显示装置用基板的制造方法以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能够使在进行配线的断线的连接修复时发生的导通不良减少的显示装置用基板的制造方法以及显示装置的制造方法。本发明专利技术所涉及的显示装置用基板及显示装置具有：绝缘性的基板；绝缘膜，其形成在基板之上，以氧化硅或者氧化金属为主要成分；无机膜，其与绝缘膜直接接触地形成，具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部；以及配线膜，其与绝缘体部直接接触地形成。

Method for manufacturing substrate for display device and manufacturing method of display device

It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a substrate for a display device that can lead to poor connection during a disconnection of a line for wiring, and a method of manufacturing a display device. The invention relates to a display device substrate and display device comprises an insulative substrate; an insulating film formed on the substrate, and silicon oxide or metal oxide as the main component; inorganic membrane, its direct contact with the insulating film is formed with the oxide semiconductor in the insulator and the insulator; and the wiring film with the insulator in direct contact form.

【技术实现步骤摘要】
显示装置用基板的制造方法以及显示装置的制造方法
本专利技术涉及具有使用氧化物半导体而形成的膜的、显示装置用基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法。
技术介绍
近年，作为显示装置的一个例子而大多使用液晶显示装置。液晶显示装置构成为，将液晶层夹持在一对透明绝缘性基板之间，具有薄膜晶体管(thinfilmtransistor，下面称为“TFT”)阵列基板，该TFT阵列基板在一个透明绝缘性基板的液晶层侧具有：多个扫描线及多个信号线，在扫描线和信号线之间隔着绝缘膜，扫描线和信号线配置为矩阵状；TFT，其设置于扫描线和信号线的交点附近；以及像素电极，其经由信号线而被提供影像信号。通过利用来自扫描线的扫描信号对TFT的接通、断开进行控制，从而对影像信号向像素电极的供给进行控制。而且，在TFT阵列基板的显示区域的外侧的端部，具有用于将信号输入至扫描线及信号线的端子。并且，具有将端子与扫描线或者信号线连结的端子配线。并且，在液晶显示装置中，作为另一个透明绝缘性基板，具有滤色片(colorfilter，下面称为“CF”)基板。在显示装置中，小型化、高精密度化得到发展，另一方面，减少制造工序中故障的发生的要求也不断提高。作为显示装置的故障，存在基于各种原因而引起的故障，作为其中一个故障，举出断线故障，即，由于制造工序中的异物混入等，信号线、扫描线或者端子配线等配线局部地断线。如果发生断线故障，则经过配线的电信号被断开，在显示画面上发生线状等的显示故障。例如，在专利文献1中公开了一种所谓的“连接修复”的技术，即，针对如上所述的断线故障，向夹着配线断线部的2个部位照射激光，将覆盖配线的绝缘膜局部地去除，形成将该绝缘膜贯通的2个接触孔，以将夹着该断线部的2个接触孔桥接的方式形成金属膜，将断线部电连接而使断线部导通。专利文献1：日本特开平5－232496号公报但是，在如上所述的连接修复中，在绝缘膜处形成接触孔时，由于接触孔内表面的形状不规则，因此在上层形成的金属膜的覆盖性低，即使进行连接修复，也得不到充分的电导通，存在发生导通不良的问题。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于提供一种能够使在进行配线的断线的连接修复时发生的导通不良减少的显示装置用基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法。本专利技术所涉及的显示装置用基板及显示装置，具有：绝缘性的基板；绝缘膜，其形成在基板之上，以氧化硅或者氧化金属为主要成分；无机膜，其与绝缘膜直接接触地形成，具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部；以及配线膜，其与绝缘体部直接接触地形成。另外，本专利技术所涉及的显示装置用基板的制造方法及显示装置的制造方法，具有下述工序：在绝缘性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金属为主要成分的绝缘膜；形成与绝缘膜直接接触的、具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部的无机膜；以及形成与无机膜直接接触的配线膜。专利技术的效果根据本专利技术所涉及的显示装置用基板及显示装置，即使在配线膜发生了断线，也能够减少进行连接修复时的导通不良。另外，根据本专利技术所涉及的显示装置用基板的制造方法及显示装置的制造方法，即使在配线膜发生了断线，也能够减少进行连接修复时的导通不良。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的俯视图。图2是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的俯视图。图3是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的剖视图。图4是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图5是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图6是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图7是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图8是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图9是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的俯视图。图10是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的俯视图。图11是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的俯视图。图12是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的俯视图。图13是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的剖视图。图14是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图15是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图16是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的剖视图。图17是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图18是表示本专利技术的实施方式1的TFT阵列基板的俯视图。图19是表示本专利技术的实施方式1的液晶显示装置的剖视图。图20是表示本专利技术的实施方式2的TFT阵列基板的剖视图。图21是表示本专利技术的实施方式2的TFT阵列基板的剖视图。图22是表示本专利技术的实施方式2的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图23是表示本专利技术的实施方式2的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图24是表示本专利技术的实施方式2的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图25是表示本专利技术的实施方式2的TFT阵列基板的剖视图。图26是表示本专利技术的实施方式2的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图27是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的剖视图。图28是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的剖视图。图29是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图30是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图31是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图32是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图33是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的剖视图。图34是表示本专利技术的实施方式3的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图35是表示本专利技术的实施方式4的TFT阵列基板的剖视图。图36是表示本专利技术的实施方式4的TFT阵列基板的剖视图。图37是表示本专利技术的实施方式4的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图38是表示本专利技术的实施方式4的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图39是表示本专利技术的实施方式4的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图40是表示本专利技术的实施方式4的TFT阵列基板的剖视图。图41是表示本专利技术的实施方式4的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图42是表示本专利技术的实施方式5的TFT阵列基板的剖视图。图43是表示本专利技术的实施方式5的TFT阵列基板的剖视图。图44是表示本专利技术的实施方式5的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图45是表示本专利技术的实施方式5的TFT阵列基板的俯视图。图46是表示本专利技术的实施方式5的TFT阵列基板的俯视图。图47是表示本专利技术的实施方式6的TFT阵列基板的俯视图。图48是表示本专利技术的实施方式6的TFT阵列基板的俯视图。图49是表示本专利技术的实施方式6的TFT阵列基板的剖视图。图50是表示本专利技术的实施方式6的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图51是表示本专利技术的实施方式6的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。图52是表示本专利技术的实施方式6的TFT阵列基板的制造工序的一部分的剖视图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置用基板的制造方法，其具有下述工序：在绝缘性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金属为主要成分的绝缘膜；形成与所述绝缘膜直接接触的、具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部的无机膜；以及形成与所述绝缘体部直接接触的配线膜。

