一种基于细芯光纤马赫‑曾德干涉仪的材料应变测量方法技术

本发明专利技术提供了一种基于细芯光纤马赫‑曾德干涉仪的应变测量方法，所述方法包括以下步骤：a)搭建细芯光纤马赫‑曾德干涉仪，细芯光纤马赫‑曾德干涉仪依次连接泵浦源、一支波分复用器以及细芯光纤马赫‑曾德结构；细芯光纤马赫‑曾德结构包括一段细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤，细芯光纤熔接在第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤之间；b)将细芯光纤马赫‑曾德结构与可控应变材料贴合；c)逐渐改变材料的应变大小，记录梳状谱移动的长度，绘制梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线；d)通过所述梳状谱移动长度与材料应变带下的变化曲线对材料应变进行测量。

【技术实现步骤摘要】
专利的交叉引用本申请要求2015年10月13日提交的，申请号CN201510671672.X的中国专利技术专利申请的优选权。
本专利技术涉及光纤干涉仪领域，特别的涉及一种基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法。
技术介绍
通常，全光纤化的传感器具有结构紧凑、使用寿命长、对测试量敏感、传输信道多等优势广泛地应用于光纤传感、光纤通信、光学加工等领域。通过光纤端面微加工技术或搭建具有干涉结构的全光纤传感器，在泵浦源作用下，输出具有梳状谱图样的干涉谱曲线。现有技术中一种基于双芯光纤的马赫-曾德干涉仪，干涉条纹衬幅比约为10dBm，条纹间隔约为2nm。将两支3dB耦合器制成马赫-曾德干涉系统，结合双芯光纤，构成双级结构的马赫-曾德干涉仪，条纹衬幅比约为30dBm。细芯光纤马赫-曾德光纤传感器结构简单且易于实现，该结构由一段细芯光纤熔接在两段芯径相对较粗的掺杂稀土光纤光纤中，能够有效准确的获取梳状谱图样的干涉谱曲线，因此，需要借助一种基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪对材料应变进行精确、高效的测量。
技术实现思路
根据本专利技术提供了一种基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法，所述测量方法包括以下步骤：b)搭建所述细芯光纤马赫-曾德干涉仪，所述细芯光纤马赫-曾德干涉仪通过光栅光纤依次连接泵浦源、一支波分复用器以及细芯光纤马赫-曾德结构；所述细芯光纤马赫-曾德结构包括一段细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤，所述细芯光纤熔接在第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤之间，所述第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤作为光纤激光器的增益介质；b)将所述细芯光纤马赫-曾德结构与可控应变材料贴合；c)逐渐改变材料应变大小，记录梳状谱移动的长度，绘制梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线；d)通过所述梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线对材料应变进行测量。优选地，所述的泵浦源通过一支激光二极管作为光纤激光器。优选地，所述第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤为掺杂稀土元素的掺杂光纤，用于光纤激光器的增益。优选地，所述的波分复用器用于将泵浦光耦合进入第一掺杂稀土光纤。优选地，步骤b)中所述的固定的方法是将所述细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤与应变材料组合为一体，控制材料应变的大小对材料应变标定，所述标定过程采用对材料进行拉伸、压缩或弯曲中的一种或多种。优选地，所述梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线通过线性拟合或者最小二乘法进行拟合。优选地，所述第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土元素光纤选自掺铒光纤、掺镱光纤或者铒镱共掺光纤的一种。本专利技术所提供的一种基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法测量准确高效，易于操作，能够适合在多种场合应用。应当理解，前述大体的描述和后续详尽的描述均为示例性说明和解释，并不应当用作对本专利技术所要求保护内容的限制。附图说明参考随附的附图，本专利技术更多的目的、功能和优点将通过本专利技术实施方式的如下描述得以阐明，其中：图1示意性示出了本专利技术细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量结构示意图；图2示出了本专利技术细芯光纤与光栅光纤的熔接示意图；图3示出了本专利技术基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法的流程图；图4示出了本专利技术一个实施例中梳状谱随材料应变大小变化的曲线。具体实施方式通过参考示范性实施例，本专利技术的目的和功能以及用于实现这些目的和功能的方法将得以阐明。然而，本专利技术并不受限于以下所公开的示范性实施例；可以通过不同形式来对其加以实现。说明书的实质仅仅是帮助相关领域技术人员综合理解本专利技术的具体细节。在下文中，将参考附图描述本专利技术的实施例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的部件，或者相同或类似的步骤。本实施例中详细说明一种基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法，如图1所示本专利技术细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量结构示意图，所述细芯光纤马赫-曾德干涉仪包括一支激光二极管作为光纤激光器的泵浦源101、一支波分复用器(WDM)102以及细芯光纤马赫-曾德结构，所述细芯光纤马赫-曾德结构包括一段细芯光纤104、第一稀土掺杂光纤103和第二稀土光纤105，所述细芯光纤104熔接在第一掺杂稀土光纤103和第二掺杂稀土光纤105之间。