阵列基板的制造方法及阵列基板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，该阵列基板的制造方法包括：在衬底上形成多晶硅层，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述多晶硅层上形成氧化物半导体层；以及利用一次构图工艺，在所述第一区域形成第一有源层，在所述第二区域形成第二有源层，其中，所述第一有源层由所述多晶硅层构成，所述第二有源层由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成。

Method for manufacturing array substrate and array substrate

The present invention provides a method for manufacturing an array substrate and the array substrate, method of manufacturing the array substrate includes forming a polysilicon layer on the substrate, wherein the substrate comprises a first region and a second region; forming an oxide semiconductor layer on the polysilicon layer; and the use of a composition process, forming the first active layer in the the first area, the formation of second active layer in the second region, the first active layer by the polysilicon layer, the second active layer by the oxide semiconductor layer and the polysilicon layer.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法及阵列基板
本专利技术涉及阵列基板的制造方法及阵列基板。
技术介绍
在显示面板的TFT(ThinFilmTransistor：薄膜晶体管)阵列基板的制造中，LTPO(LowTemperaturePolycrystallineOxide：低温多晶氧化物)工艺是一种同时利用低温多晶硅(LTPS)工艺和氧化物(Oxide)工艺制造TFT阵列基板的新技术。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够简化工序且提高生产量的阵列基板的制造方法及阵列基板。本专利技术提供一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅层，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述多晶硅层上形成氧化物半导体层；以及利用一次构图工艺，在所述第一区域形成第一有源层，在所述第二区域形成第二有源层，其中，所述第一有源层由所述多晶硅层构成，所述第二有源层由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成。例如，执行所述构图工艺的步骤包括以下步骤：第一步骤，利用一个掩模，在所述第一区域形成第一保护层，在所述第二区域形成第二保护层，其中，所述第一保护层的厚度小于所述第二保护层的厚度；第二步骤，对所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述氧化物半导体层和所述多晶硅层执行蚀刻；第三步骤，去除所述第一保护层的全部和所述第二保护层的一部分，暴露所述第一保护层下方的所述氧化物半导体层；第四步骤，对所暴露出的所述氧化物半导体层执行蚀刻，形成由所述多晶硅层构成的所述第一有源层；以及第五步骤，去除所述第二保护层的剩余部分，形成由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成所述第二有源层。例如，还包括：在执行所述构图工艺之前，在所述氧化物半导体层上形成钝化层的步骤，所述构图工艺包括：第一步骤，利用一个掩模，在所述第一区域形成第一保护层，在所述第二区域形成第二保护层，其中，所述第一保护层的厚度小于所述第二保护层的厚度；第二步骤，对所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述钝化层、所述氧化物半导体层和所述多晶硅层执行蚀刻；第三步骤，去除所述第一保护层的全部和所述第二保护层的一部分，暴露所述第一保护层下方的所述钝化层；第四步骤，对所暴露出的所述钝化层及其下方的所述氧化物半导体层执行蚀刻，形成由所述多晶硅层构成的所述第一有源层；以及第五步骤，去除所述第二保护层的剩余部分，形成由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成所述第二有源层，并保留所述第二有源层上的所述钝化层。例如，所述第二步骤和所述第四步骤中的蚀刻为干法蚀刻。例如，在所述第二步骤中，按照湿法蚀刻、干法蚀刻的顺序，依次去除所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述氧化物半导体层和所述多晶硅层，在所述第四步骤中，通过湿法蚀刻来去除所暴露出的所述氧化物半导体层。例如，在所述第二步骤中，按照干法蚀刻、湿法蚀刻、干法蚀刻的顺序，依次去除所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述钝化层、所述氧化物半导体层和所述多晶硅层。例如，在所述第四步骤中，通过干法蚀刻、湿法蚀刻，依次去除所暴露出的所述钝化层及其下方的所述氧化物半导体层。例如，所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物和铝锌氧化物中的至少一种。例如，还包括以下步骤：形成栅绝缘层；形成所述第一区域的第一栅极和所述第二区域的第二栅极；形成层间绝缘层；以及形成所述第一区域的第一源极和第一漏极、所述第二区域的第二源极和第二漏极，所述第一源极和第一漏极分别通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔与所述第一有源层连接，所述第二源极和第二漏极分别通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅绝缘层和所述钝化层的过孔与所述第二有源层连接。