显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板的制作方法包括在衬底基板上形成公共电极线的步骤，形成所述公共电极线的步骤包括：形成延伸方向相同的透明导电图形和金属图形，所述透明导电图形与所述金属图形相接触组成至少部分所述公共电极线，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影具有超出所述金属图形在所述衬底基板上的正投影的部分。本发明专利技术的技术方案能够在不影响显示装置的开口率的情况下提高显示装置的存储电容，改善显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示器)行业中，扭曲向列(TwistedNematic，TN)型液晶显示器因其具有工艺简单、成熟、良率更高的优点，广泛应用于笔记本电脑、掌上终端等电子显示终端产品中。在TN模式的液晶显示器中，公共电极线是由不透光的金属制成的，为了保证TN模式液晶显示器的开口率，需要将公共电极线设置的比较窄，而TN模式液晶显示器的存储电容是由公共电极线和像素电极之间的正对面积决定的，因此存储电容受限于开口率会比较低，导致TN模式的液晶显示器在电容耦合效应以及关态电流Ioff的影响下可能出现Flicker(闪烁)和残影等不良。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够在不影响显示装置的开口率的情况下提高显示装置的存储电容，改善显示装置的显示效果。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成公共电极线的步骤，形成所述公共电极线的步骤包括：形成延伸方向相同的透明导电图形和金属图形，所述透明导电图形与所述金属图形相接触组成至少部分所述公共电极线，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影具有超出所述金属图形在所述衬底基板上的正投影的部分。进一步地，形成所述透明导电图形和所述金属图形包括：在所述衬底基板上依次形成所述透明导电图形和所述金属图形，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述金属图形在所述衬底基板上的正投影部分重合；或在所述衬底基板上依次形成所述金属图形和所述透明导电图形，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述金属图形在所述衬底基板上的正投影部分重合。进一步地，形成所述透明导电图形和所述金属图形包括：通过一次构图工艺同时形成所述透明导电图形和所述金属图形，所述金属图形在所述衬底基板上的正投影完全落入所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，所述通过一次构图工艺同时形成所述透明导电图形和所述金属图形包括：依次形成透明导电层和金属层；在所述金属层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶未保留区域；刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层和金属层，形成所述透明导电图形；去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；刻蚀掉光刻胶部分保留区域的金属层，形成所述金属图形；去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。进一步地，所述显示基板还包括薄膜晶体管的栅极和栅线，在形成所述透明导电图形和所述金属图形的同一次构图工艺中，还形成所述薄膜晶体管的栅极和栅线。本专利技术实施例还提供了一种显示基板，包括位于衬底基板上的公共电极线，至少部分所述公共电极线由延伸方向相同的透明导电图形和金属图形组成，所述透明导电图形与所述金属图形相接触，且所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影具有超出所述金属图形在所述衬底基板上的正投影的部分。进一步地，所述公共电极线包括层叠设置的所述透明导电图形和所述金属图形，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述金属图形在所述衬底基板上的正投影部分重合，所述金属图形覆盖所述透明导电图形的部分区域；或所述透明导电图形覆盖所述金属图形的部分区域。进一步地，所述公共电极线包括所述金属图形和覆盖所述金属图形的所述透明导电图形，所述金属图形在所述衬底基板上的正投影完全落入所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影内；或所述公共电极线包括所述透明导电图形和位于所述透明导电图形上的所述金属图形，所述金属图形在所述衬底基板上的正投影完全落入所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，所述公共电极线包括并排设置的所述金属图形和所述透明导电图形。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，至少部分公共电极线由延伸方向相同的透明导电图形和金属图形组成，透明导电图形在衬底基板上的正投影具有超出金属图形在衬底基板上的正投影的部分，这样能够使得公共电极线与像素电极的正对面积大于金属图形与像素电极的正对面积，使得显示装置的存储电容得到了提高；同时由于公共电极线与像素电极的正对面积增加的部分是由透明导电图形导致的，而透明导电图形因其具有的透光性不影响显示装置的开口率，因此能够在不影响显示装置的开口率的情况下提高显示装置的存储电容，改善显示装置的显示效果。