显示装置以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明专利技术的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种至少在像素部中使用薄膜晶体管的。
技术介绍
近年来，使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜(厚度为几nm至几百nm左右)构成薄膜晶体管的技术受到注目。薄膜晶体管广泛地应用于电子器件如1C、电光装置，尤其是，正在加快开发作为图像显示装置的开关元件的薄膜晶体管。·作为图像显示装置的开关元件，采用使用非晶半导体膜的薄膜晶体管、或者使用多晶半导体膜的薄膜晶体管等。作为多晶半导体膜的形成方法，一般知道由光学系统将脉冲振荡的受激准分子激光束加工为线状，并且在对非晶半导体膜扫描线状光束的同时进行照射来晶化的技术。此外，作为图像显示装置的开关元件，采用使用微晶半导体膜的薄膜晶体管(参照专利文件I及专利文件2)。作为现有的薄膜晶体管的制造方法，已知如下方法在将非晶硅膜形成在栅极绝缘膜上之后，在其上表面形成金属膜，对该金属膜照射二极管激光，以将非晶硅膜改变为微晶硅膜(例如，参照非专利文件I)。在该方法中，形成在非晶硅膜上的金属膜是用来将二极管激光的光能转换为热能的，并且为了完成薄膜晶体管必须在其后去掉该金属膜。换言之，该方法是非晶半导体膜只受到来自金属膜的传导加热而被加热，以形成微晶半导体膜的方法。日本专利申请公开Hei4_242724号公报日本专利申请公开2005-49832号公报 Toshiaki Arai 和其他，SID 07 DIGEST, 2007, p. 1370-1373使用多晶半导体膜的薄膜晶体管具有如下优点其迁移率比使用非晶半导体膜的薄膜晶体管高两个位数以上，并且可以将显示装置的像素部和其外围的驱动电路集成形成在同一个衬底上。然而，有如下问题与使用非晶半导体膜的情况相比，由于进行半岛体膜的晶化而工序复杂化，因此成品率降低而成本提高。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的之一在于提供一种具有电特性和可靠性都良好的薄膜晶体管的显示装置。本专利技术是一种显示装置，包括在形成沟道形成区域的微晶半导体膜上设置有沟道保护层的反交错型(底栅型)的晶体管，其中在不重叠于源电极及漏电极且大致重叠于该沟道保护层的微晶半导体膜的沟道形成区中，以比源区及漏区低的浓度包含一种导电型的杂质元素。本专利技术包括具有将微晶半导体膜用作沟道形成区的沟道停止结构的反交错型薄膜晶体管。在反交错型薄膜晶体管中，在栅电极上形成栅极绝缘膜，并且在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区的微晶半导体膜(也称为半非晶半导体膜)。在重叠于微晶半导体膜的沟道形成区的区域中形成沟道保护层。此外，在微晶半导体膜和沟道保护层之间，或者在它们上形成缓冲层。在沟道保护层及缓冲层上形成一对源区及漏区，并且形成接触到源区及漏区的一对源电极及漏电极。在微晶半导体膜的沟道形成区的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置包括一种导电型的杂质元素的杂质区。本专利技术的显示装置之一包括晶体管。晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的具有沟道形成区的微晶半导体膜。在微晶半导体膜上包括缓冲层，并且在缓冲层上的重叠于微晶半导体膜的沟道形成区的区域中包括沟道保护层。在沟道保护层以及缓冲层上包括源区及漏区，并且在源区及漏区上包括源电极及漏电极。在微晶半导体膜·的沟道形成区中选择性地设置包括赋予一种导电型的杂质元素的杂质区。本专利技术的显示装置之一包括晶体管。晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的具有沟道形成区的微晶半导体膜。在重叠于微晶半导体膜的沟道形成区的区域中包括沟道保护层。在微晶半导体膜以及沟道保护层上包括缓冲层。在缓冲层上包括源区及漏区，并且在源区及漏区上包括源电极及漏电极。在微晶半导体膜的沟道形成区中选择性地设置包括赋予一种导电型的杂质元素的杂质区。本专利技术的显示装置的制造方法之一包括如下步骤形成栅电极、栅极绝缘膜、以及微晶半导体膜；在微晶半导体膜上形成缓冲层，并且在缓冲层上的重叠于微晶半导体膜的沟道形成区的区域中形成沟道保护层；在沟道保护层及缓冲层上形成源区及漏区，并且在源区及漏区上形成源电极及漏电极；通过以源电极及漏电极为掩模，经过缓冲层及沟道保护层，对微晶半导体膜的沟道形成区选择性地添加赋予一种导电型的杂质元素。本专利技术的显示装置的制造方法之一包括如下步骤形成栅电极、栅极绝缘膜、以及微晶半导体膜；在重叠于微晶半导体膜的沟道形成区的区域中形成沟道保护层，并且在微晶半导体膜及沟道保护层上形成缓冲层；在缓冲层上形成源区及漏区，并且在源区及漏区上形成源电极及漏电极；通过以源电极及漏电极为掩模，经过沟道保护层，对微晶半导体膜的沟道形成区选择性地添加赋予一种导电型的杂质元素。