本专利技术还提供一种阵列基板，包括：衬底、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，其中，所述衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域设置有第一有源层，该第一有源层由多晶硅层构成，在所述第二区域设置有第二有源层，该第二有源层由多晶硅层和形成在该多晶硅层上的氧化物半导体层构成，在同一层设置所述第一有源层中的多晶硅层和所述第二有源层中的多晶硅层。例如，在所述第二有源层上方还设置有钝化层。例如，所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物和铝锌氧化物中的至少一种。例如，该阵列基板还包括层间绝缘层，所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述源极包括第一源极和第二源极，所述漏极包括第一漏极和第二漏极，所述栅绝缘层设置在所述第一有源层和所述钝化层上方，所述栅极设置在所述栅绝缘层上方，所述层间绝缘层设置在所述栅极上方，所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极形成在所述层间绝缘层上方，其中，所述第一源极和第一漏极分别通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔与所述第一有源层连接，所述第二源极和第二漏极分别通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅绝缘层和所述钝化层的过孔与所述第二有源层连接。在本专利技术中，由于通过一次构图工艺就能够同时形成LTPSTFT的有源层和OxideTFT的有源层，因此能够简化工序，提高生产量。另外，由于OxideTFT阵列基板的有源层包括氧化物半导体层及其下方的多晶硅层，因此对于紫外线非常敏感的氧化物半导体层来说，在氧化物半导体层下方形成多晶硅层有利于阻断紫外线。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简单说明，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1是示出了现有技术中的LTPOTFT阵列基板的结构示意图。图2是本专利技术的实施例所提供的LTPOTFT阵列基板的结构示意图。图3～图10是根据本专利技术实施例示出了图2中的TFT阵列基板的有源层的制造工序的工序图。图11是根据本专利技术实施例示出了图2中的TFT阵列基板的有源层的制造工序的流程图。图12是根据本专利技术实施例示出了图11中的步骤S205的具体内容的流程图。符号说明：1、11-LTPSTFT；2、22-OxideTFT；10、110-基板；20-缓冲层；30、130-多晶硅层(低温多晶硅层)；40、140-氧化物半导体层；50-钝化层；201、1201-栅极绝缘层；102、202、1102、1202-栅极；203、1203-层间绝缘层；104、204、1104、1204-源极；105、205、1105、1205-漏极。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的结构部分。本公开中使用的“包括”、“包含”、“具备”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅层，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述多晶硅层上形成氧化物半导体层；以及利用一次构图工艺，在所述第一区域形成第一有源层，在所述第二区域形成第二有源层，其中，所述第一有源层由所述多晶硅层构成，所述第二有源层由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅层，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述多晶硅层上形成氧化物半导体层；以及利用一次构图工艺，在所述第一区域形成第一有源层，在所述第二区域形成第二有源层，其中，所述第一有源层由所述多晶硅层构成，所述第二有源层由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其中，所述构图工艺包括：第一步骤，利用一个掩模，在所述第一区域形成第一保护层，在所述第二区域形成第二保护层，其中，所述第一保护层的厚度小于所述第二保护层的厚度；第二步骤，对所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述氧化物半导体层和所述多晶硅层执行蚀刻；第三步骤，去除所述第一保护层的全部和所述第二保护层的一部分，暴露所述第一保护层下方的所述氧化物半导体层；第四步骤，对所暴露出的所述氧化物半导体层执行蚀刻，形成由所述多晶硅层构成的所述第一有源层；以及第五步骤，去除所述第二保护层的剩余部分，形成由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成所述第二有源层。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，还包括：在执行所述构图工艺之前，在所述氧化物半导体层上形成钝化层的步骤，所述构图工艺包括：第一步骤，利用一个掩模，在所述第一区域形成第一保护层，在所述第二区域形成第二保护层，其中，所述第一保护层的厚度小于所述第二保护层的厚度；第二步骤，对所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述钝化层、所述氧化物半导体层和所述多晶硅层执行蚀刻；第三步骤，去除所述第一保护层的全部和所述第二保护层的一部分，暴露所述第一保护层下方的所述钝化层；第四步骤，对所暴露出的所述钝化层及其下方的所述氧化物半导体层执行蚀刻，形成由所述多晶硅层构成的所述第一有源层；以及第五步骤，去除所述第二保护层的剩余部分，形成由所述氧化物半导体层及所述多晶硅层构成所述第二有源层，并保留所述第二有源层上方的所述钝化层。4.根据权利要求2或3所述的阵列基板的制造方法，其中，所述第二步骤和所述第四步骤中的蚀刻为干法蚀刻。5.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其中，在所述第二步骤中，按照湿法蚀刻、干法蚀刻的顺序，依次去除所述第一区域和所述第二区域中未被所述第一保护层和所述第二保护层覆盖的所述氧化物半导体层和所述多晶硅层，在所述第四步骤中，通过湿法蚀刻来去除所暴露出的所述氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11