Method includes forming a N type fin field effect transistor: providing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate has a fin; forming a gate structure across the fin; the two sides of the gate structure of the fin of ion implantation, the fin portion includes a second side by the first side wall of the gate the structure and covered with the first side wall relative to the wall, the ion implantation on the first side wall or on the second side walls; the ion implantation on the fin annealing; the annealed surface fin in the two side of the gate structure the formation of source and drain. The method of the invention can improve the performance of N type fin field effect transistor.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及N型鳍式场效应晶体管的形成方法。
技术介绍
随着半导体产业向更低的技术节点的发展,渐渐开始从平面CMOS晶体管向三维鳍式场效应晶体管(FinFET)过渡。FinFET中,栅极结构至少可以从两侧对沟道进行控制,具有比平面MOSFET器件强得多的栅对沟道的控制能力,能够很好的抑制短沟道效应。而且相对其它器件具有更好的与现有的集成电路生产技术的兼容性。然而,采用现有技术的方法形成的N型鳍式场效应晶体管的性能不佳。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是采用现有技术的方法形成的N型鳍式场效应晶体管的性能不佳。为解决上述问题,本专利技术提供一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有鳍部;形成横跨所述鳍部的栅极结构;对所述栅极结构两侧的鳍部进行离子注入,所述鳍部包括被所述栅极结构覆盖的第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁,所述离子注入对所述第一侧壁或对所述第二侧壁进行;所述离子注入后,对所述鳍部进行退火处理;所述退火处理后,在所述栅极结构两侧的鳍部表面分别形成源极和漏极。可选的,所述离子注入的方向与垂直于所述半导体衬底的法线具有夹角,所述夹角为大于0度且小于等于30度。可选的,所述离子注入为LDD离子注入。可选的,所述离子注入类型为砷离子或磷离子。可选的,所述离子注入的类型为砷离子时,注入能量为大于等于200eV且小于等于5keV,注入剂量为大于等于1E13atom/cm2且小于等于2E15atom/cm2。可选的,所述离子注入的类型为磷离子时,注入能量为大于等于100eV且小于等于5keV,注入剂 ...
【技术保护点】
一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有鳍部;形成横跨所述鳍部的栅极结构;对所述栅极结构两侧的鳍部进行离子注入,所述鳍部包括被所述栅极结构覆盖的第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁,所述离子注入对所述第一侧壁或对所述第二侧壁进行;所述离子注入后,对所述鳍部进行退火处理;所述退火处理后,在所述栅极结构两侧的鳍部分别形成源极和漏极。
【技术特征摘要】
1.一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有鳍部;形成横跨所述鳍部的栅极结构;对所述栅极结构两侧的鳍部进行离子注入,所述鳍部包括被所述栅极结构覆盖的第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁,所述离子注入对所述第一侧壁或对所述第二侧壁进行;所述离子注入后,对所述鳍部进行退火处理;所述退火处理后,在所述栅极结构两侧的鳍部分别形成源极和漏极。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述离子注入的方向与垂直于所述半导体衬底的法线具有夹角,所述夹角为大于0度且小于等于30度。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述离子注入为LDD离子注入。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述离子注入类型为砷离子或磷离子。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述离子注入的类型为砷离子时,注入能量为大于等于200eV且小于等于5keV,注入剂量为大于等于1E13atom/cm2且小于等于2E15atom/cm2。6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述离子注入的类型为磷离子时,注入能量为大于等于100eV且小于等于5keV,注入剂量为大于等于1E13atom/cm2且小于等于2E15atom...
【专利技术属性】
技术研发人员:李勇,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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