一种多阱核壳结构量子点及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种多阱核壳结构量子点及其制备方法，其包括：步骤A、生长一层量子点核；步骤B、在量子点核外依次循环生长第一量子点壳和第二量子点壳，直至生长至预定层数的壳；其中，采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳。与现有技术只利用连续离子层技术制备得到多阱结构量子点不同，本发明专利技术采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳，从而有效解决阱层与壳层之间得晶格失配问题，同时也可以有效地控制整个量子点的尺寸大小以及发射波长半峰宽较大的问题。

Multi well core shell structure quantum dot and preparation method thereof

The invention discloses a multi well core-shell structure quantum dots and a preparation method thereof, which comprises the following steps: A, the growth of a layer of quantum dots in the nucleus; step B, quantum dots nuclear cycle growth first and second shell quantum dots QDs shell, until the growth to a predetermined number of shells; among them, the first production growth quantum dots shell with cation exchange method, the growth of second shell quantum dots via successive ionic layer method. Only the use of existing technology and continuous ion preparation technology for multi layer quantum well structure different, the invention adopts the first shell quantum dot growth cation exchange method, the growth of second quantum dots by successive ionic layer shell method, thereby effectively solving between the well layer and shell to lattice mismatch problem, size can also be effectively the control problem of quantum dots and the emission wavelength of half peak width larger.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子点合成
，尤其涉及一种多阱核壳结构量子点及其制备方法。
技术介绍
在量子点的合成领域中，利用阳离子交换的方法来长壳是一个重要的手段，在制备核壳量子点时采用阳离子交换法能够有效的提高量子点的荧光强度。然而在多阱结构量子点的制备过程中同样可以采用阳离子交换法来生长多阱结构量子点中的宽带隙壳层。有关量子阱量子点的研究相对于非阱体系量子点的较少，由于量子阱量子点的荧光强度不是很高、峰宽较宽，其原因是阱层与内核以及宽带隙壳层之间的晶格失配较大，进而会有很多深能级捕获造成很多无辐射跃迁；多阱结构量子点能够有效的改善具有阱结构量子点的荧光强度，然而对于多阱结构量子点而言，每个阱层之间都会有类似于单阱结构量子点的晶格失配特点；在制备多阱结构量子过程中生长宽带隙材料时，可以采用阳离子交换的方法进行壳层生长，其方法不仅降低阱层与窄带隙材料之间的晶格失配问题，同时也可以使波长蓝移，同时得到核壳量子点与未进行阳离子交换过的内核量子点的尺寸大小相同，利用连续离子层技术制备多阱结构量子点时，会造成量子点的尺寸不断增大同时波长也不断红移等问题，尺寸过大会造成晶格的应变较大，波长红移过多会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多阱结构量子点的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、生长一层量子点核；步骤B、在量子点核外依次循环生长第一量子点壳和第二量子点壳，直至生长至预定层数的壳；其中，采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳。

【技术特征摘要】
1.一种多阱结构量子点的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、生长一层量子点核；步骤B、在量子点核外依次循环生长第一量子点壳和第二量子点壳，直至生长至预定层数的壳；其中，采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳。2.根据权利要求1所述的多阱结构量子点的制备方法，其特征在于，采用热注入法生长一层量子点核。3.根据权利要求1所述的多阱结构量子点的制备方法，其特征在于，所述预定层数为5。4.一种多阱结构量子点，其特征在于，包括量子点核、依次循环生长在所述量子点核外的第一量子点壳及第二量子点壳，所述第一量子点壳和第二量子点壳的总层数为预定层数；其中，所述第一量子点壳采用阳离子交换法生长得到，所述第二量子点壳采用连续离子层法生长得到。5.根据权利要求4所述的多阱结构量子点，其特征在于，所述量子点核为-族、-族...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44