【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种光学邻近修正方法。
技术介绍
1、光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
2、在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(ope：optical proximity effect)。
3、为了修正光学...
【技术保护点】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述初始第一目标图形为矩形，所述初始第一目标图形包括相对立的第一长边和第二长边，所述第一长边与所述第一辅助图形相邻；所述初始第二目标图形为矩形，所述初始第二目标图形包括相对立的第三长边和第四长边，所述第三长边与所述第二辅助图形相邻。
3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，以所述辅助图层为参考，对所述初始目标图层进行修正处理并获取目标图层的方法包括：将所述第一长边朝向远离所述第一辅助图形的方向平移，直至所述第一长边与所述第一辅助图形之间...
【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述初始第一目标图形为矩形，所述初始第一目标图形包括相对立的第一长边和第二长边，所述第一长边与所述第一辅助图形相邻；所述初始第二目标图形为矩形，所述初始第二目标图形包括相对立的第三长边和第四长边，所述第三长边与所述第二辅助图形相邻。
3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，以所述辅助图层为参考，对所述初始目标图层进行修正处理并获取目标图层的方法包括：将所述第一长边朝向远离所述第一辅助图形的方向平移，直至所述第一长边与所述第一辅助图形之间的间距大于或等于掩膜规则尺寸为止，使得所述初始第一目标图形形成所述第一目标图形；将所述第三长边朝向远离所述第二辅助图形的方向平移，直至所述第三长边与所述第二辅助图形之间的间距大于或等于掩膜规则尺寸为止，使得所述初始第二目标图形形成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张戈，刘文东，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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