本发明专利技术提供了一种包括非线性沟道的finFET。非线性沟道包括限定沟道宽度和沟道长度的一个或多个弧形、弯曲、分段等侧壁。与定向为与栅极宽度正交的线性鳍相比，非线性沟道提供相对增加的沟道长度。因此，非线性沟道的沟道长度可以在栅极的范围内相对增加。换句话说，由于沿着非线性沟道的电场减小，短沟道效应可能受到限制，电场减小是由于在栅极的覆盖区内相对增加的沟道或鳍长度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本专利技术涉及半导体器件的制造方法和所得结构。更具体地，本公开涉及用于集成电路(ic)器件的制造方法和所得结构，集成电路器件例如晶片、管芯、处理器等，其包括具有非线性沟道的晶体管，例如鳍式场效应晶体管(finfet)。
2、半导体器件和ic器件在许多产品中已经变得普遍存在，特别是当它们在成本和尺寸上持续降低时。一直期望减小结构特征的尺寸和/或对于给定的器件尺寸提供更大量的结构特征。通常，小型化允许以较低功率水平和较低的成本来提高性能。目前的技术处于或接近某些微型器件的原子级尺度，例如逻辑门、场效应晶体管(fet)、电容器等。
3、例如，当finfet的鳍的宽度按比例缩小或达到5纳米(nm)(在3nm节点附近)时，接触多晶间距(cpp)达到具有22nm的金属间距的大约45nm的cpp极限。cpp是将相邻栅极接触的各自中心分开的距离。cpp限制可能是由最小化或消除短沟道效应的期望引起的，由最小化由较小的栅极间隔宽度引起的寄生电容增加的期望引起的，和/或由缩小源极和/或漏极接触的空间引起的。
>4、为了实现期望的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种finFET，包括：
2.根据权利要求1所述的finFET，其中所述非线性沟道包括与所述第一非线性侧壁相对的第二非线性侧壁。
3.根据权利要求2所述的finFET，其中所述第一非线性侧壁是第一弯曲非线性侧壁。
4.根据权利要求3所述的finFET，其中所述第二非线性侧壁是第二弯曲非线性侧壁。
5.根据权利要求4所述的finFET，其中所述第一弯曲非线性侧壁和所述第二弯曲非线性侧壁是平行的。
6.根据权利要求4所述的finFET，其中所述第一弯曲非线性侧壁和所述第二弯曲非线性侧壁共享相同的曲率中心轴线。
7.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种finfet，包括：
2.根据权利要求1所述的finfet，其中所述非线性沟道包括与所述第一非线性侧壁相对的第二非线性侧壁。
3.根据权利要求2所述的finfet，其中所述第一非线性侧壁是第一弯曲非线性侧壁。
4.根据权利要求3所述的finfet，其中所述第二非线性侧壁是第二弯曲非线性侧壁。
5.根据权利要求4所述的finfet，其中所述第一弯曲非线性侧壁和所述第二弯曲非线性侧壁是平行的。
6.根据权利要求4所述的finfet，其中所述第一弯曲非线性侧壁和所述第二弯曲非线性侧壁共享相同的曲率中心轴线。
7.根据权利要求1所述的finfet，其中所述finfet还包括与所述非线性沟道的第一端表面物理接触的源极以及与所述非线性沟道的相对的第二端表面物理接触的漏极。
8.根据权利要求7所述的finfet，其中所述finfet还包括所述栅极周围的栅极间隔体。
9.根据权利要求1所述的finfet，其中所述非线性沟道的沟道长度大于所述栅极的栅极长度。
10.一种finfet，包括：
11.根据权利要求10所述的finfet，其中所述第一非线性沟道包括第一非线性侧壁和与...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢瑞龙，J·弗鲁吉尔，S·N·埃曼斯，A·格林，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。