第一掺杂稀土光纤103和第二掺杂稀土光纤采用掺杂稀土元素的掺杂光纤作为光纤激光器的增益介质，第一掺杂稀土光纤103和第二掺杂稀土元素光纤105选自掺铒光纤、掺镱光纤或者铒镱共掺光纤的一种，波分复用器102用于将泵浦光耦合进入第一掺杂稀土光纤103。细芯光纤马赫-曾德结构与应变材料106贴合组合为一体，控制材料应变的变化，在一些实施例中可以是对材料进行拉舍，从而使材料产生应变，在另一些实施例中可以是对材料进行压缩，从而使材料产生应变，在另一些实施例中也可以是对材料进行弯曲，从而使材料产生应变，在另一些实施例中还可以是对材料进行拉舍、压缩或弯曲多种组合，从而使材料产生应变。本实施例中通过对材料进行拉舍，从而使材料产生应变。本实施例细芯光纤104、第一掺杂稀土光纤103和第二掺杂稀土光纤105通过光栅光纤串接在一起，如图2所示本专利技术细芯光纤与光栅光纤的熔接示意图，与细芯光纤202相互熔接的光栅光纤分为第一光栅光纤201和第二光栅光纤203，细芯光纤202、第一光栅光纤201和第二光栅光纤203均由光纤涂层、光纤包层和光纤芯组成，本实施例附图2示例性的给出第二光栅光纤203的光纤涂层205、光纤包层206和光纤芯207。应当说明的是，第一掺杂稀土光纤103、第二掺杂稀土光纤105以及第一光栅光纤201和第二光栅光纤203的纤芯直径尺寸应大于细芯光纤104(202)的纤芯直径尺寸。下面针对本专利技术一个实施例中基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法过程中的光路以及梳状谱长度的变化给出具体说明：总光强I为其中I1、I2和分别为细芯光纤中纤芯和包层的光强和相移差，且其中，n1和n2分别为纤芯和包层的有效折射率，L1和L2分别为光束在纤芯和包层中传输的长度。由于干涉臂长度相等，且存在折射率差Δn，则有由公式1和公式3可知，传输谱中的峰值发生在满足下式的波长处，其中m为整数2πLΔn/λ＝2mπ(4)经过简化，公式4表示为m＝LΔn/λ(5)对公式5中λ进行求导可得Δm/Δλ＝-LΔn/λ2(6)取Δm＝1，得到在波长λ处传输谱中相邻峰值的波长间隔为|Δλ|＝λ2/LΔn(7)由公式7可知，本专利技术细芯光纤马赫-曾德梳干涉仪的梳状谱中，相邻峰值的波长间隔与中心波长、细芯光纤长度和纤芯与包层的折射率差有关。当中心波长一定时，相邻峰值的波长间隔是细芯光纤长度和纤芯与包层间折射率差的函数。应用该梳状谱进行传感测试，当干涉仪受到材料应变影响导致应变材料变形，从而引起两臂光程差发生改变时，干涉梳状谱发生变化，干涉条纹产生移动。为了更加清楚的说明本专利技术基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法，本实施例结合具体材料应变测量方法的流程进行说明，如图3所示本专利技术基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法的流程图；基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法包括如下步骤：步骤301、搭建细芯光纤马赫-曾德干涉仪，熔接马赫-曾德结构；步骤302、将细芯马赫-曾德结构与应变材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于细芯光纤马赫‑曾德干涉仪的材料应变测量方法，其特征在于所述测量方法包括以下步骤：a)搭建所述细芯光纤马赫‑曾德干涉仪，所述细芯光纤马赫‑曾德干涉仪通过光栅光纤依次连接泵浦源、一支波分复用器以及细芯光纤马赫‑曾德结构；所述细芯光纤马赫‑曾德结构包括一段细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤，所述细芯光纤熔接在第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤之间，所述第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤作为光纤激光器的增益介质；b)将所述细芯光纤马赫‑曾德结构与可控应变材料贴合；c)逐渐改变材料应变大小，记录梳状谱移动的长度，绘制梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线；d)通过所述梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线对材料应变进行测量。

【技术特征摘要】
2015.10.13 CN 201510671672X1.一种基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的材料应变测量方法，其特征在于所述测量方法包括以下步骤：a)搭建所述细芯光纤马赫-曾德干涉仪，所述细芯光纤马赫-曾德干涉仪通过光栅光纤依次连接泵浦源、一支波分复用器以及细芯光纤马赫-曾德结构；所述细芯光纤马赫-曾德结构包括一段细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤，所述细芯光纤熔接在第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤之间，所述第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤作为光纤激光器的增益介质；b)将所述细芯光纤马赫-曾德结构与可控应变材料贴合；c)逐渐改变材料应变大小，记录梳状谱移动的长度，绘制梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线；d)通过所述梳状谱移动长度与材料应变大小的变化曲线对材料应变进行测量。2.根据权利要求1所述的材料应变测量方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝连庆，何巍，董明利，骆飞，娄小平，张钰明，刘锋，
申请(专利权)人：北京信息科技大学，
类型：发明
国别省市：北京;11