半导体基板的制造方法技术

本发明专利技术在硅基板１０的主面上使ＳｉＧｅ混晶的缓冲层及Ｇｅ磊晶膜生长。在Ｇｅ磊晶膜１１中，虽然高密度的缺陷从与Ｓｉ基板１０的界面被导入，但是施加７００～９００℃的热处理，来使贯穿位错１２变化成为在Ｓｉ基板界面附近的环状位错缺陷１２’。接着，对形成有离子注入层的Ｇｅ磊晶膜１１和支撑基板２０的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面１３进行Ｇｅ磊晶膜的剥离而得到Ｇｅ薄膜１４，进而，若对该Ｇｅ薄膜１４的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ｇｅ薄膜１４的ＧｅＯＩ基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在异种基板上具备锗(Ge)或硅锗(SiGe)等锗系磊晶膜而 形成。
技术介绍
提高半导体器件中的载体移动度来提升处理速度的方法，以往已知利用 SOI(绝缘层上覆硅；Silicon on insulator)基板的方法，近年来也有提出利用 GeOI(绝缘层上覆锗；Germanium on insulator)基板的方法。其理由是因为Ge 结晶中的载体移动度与Si比较较快，电子移动度为约2倍、空穴移动度为约 4倍，对于设计高速动作的半导体器件是有利的。在异种基板上磊晶生长Ge膜，已知有一种方法(例如，参照R. People, Physics and applications of GexSil-x/Si strained layer structures;锗硅/硅应变 层的物理及应用IEEE Jouranl of Quantum Electronics; IEEE量子电子学期 刊，QE-22, 1696(1986年))，是在Si基板上，以每次增加少许Ge浓度，堆 积许多层而形成SiuGex层，来得到最后未含有Si的Ge层的方法。在该方 法中，将StxGex层中的Ge浓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基板的制造方法，具备以下步骤：　　　　步骤Ａ，在硅基板上通过化学气相沉积法磊晶生长Ｇｅ膜；　　　　步骤Ｂ，在７００～９００℃的温度范围，对该Ｇｅ膜施加热处理；　　　　步骤Ｃ，从该Ｇｅ膜的表面侧注入氢离子；　　　　步骤Ｄ，对该Ｇｅ膜和支撑基板的至少一方的主面，施加表面活化处理；　　　　步骤Ｅ，将该Ｇｅ膜的主面与该支撑基板的主面贴合；及　　　　步骤Ｆ，对该Ｇｅ膜与该支撑基板的贴合界面赋予外部冲击，并沿着该Ｇｅ膜的氢离子注入界面将Ｇｅ结晶剥离，而在该支撑基板的主面上形成Ｇｅ薄膜。

【技术特征摘要】
JP 2007-2-8 2007-0294841.一种半导体基板的制造方法，具备以下步骤步骤A，在硅基板上通过化学气相沉积法磊晶生长Ge膜；步骤B，在700～900℃的温度范围，对该Ge膜施加热处理；步骤C，从该Ge膜的表面侧注入氢离子；步骤D，对该Ge膜和支撑基板的至少一方的主面，施加表面活化处理；步骤E，将该Ge膜的主面与该支撑基板的主面贴合；及步骤F，对该Ge膜与该支撑基板的贴合界面赋予外部冲击，并沿着该Ge膜的氢离子注入界面将Ge结晶剥离，而在该支撑基板的主面上形成Ge薄膜。2. 如权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，上述步骤A具 有下述工序在Ge膜的磊晶生长前，在该Si基板的主面生长由50纳米以 下膜厚度的硅锗所构成的缓冲层。3. —种导体基板的制造方法，具备以下步骤-步骤A,在硅基板上通过化学气相沉积法磊晶生长SiGe膜； 步骤B，在700 120(TC的温度范围，对该SiGe膜施加热处理； 步骤C，从该SiGe膜的表面侧注入氢离子；步骤D，对该SiGe膜和支撑基板的至少一方的主面，施加表面活化处理；步骤E，将该SiGe膜的主面与该支撑基板的主面贴合；及步骤F，对该SiGe膜与该支撑基板的贴合界面赋予外部冲击，并沿着该SiGe膜的氢离子注入界面将SiGe结晶剥离，而在该支撑基板的主面上形成SiGe薄膜。4. 如权利要求3所述的半导体基板的制造方法，其中，上述SiGe膜的 Ge含量为10摩尔°/。以上。5. 如权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，上述步骤C，在 氢离子注入前...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山昌次，久保田芳宏，伊藤厚雄，田中好一，川合信，飞坂优二，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]