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本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板,该阵列基板的制造方法包括:在衬底上形成多晶硅层,其中,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述多晶硅层上形成氧化物半导体层;以及利用一次构图工艺,在所述第一区域形成第一有源层,在所述第二区域形成第二...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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