本专利技术的显示装置的制造方法之一包括如下步骤形成栅电极、栅极绝缘膜、以及微晶半导体膜；在重叠于微晶半导体膜的沟道形成区的区域中形成沟道保护层，并且在微晶半导体膜及沟道保护层上形成缓冲层；在缓冲层上形成源区及漏区，并且在源区及漏区上形成源电极及漏电极；通过以源电极及漏电极为掩模，经过沟道保护层，对微晶半导体膜的沟道形成区选择性地添加赋予一种导电型的杂质元素来形成杂质区；通过以源电极及漏电极为掩模，经过沟道保护层，对微晶半导体膜的杂质区照射激光束。根据本专利技术，可以提供具有电特性和可靠性都良好的薄膜晶体管的显示装置。附图说明图I是说明本专利技术的显示装置的图2A至2E是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图；图3A至3C是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图；图4A至4D是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图；图5是说明本专利技术的显示装置的图；图6A至6D是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图；图7A至7D是示出应用本专利技术的电子设备的图；图8是示出应用本专利技术的电子设备的主要结构的框图；图9A至9C是说明本专利技术的显示装置的图；·图IOA和IOB是说明本专利技术的显示装置的图；图IlA至IlC是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图；图12A和12B是说明本专利技术的显示装置的图；图13A和13B是说明本专利技术的等离子体CVD装置的平面图；图14是说明本专利技术的显示装置的图；图15是说明本专利技术的显示装置的图；图16A和16B是说明本专利技术的显示装置的图；图17是说明本专利技术的显示装置的图；图18是说明本专利技术的显示装置的图；图19是说明本专利技术的显示装置的图；图20是说明本专利技术的显示装置的图；图21是说明本专利技术的显示装置的图；图22是说明本专利技术的显示装置的图；图23是说明本专利技术的显示装置的图；图24是说明本专利技术的显示装置的图；图25是说明本专利技术的显示装置的图；图26是说明本专利技术的显示装置的图；图27是说明本专利技术的显示装置的图；图28是说明本专利技术的显示装置的图；图29是说明本专利技术的显示装置的图；图30是说明本专利技术的显示装置的图；图31是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图；图32A至32C是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图；图33A至33C是说明本专利技术的显示装置的制造方法的图。具体实施例方式参照附图详细说明本专利技术的实施方式。但是，本专利技术不局限于以下说明，所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容在不脱离本专利技术的宗旨及其范围下可以被变换为各种各样的形式。因此，本专利技术不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在以下说明的本专利技术的结构中，在不同附图中共同使用表示相同部分或者具有相同功能的部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极之上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜包含氮化硅和氮氧化硅中的一种；所述第一绝缘膜之上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包含氧化硅和氧氮化硅中的一种；所述栅电极之上的半导体膜，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜夹在所述栅电极和所述半导体膜之间；在所述半导体膜之上并与所述半导体膜电接触的源电极；在所述半导体膜之上并与所述半导体膜电接触的漏电极；所述半导体膜、所述源电极和所述漏电极之上的第三绝缘膜；和所述第三绝缘膜之上的像素电极，所述像素电极电连接于所述源电极和所述漏电极中的一个；其中所述像素电极重叠于所述半导体膜，其中所述半导体膜的第一边缘不延伸超出所述栅电极的第一边缘，所述半导体膜的所述第一边缘重叠于所述源电极，其中所述半导体膜的第二边缘不延伸超出所述栅电极的第二边缘，所述半导体膜的所述第二边缘重叠于所述漏电极，并且其中所述半导体膜包括含有杂质的区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林聪，川俣郁子，大力浩二，小森茂树，伊佐敏行，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：