温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种有成本效益、简单的制造应变绝缘体上半导体（ＳＳＯＩ）结构的方法，该方法无需外延生长和后续的晶片结合工艺步骤。依据本发明，应变记忆技术被用于在ＳＯＩ衬底上形成应变半导体区域。由于Ｓｉ区是应变的，在应变半导体区域上形成的晶体管具有...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。