附图说明图1为现有显示基板的平面示意图；图2为现有显示基板的AA’方向的截面示意图；图3为本专利技术实施例显示基板的平面示意图；图4为本专利技术实施例显示基板的AA’方向的截面示意图。附图标记1衬底基板2金属图形3栅绝缘层4钝化层5像素电极6透明导电图形具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图1和图2所示，现有TN模式的液晶显示器中，公共电极线为不透光的金属图形2，TN模式液晶显示器的存储电容是由公共电极线和像素电极之间的正对面积决定的，为了提高TN模式的液晶显示器的存储电容，需要将金属图形2设计的比较宽，但这样又会降低液晶显示器的开口率，影响液晶显示器的显示效果，因此TN模式的液晶显示器的存储电容和开口率不能兼顾。为了解决上述问题，本专利技术的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够在不影响显示装置的开口率的情况下提高显示装置的存储电容，改善显示装置的显示效果。实施例一本实施例提供一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成公共电极线的步骤，形成所述公共电极线的步骤包括：形成延伸方向相同的透明导电图形和金属图形，所述透明导电图形与所述金属图形相接触组成至少部分所述公共电极线，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影具有超出所述金属图形在所述衬底基板上的正投影的部分。本实施例中，至少部分公共电极线由延伸方向相同的透明导电图形和金属图形组成，透明导电图形在衬底基板上的正投影具有超出金属图形在衬底基板上的正投影的部分，这样能够使得公共电极线与像素电极的正对面积大于金属图形与像素电极的正对面积，使得显示装置的存储电容得到了提高；同时由于公共电极线与像素电极的正对面积增加的部分是由透明导电图形导致的，而透明导电图形因其具有的透光性不影响显示装置的开口率，因此能够在不影响显示装置的开口率的情况下提高显示装置的存储电容，改善显示装置的显示效果。其中，可以是公共电极线的一部分由透明导电图形和金属图形组成，也可以是公共电极线的全部均由透明导电图形和金属图形组成。具体实施例中，形成所述透明导电图形和所述金属图形包括：在所述衬底基板上依次形成所述透明导电图形和所述金属图形，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述金属图形在所述衬底基板上的正投影部分重合；或在所述衬底基板上依次形成所述金属图形和所述透明导电图形，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述金属图形在所述衬底基板上的正投影部分重合。即可以通过两次构图工艺分别形成透明导电图形和金属图形，可以先形成透明导电图形再形成金属图形，也可以先形成金属图形再形成透明导电图形，但是透明导电图形需要具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成公共电极线的步骤，其特征在于，形成所述公共电极线的步骤包括：形成延伸方向相同的透明导电图形和金属图形，所述透明导电图形与所述金属图形相接触组成至少部分所述公共电极线，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影具有超出所述金属图形在所述衬底基板上的正投影的部分。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成公共电极线的步骤，其特征在于，形成所述公共电极线的步骤包括：形成延伸方向相同的透明导电图形和金属图形，所述透明导电图形与所述金属图形相接触组成至少部分所述公共电极线，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影具有超出所述金属图形在所述衬底基板上的正投影的部分。2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述透明导电图形和所述金属图形包括：在所述衬底基板上依次形成所述透明导电图形和所述金属图形，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述金属图形在所述衬底基板上的正投影部分重合；或在所述衬底基板上依次形成所述金属图形和所述透明导电图形，所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影与所述金属图形在所述衬底基板上的正投影部分重合。3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述透明导电图形和所述金属图形包括：通过一次构图工艺同时形成所述透明导电图形和所述金属图形，所述金属图形在所述衬底基板上的正投影完全落入所述透明导电图形在所述衬底基板上的正投影内。4.根据权利要求3所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺同时形成所述透明导电图形和所述金属图形包括：依次形成透明导电层和金属层；在所述金属层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶未保留区域；刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层和金属层，形成所述透明导电图形；去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；刻蚀掉光刻胶部分保留...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珠林，汪锐，王孝林，付鹏程，蒋日坤，邓鸣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11