【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种电容结构。
技术介绍
1、电容器广泛应用于模拟电路和混合信号集成电路中。电容器通常由相互电隔离的金属片构成。在集成电路中，金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，mom)电容器因其大容量的优势，得到了广泛应用。
2、金属-绝缘体-金属结构(metal-insulator-metal，mim)的电容器，另一种被广泛应用的电容结构。这种结构由相互隔离的2个金属片构成。
3、但是这样结构的电容器，电容值和q值都会出现下降的问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是如何提高电容器的电容值和q值。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种电容结构，包括：
3、第一极板，所述第一极板位于衬底上；中间绝缘层，所述中间绝缘层位于所述第一极板上；第二极板，所述第二极板位于所述中间绝缘层上；电极金属结构，所述电极金属结构位于所述第二极板上，所述电极金属结构包括：多个电极金属段，所述电极金属段沿第一方向延伸，多个所述电极金属段沿第二方向依次平行排列，其中所述第一方向和所述第二方向相互垂直；第一插塞组，包括：第一插塞，所述第一插塞贯穿所述第二极板和所述中间绝缘层，以连接所述第一极板和所述电极金属段；第二插塞组，包括：第二插塞，所述第二插塞连接所述第二极板和所述电极金属段；沿所述第二方向，至少1个所述第一插塞组位于相邻的所述第二插塞组之间。
4、可选的，沿所述第二方向，任意2个第二插塞组
5、可选的，沿所述第二方向，所述第一插塞组和所述第二插塞组间隔设置。
6、可选的，在所述衬底表面，所述第二极板的投影的范围不大于所述第一极板的投影的范围。
7、可选的，在所述衬底表面，所述第二极板的投影的范围等于所述第一极板的投影的范围。
8、可选的，还包括：第一连接金属段和第二连接金属段，所述第一连接金属段通过部分数量的电极金属段与所述第一极板相连，所述第二连接金属段通过剩余数量的电极金属段与所述第二极板相连。
9、可选的，所述第一连接金属段和所述第二连接段沿所述第二方向延伸，所述第一连接金属段与部分数量的电极金属段的一端相连，所述第二连接金属段与剩余数量的电极金属段的一端相连。
10、可选的，沿所述第一方向，所述第一连接金属段和所述第二连接段分别位于所述电极金属结构的两侧。
11、可选的，所述电极金属段为长条状。
12、可选的，所述电极金属段的宽度在100nm至50μm范围内。
13、可选的，相邻所述电极金属段之间的间隔在100nm至50μm范围内。
14、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
15、本专利技术技术方案中，至少1个第一插塞组位于相邻的2个第二插塞组之间，从而能够有效降低第一极板的连接电阻、缩短电流通道，能够有效提高电容结构的q值；而且与不同插塞相连的电极金属段之间也能构成电容，能够有效提高电容结构的电容值。
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1.一种电容结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，沿所述第二方向，任意2个第二插塞组之间具有1个所述第一插塞组。
3.如权利要求1或2所述的电容结构，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一插塞组和所述第二插塞组间隔设置。
4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，在所述衬底表面，所述第二极板的投影的范围不大于所述第一极板的投影的范围。
5.如权利要求4所述的电容结构，其特征在于，在所述衬底表面，所述第二极板的投影的范围等于所述第一极板的投影的范围。
6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，还包括：第一连接金属段和第二连接金属段，所述第一连接金属段通过部分数量的电极金属段与所述第一极板相连，所述第二连接金属段通过剩余数量的电极金属段与所述第二极板相连。
7.如权利要求6所述的电容结构，其特征在于，所述第一连接金属段和所述第二连接段沿所述第二方向延伸，所述第一连接金属段与部分数量的电极金属段的一端相连，所述第二连接金属段与剩余数量的电极金属段的一端相连。
8.如权利
9.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电极金属段为长条状。
10.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电极金属段的宽度在100nm至50μm范围内。
11.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，相邻所述电极金属段之间的间隔在100nm至50μm范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，沿所述第二方向，任意2个第二插塞组之间具有1个所述第一插塞组。
3.如权利要求1或2所述的电容结构，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一插塞组和所述第二插塞组间隔设置。
4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，在所述衬底表面，所述第二极板的投影的范围不大于所述第一极板的投影的范围。
5.如权利要求4所述的电容结构，其特征在于，在所述衬底表面，所述第二极板的投影的范围等于所述第一极板的投影的范围。
6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，还包括：第一连接金属段和第二连接金属段，所述第一连接金属段通过部分数量的电极金属段与所述第一极板相连，所述第二连接金属段...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，王西宁，钱蔚宏，邬庆，曲俊凡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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