层的制备方法，其特征在于， 所述第一温度为10 30°C ; 所述第二温度为150 500°C。6.根据权利要求1所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述步骤2具体包括: 去除混合溶液薄膜中的溶剂，之后将其加热到疏性材料的玻璃化转变温度以上，形成上部的亲性材料的含量小于下部亲性材料含量，上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，刘则，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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