【技术实现步骤摘要】
应变SOI衬底的制造方法和 在其上制造CMOS器件的方法
0001本专利技术涉及半导体制造领域，更具体而言，本专利技术涉及 一种应变绝缘体上半导体衬底(SSOI)的制造方法。同时本专利技术也提 供了在该SSOI衬底上制造半导体器件的方法。背景技木0002通过在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的 半导体沟道中引入应变，可以使器件的性能得到改善。这一点是半导 体工业中众所周知的。例如可以通过在松l&的SiGe材料上外延沉淀Si来制造应变半导体沟道。这种应变是由于Si和SiGe的晶格间距不 同而产生的。00031传统的应变Si典型地是用较厚的SiGe层(其厚度约为 500nm量级或更大)对较薄的Si层(其厚度约为20nm量级或更小) 的顶层施加应变。较大的Ge原子拉伸或拉紧Si的上部晶格从而显著 改善晶体管的性能。但是，SiGe层的存在给材料和工艺整合造成挑战。 为得到高性能互补金属氣化物半导体(CMOS)需要使Si层和SiGe 层做得更薄，这一要求使得在SiGe层上形成晶体管的过程过于困难。[OOO引应变绝缘体上直接半导体(SSDOI或SSOI...
【技术保护点】
应变绝缘体上半导体的制造方法，包括以下步骤：在绝缘体上半导体的顶部半导体层的上表面形成非晶化层；在该非晶化层上形成高应力膜；进行再结晶退火，其中将所述顶部半导体层和所述非晶化退火再结晶为具有与应力膜相同的应变极性的应变半导体层；以及去除应力膜。
【技术特征摘要】
US 2007-1-12 11/622,5431. 应变绝缘体上半导体的制造方法，包括以下步骤在绝缘体上半导体的顶部半导体层的上表面形成非晶化层；在该非晶化层上形成高应力膜；进行再结晶退火，其中将所述顶部半导体层和所述非晶化退火再结晶为具有与应力膜相同的应变极性的应变半导体层；以及去除应力膜。2、 权利要求l所述的方法，其中，形成非晶化层的步骤包括从 元素周期表的第IV族元素中选择的至少一种离子的离子注入。3、 权利要求2所述的方法，其中，所述第IV族离子包括Si、 Ge、 C或它们的任意组合。4、 权利要求2所述的方法，其中，所述离子注入所使用的离子 剂量为约5E14至约5E15原子/立方厘米，所使用的能量为约5至约 50keV。5、 权利要求l所述的方法，还包括在形成非晶化层之前，在所 述顶部半导体层上形成氧化层的步骤。6、 权利要求l所述的方法，其中，所述形成高应力膜的步骤包 括低压CVD (LPCVD)、等离子体增强CVD ( PECVD )、快速热 CVD ( RTCVD )或基于BTBAS的(与氨反应的C8H22N2Si) CVD， 其中BTBAS是一种现代金属有机前驱物。7、 权利要求l所述的方法，其中，所述高应力膜具有压缩应变 或拉伸应变。8、 权利要求l所述的方法，其中，所述形成高应力膜的步骤包 括在非晶化层的选定区域上沉积第 一应变极性材料，在非晶化层的其 他区域上形成第二应变极性材料，所述第 一应变极性与所述第二应变 极性不同。9、 权利要求1所述的方法，其中，所述退火步骤是在约60(TC 至约IOO(TC的温度下进行的。10、 在应变绝缘体上半导体上制造CMOS器件的方法，包括以 下步骤在绝缘体上半导体的顶部半导体层的上表面形成非晶化层； 在该非晶化层上形成高应力膜；进行再结晶退火，其中将所述顶部...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨美基，安娜W托普尔，阿尔伯特M杨，小道格拉斯C拉图里佩，师利仁，詹姆斯维奇孔蒂，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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