氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种可以抑制电流崩塌的氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管。氮化物半导体外延晶片（200）具备SiC基板（101）、形成在SiC基板（101）上的GaN层（103）和形成在GaN层（103）上的AlGaN层（104），GaN层（103）具有纤锌矿型的晶体结构，GaN层（103）的c轴方向的晶格常数c与GaN层（103）的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管。
技术介绍
作为以往的技术，含有铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、氮(N)等的氮化物半导体通过控制这些III族元素的组成比，作为覆盖从紫外到可见光的大部分区域的革新性的高效率发光器件材料而进行了开发，并已实用化。另外，氮化物半导体由于具有高的饱和电子速度和高的绝缘破坏耐压，因此作为在高频区域实现高效率、高输出的电子器件用材料也已实用化。在专利文献I中公开了如下的氮化物半导体晶体管:在以GaN作为沟道层的氮化物半导体晶体管中，为了在形成为异质结构造的沟道内的电子被加速时不容易被表面态俘获，而具有晶格常数比GaN更大的盖层。在专利文献2中公开了，为了提高缓冲层的均一性、提高形成在缓冲层上的III族氮化物半导体的结晶性，缓冲层的a轴的晶格常数比块状时的AlN的a轴的晶格常数更小的III族氮化物半导体元件。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009 - 32713号公报专利文献2:日本 特开2010 - 272887号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题对于场效应型氮化物晶体管，电流崩塌(current collaps本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体外延晶片，具备：基板、形成在所述基板上的GaN层、和形成在所述GaN层上的AlGaN层，所述GaN层具有纤锌矿型的晶体结构，所述GaN层的c轴方向的晶格常数c与所述GaN层的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下。

【技术特征摘要】
2012.01.25 JP 2012-012920;2012.03.30 JP 2012-07841.一种氮化物半导体外延晶片，具备: 基板、 形成在所述基板上的GaN层、和 形成在所述GaN层上的AlGaN层， 所述GaN层具有纤锌矿型的晶体结构，所述GaN层的c轴方向的晶格常数c与所述GaN层的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体外延晶片，其中，在所述基板与所述GaN层之间形成有单层或者多层缓冲层。3.根据权利要求2所述的氮化物半导体外延晶片，其中，所述缓冲层为AlN层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体外延晶片，其中，所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中丈士，金田直树，成田好伸，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：