【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应变锗器件的制备方法,属于半导体器件制造工艺领域。
技术介绍
随着器件尺寸不断缩小,硅基器件中载流子迁移率退化问题日益严重,需要探索新材料、新结构以及新工艺来提高器件性能。锗材料由于具备较高的载流子迁移率而受到广泛关注。为了进一步提高锗基MOS器件沟道中载流子的迁移率,可以在源漏区域采用与锗晶格常数不同的材料,从而在沟道中引入应力。在锗基NMOS器件中,通过在源漏区域注入晶格常数小于锗的元素,可以在沟道中引入单轴张应力,从而提高沟道中电子的迁移率。但传统离子注入方法在沟道中引入的应变大小,受杂质在锗中固溶度的限制,尤其是碳,在锗中固溶度极低,在退火过程中容易发生析出,因而获得的替位式碳原子含量较低,引入的应变也较小,从而影响了器件性能的提升。
技术实现思路
为了解决以上问题,本专利技术提出一种应变锗器件的制备方法,该方法可提高源漏区域中张应变诱导元素的组分,使沟道中的应力增加,并且与现有工艺兼容,可以用于应变锗MOS器件的工艺基础。本专利技术的具体技术方案如下:1.一种应变锗器件的制备方法,其具体包括如下步骤:1)选用锗基衬底,衬底表面形成栅极结构;2)对源漏区域进行第一次离子注入,形成非晶层;3)对源漏区域进行第二次离子注入,引入张应变诱导元素,第二次注入深度小于第一次离子注入形成的非晶层厚度;4)在源漏掺杂之前或之后对锗基衬底进行退火,使非晶区域转化为单晶;5)进 ...
【技术保护点】
一种应变锗器件的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:1)选用锗基衬底,衬底表面形成栅极结构,栅极结构两侧形成有侧墙;2)对源漏区域进行第一次离子注入,形成非晶层;3)对源漏区域进行第二次离子注入,引入张应变诱导元素,第二次注入深度小于第一次离子注入形成的非晶层厚度;4)在源漏掺杂之前或之后对锗基衬底进行退火,使非晶区域转化为单晶;5)进行后续工艺,完成MOS器件的制备。
【技术特征摘要】
1.一种应变锗器件的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
1)选用锗基衬底,衬底表面形成栅极结构,栅极结构两侧形成有侧墙;
2)对源漏区域进行第一次离子注入,形成非晶层;
3)对源漏区域进行第二次离子注入,引入张应变诱导元素,第二次注入深度小于第一次
离子注入形成的非晶层厚度;
4)在源漏掺杂之前或之后对锗基衬底进行退火,使非晶区域转化为单晶;
5)进行后续工艺,完成MOS器件的制备。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述锗...
【专利技术属性】
技术研发人员:安霞,张冰馨,黎明,林猛,郝培霖,黄如,张兴,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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