【技术特征摘要】
2015.12.11 JP 2015-2423651.一种显示装置用基板的制造方法，其具有下述工序：在绝缘性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金属为主要成分的绝缘膜；形成与所述绝缘膜直接接触的、具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部的无机膜；以及形成与所述绝缘体部直接接触的配线膜。2.根据权利要求1所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述绝缘膜的工序之后，实施形成所述无机膜的工序，在形成所述无机膜的工序之后，实施形成所述配线膜的工序。3.根据权利要求1所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述配线膜的工序之后，实施形成所述无机膜的工序，在形成所述无机膜的工序之后，实施形成所述绝缘膜的工序。4.一种显示装置用基板的制造方法，其具有下述工序：在绝缘性的基板之上形成具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部的无机膜；形成与所述绝缘体部直接接触的配线膜；以及形成与所述配线膜直接接触的、以氧化硅或者氧化金属为主要成分的绝缘膜。5.根据权利要求4所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述无机膜的工序之后，实施形成所述配线膜的工序，在形成所述配线膜的工序之后，实施形成所述绝缘膜的工序。6.根据权利要求4所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述绝缘膜的工序之后，实施形成所述配线膜的工序，在形成所述配线膜的工序之后，实施形成所述无机膜的工序。7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，形成所述无机膜的工序具有下述工序：形成所述氧化物半导体的膜；以及在形成所述氧化物半导体的膜的工序之后，将所述氧化物半导体的膜进行绝缘体化而形成所述绝缘体部。8.根据权利要求7所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述绝缘体部的工序中，仅将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩坂利彦，山县有辅，井上和式，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP